- 選SSD就是選閃存顆粒!所以，大家購買前可以先在網(wǎng)上看看評測拆解，了解顆粒是否來自于原廠或者是白片，再慎重選擇。
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SSD 閃存
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰(zhàn)略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。
2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。
2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 閃存
- 從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。
據(jù)臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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DRAM 閃存
- 中國半導體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業(yè)內曾經傳言，中國紫光集團可能會收購美國閃存、內存制造巨頭美光科技公司，但是傳言并未有下文。日前，紫光旗下公司證實，正在和美光進行有關技術授權、成立合資公司的談判。
據(jù)報道，作出上述表態(tài)的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團旗下設立在武漢的企業(yè)，董事長正是紫光集團掌門人趙偉國。
日前在合肥的一次會議上，丁文物對于記者表示，目前長江存儲公司正在和美光科技公司進行談判，涉及到閃存以及內存技術的授權，但是還沒有達成協(xié)議。這位高
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長江存儲 閃存
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設備及消費者的優(yōu)先選擇。
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3D NAND SSD
- 伴隨著中國增加閃存投資，其和三星的閃存市場份額差距正在縮小，而技術上中國在過去10年時間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術，在技術上迅速縮小與三星的差距。
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三星 閃存
- 3D并不是什么新技術，在消費電子領域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關技術和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
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車載 3D 安全駕駛
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發(fā)布。
根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發(fā)布。
根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 閃存
3d 閃存介紹
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