3d 閃存 文章 最新資訊
閃存存儲技術(shù)迅速走向成熟

- 閃存技術(shù)在中國這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進(jìn)的發(fā)展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價格門檻,正在逐步降低,未來閃存的可靠性會和價格一齊下降,但我們能夠通過系統(tǒng)軟件來更好地實現(xiàn)閃存的利用價值?! artner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾 2013年的中國閃存市場 Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價格成本下降41%,這是一個非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時代 閃存能否成棟梁
- 隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展,全球數(shù)據(jù)量每兩年翻倍的速度增長,人們選用的存儲介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化,到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到44ZB。如此高速增長的數(shù)據(jù),采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁? 俗話說:以史為鑒,可以知興替。回顧過往,存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式,磁帶存儲沒有消亡,但磁盤占了主流。當(dāng)前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式,未來磁盤存儲不會消亡,但閃存勢必會占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM:抓住閃存細(xì)分市場需求

- 當(dāng)前,基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點,市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯,無論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗證,尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降,閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢必然加快。同時,隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動化四大趨勢的來臨,超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進(jìn)一步,傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求,超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場?! RAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點?! DK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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一分為二:CCOP公司在商用激光領(lǐng)域服務(wù)近25億美元市場
- 目前全球最大光纖零件供應(yīng)商、光通訊領(lǐng)域巨頭捷迪訊宣布,董事會已一致批準(zhǔn)將公司拆分為兩家獨(dú)立上市公司的計劃。 據(jù)悉,拆分后,其中一家為“光學(xué)元器件及商用激光器公司”(CCOP)由目前捷迪訊旗下的通信及商用光學(xué)產(chǎn)品部門組成,將服務(wù)于規(guī)模達(dá)到74億美元且未來四年復(fù)合增長率達(dá)11%的光通信市場。此外,CCOP公司在商用激光領(lǐng)域亦服務(wù)近25億美元的市場,年增長率預(yù)計將達(dá)到7%。 另一家為“網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)支持公司”(NSE),由目前捷迪訊旗下的網(wǎng)絡(luò)支持、服務(wù)
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蘋果、英特爾發(fā)力3D技術(shù) 3D版iPhone將出?
- 近日,臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》援引供應(yīng)鏈消息稱,蘋果正在著手開發(fā)一款不需要使用特殊玻璃的3D顯示屏。報道還聲稱,蘋果正在打造3D“軟件生態(tài)系統(tǒng)”。此外,蘋果將期望從現(xiàn)在的內(nèi)嵌觸控顯示屏技術(shù)變成可能由合作伙伴TPK供應(yīng)的新型面板,據(jù)說內(nèi)嵌觸控顯示屏無法和新的3D技術(shù)兼容。如果消息屬實,相信在不久的將來我們就可以看到蘋果推出具備3D顯示功能的iPhone了,這對于果粉而言,無疑是一個好消息。 多家公司共同研發(fā),3D技術(shù)或迎來爆發(fā) 3D技術(shù)正在變得越來越吃香,不光是蘋果,Inte
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東京大學(xué)開發(fā)出“模擬觸感全息顯示屏”

- 現(xiàn)階段,3D和全息投影技術(shù)已經(jīng)在不少場合得到了廣泛的應(yīng)用,但是與“空氣”的互動,卻沒能讓人體會到足夠的“真實感”。不過,東京大學(xué)的一個科學(xué)家團(tuán)隊,已經(jīng)開發(fā)出了一種手機(jī)檢測和超聲波反饋技術(shù),足以讓你體會到浮動按鈕的真實觸感。當(dāng)然,乍一看,你或許會以為圖標(biāo)是懸浮于物理屏幕上的。但其實,該團(tuán)隊使用了反光板來產(chǎn)生全息圖像。 這種技術(shù)被他們稱作“HaptoMime Display”(模擬接觸顯示屏),而紅外傳感器會在你伸手時觸發(fā)超聲波
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示:快7倍
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- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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市場報告:蘋果將在2015年購買全球25%閃存
- 根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告,蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。 在iPhone和iPad中,蘋果通常會配備1GB運(yùn)行內(nèi)存,而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中,使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快,不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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中芯國際進(jìn)軍閃存,自主研發(fā)38nm NAND來了

- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭,不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯,28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了,還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單,現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存,而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 中芯國際進(jìn)軍閃存,自主研發(fā)38nm NAND來了 NAND閃存的重要性不必說,目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存,目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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3d 閃存介紹
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