3d 閃存文章最新資訊

基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存

閃存存儲(chǔ)器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲(chǔ)器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中，由于FPGA沒有包括閃存，所以閃存始終是外置設(shè)備。由于閃存存儲(chǔ)器能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)內(nèi)容，它經(jīng)常用于存儲(chǔ)微處理器啟動(dòng)代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲(chǔ)器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設(shè)備與串行閃存設(shè)備的基本存儲(chǔ)技術(shù)是相同的。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器閃存串行接口

3D電影比比皆是，你真的懂3D是什么原理嗎？

3D電影現(xiàn)在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學(xué)習(xí)一下吧~~~
關(guān)鍵字： 3d原理 3D

基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

近日科學(xué)家為身在國(guó)際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
關(guān)鍵字： 3D 太空手術(shù) 創(chuàng)新技術(shù)

基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療

加拿大皇后大學(xué)人類媒體實(shí)驗(yàn)室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備，能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實(shí)。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會(huì)議.
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移動(dòng)通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長(zhǎng)，移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動(dòng)用戶連接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動(dòng)用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：移動(dòng)通信天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型

3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話，那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià)，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
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3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購買P10手機(jī)后，經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示，有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來看，以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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關(guān)于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒

　　多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為1000美元，而中檔車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價(jià)值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的
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閃存事件雖尷尬華為卻在美國(guó)再次擊退韓國(guó)企業(yè)專利訴訟圍剿

　　在對(duì)待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。　　前段時(shí)間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實(shí)粉絲大跌眼鏡。　　從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說明相關(guān)做法時(shí)，又顯得脫離用戶。　　使得疑問變質(zhì)疑最終可能
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半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”

　　面對(duì)全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2016年陜西實(shí)現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長(zhǎng)，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元，同比增長(zhǎng)50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實(shí)現(xiàn)“彎道超車”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動(dòng)作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。　　西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)轉(zhuǎn)型升級(jí) 　　近年來
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東芝閃存業(yè)務(wù)備受追捧：到日本買技術(shù)？

伴隨全球化帶來的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向上游延伸。產(chǎn)業(yè)發(fā)展也進(jìn)一步增強(qiáng)了兼收并購需求。
關(guān)鍵字：東芝閃存

手機(jī)閃存重要性解讀：不比SoC差

希望大家平時(shí)一定要注意這些消費(fèi)陷阱，買到真正優(yōu)秀的好手機(jī)。
關(guān)鍵字：閃存 SoC

賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國(guó)最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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