- 通過對眾多公司的訪問，發(fā)現數字電源是增長很快的領域;功率器件的效能在提升，封裝是其創(chuàng)新的一個重要部分;電源模塊正面向特定的應用和客戶，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領域挺進;電源測試在從單臺儀器向整體解決方案轉型。
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電源 功率器件 電源管理 能量采集 201404
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
- 本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設計方案，即以安森美半導體系統(tǒng)基礎芯片NCV7462和...
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前車門控制器 感應電阻器 功率器件
- 雖然電動汽車完全成為主流還需要一定的時間，但一些制造商深信面向大眾市場的零排放汽車時代已經來臨。當談到針對未來交通開發(fā)的技術時，電動汽車和電池產業(yè)毫無疑問是焦點所在，當前研發(fā)工作重點放在提高電池存儲容量和加快電池充電時間。通過與汽車和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場領域開發(fā)新的技術和解決方案。
下圖顯示了PPTC技術如何應用于混合動力汽車和電動汽車電池模塊中的過溫檢測。該例使用了一個熱敏傳感器陣列來監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會使器件電阻迅速非
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電動汽車 電源 功率器件
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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GaN 功率半導體
- 日前，電子發(fā)燒友網攜手飛兆半導體等業(yè)界五大知名廠商，成功舉辦“2013電源管理技術研討會”，200多位技術研發(fā)工 ...
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綠色電源 高性能 功率器件
- 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC將區(qū)分使用 2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
- 驅動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護及隔離功能的集成驅動模塊。這些模塊具有多種保護功能、隔離驅動...
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功率器件 IR2110 IGBT
- 盡管內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流馬達獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由...
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功率器件 混合動力車
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
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