600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量

　　目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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三菱電機(jī)在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號(hào)4A08)中隆重亮相。　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng) 　　針對(duì)工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要，三菱電機(jī)將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）

　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開辟新的機(jī)會(huì)。　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。　　全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。　　TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)

　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎？

　　氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
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功率器件行業(yè)面臨的風(fēng)險(xiǎn)

　　功率器件在我國(guó)還屬于朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)，就其在中國(guó)發(fā)展的歷程來(lái)看，從20世紀(jì)50年底的可控硅SCR發(fā)展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT，發(fā)展時(shí)間較短。就其增長(zhǎng)速度來(lái)看，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)速度較快，高于我國(guó)制造業(yè)的平均增長(zhǎng)速度，并已經(jīng)成為了全球最大的功率器件市場(chǎng)。　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)局的數(shù)據(jù)顯示，2013年，我國(guó)功率器件銷售額比2012年增長(zhǎng)9.9%，銷售金額達(dá)到1804.87億元。就其下游需求行業(yè)來(lái)看，無(wú)論是從生活聯(lián)系緊密的數(shù)碼相機(jī)、LED電視、手機(jī)到新能源汽車、工業(yè)控制，均是目前成長(zhǎng)良好需求廣闊甚至在未來(lái)
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IGBT崛起——國(guó)產(chǎn)功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的必然
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三菱電機(jī)估計(jì)功率器件市場(chǎng)到2016年再創(chuàng)新高

　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年P(guān)CIM亞洲展時(shí)，估計(jì)功率器件市場(chǎng)在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績(jī)下滑后，市場(chǎng)正在逐漸恢復(fù)并升溫，預(yù)計(jì)到2016年，整體業(yè)績(jī)可以回復(fù)到2011年的歷史高峰。　　為了滿足市場(chǎng)需要，三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所總工程師佐藤克己先生表示，三菱電機(jī)持續(xù)每年投入產(chǎn)品研發(fā)，降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗，最終實(shí)現(xiàn)提升性能和降低成本。現(xiàn)時(shí)集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 　　IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出&
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