3d ic設(shè)計 文章 最新資訊
在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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618恐成今年補貼最后一波 IC設(shè)計坦言需求難回天
- 2025年，中國長達一個月的618檔期終于在上周正式結(jié)束。 供應(yīng)鏈人士直言，政策補貼效應(yīng)大概到第2季就已經(jīng)進入尾聲，整個618檔期大概就是這次補貼政策的最后一波銷售帶動，相比于過去每個購物節(jié)都能繳出不錯的成績單，今年的618則不如往年熱絡(luò)。業(yè)者坦言，雖然最終結(jié)算數(shù)據(jù)，比起去年好些，但因為現(xiàn)在中國各類促銷檔期都愈來愈長，顯然以往短時間沖刺的促銷動能已難以維持，多半都是以較長的促銷時間段，盡可能把更多銷售數(shù)據(jù)包含進來。即便中國從2024年底推出各種家電、消費電子產(chǎn)品的舊換新補貼政策，但IC設(shè)計業(yè)者觀察，其實近
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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2025中國IC設(shè)計公司TOP100排行榜
- EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數(shù)量較少且和IC設(shè)計強相關(guān)也暫時納入了Fabless100的排名中（此排名只統(tǒng)計了A股），幫助大家了解其相對位置。
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中
- 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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美中關(guān)稅暫時休戰(zhàn)，IC設(shè)計業(yè)者態(tài)度謹(jǐn)慎
- 據(jù)媒體報道，美國與中國在瑞士日內(nèi)瓦的談判后，宣布暫時停止關(guān)稅對抗，為期90天。雙方將關(guān)稅降低至10%，但美國對中國芬太尼的關(guān)稅仍未取消，整體新增關(guān)稅維持在30%?？萍紭I(yè)界對此反應(yīng)冷靜，主要因為此前美國已宣布部分電子產(chǎn)品暫時豁免關(guān)稅。手機、PC、網(wǎng)通與服務(wù)器等產(chǎn)品本就未受影響，此次協(xié)議則進一步降低了無線耳機、藍牙音箱、電視、游戲機等消費性電子產(chǎn)品的關(guān)稅。然而，由于這些產(chǎn)品的組裝已部分轉(zhuǎn)移至中國大陸以外地區(qū)，即使關(guān)稅下降，也難以迅速回流至中國生產(chǎn)。IC設(shè)計業(yè)者表示，客戶可能會根據(jù)關(guān)稅與生產(chǎn)成本差距，考慮將部分
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3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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IC設(shè)計業(yè)開始出現(xiàn)明顯兩極分化
- 根據(jù)TrendForce最新研究，2024年全球IC設(shè)計前十大業(yè)者，臺廠聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠再度上榜; 得益于AI熱潮的推進，英偉達不意外成為IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)霸主，更獨占前十大業(yè)者總營收的50%。TrendForce分析，AI所需高端芯片制造需要龐大資本投入和先進技術(shù)，使得市場進入門檻極高，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)開始出現(xiàn)明顯寡占現(xiàn)象; 于2024年數(shù)據(jù)指出，前五大IC設(shè)計業(yè)者的營收合計占前十大業(yè)者總營收的90%以上，代表市場資源與技術(shù)優(yōu)勢正向少數(shù)領(lǐng)先企業(yè)集中。英偉達是AI浪潮最大受惠者，去年合并營收高達1,243億美元，占前
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通過左移DRC設(shè)計規(guī)則檢查方法降低IC設(shè)計復(fù)雜性
- 最成功的半導(dǎo)體公司都知道，集成電路 （IC） 設(shè)計日益復(fù)雜，這讓我們的傳統(tǒng)設(shè)計規(guī)則檢查 （DRC） 方法不堪重負(fù)。迭代的“通過校正構(gòu)建”方法適用于更簡單的自定義布局，但現(xiàn)在卻造成了大量的運行時和資源瓶頸，阻礙了設(shè)計團隊有效驗證其高級設(shè)計和滿足緊迫的上市時間目標(biāo)的能力。為了克服這種設(shè)計復(fù)雜性，主要半導(dǎo)體公司不斷從其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴那里尋找有效的工具。西門子 EDA 是一家大型電子設(shè)計自動化 （EDA） 公司，它提供了一種新的、強大的左移驗證策略，他們對其進行了評估并宣布它改變了他們早期設(shè)計階段的游
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世
- 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動
- 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能
- 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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3d ic設(shè)計介紹
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