3d ic設(shè)計(jì) 文章進(jìn)入3d ic設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)

2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司TOP100排行榜

EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數(shù)量較少且和IC設(shè)計(jì)強(qiáng)相關(guān)也暫時(shí)納入了Fabless100的排名中（此排名只統(tǒng)計(jì)了A股），幫助大家了解其相對(duì)位置。
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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美中關(guān)稅暫時(shí)休戰(zhàn)，IC設(shè)計(jì)業(yè)者態(tài)度謹(jǐn)慎

據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)與中國(guó)在瑞士日內(nèi)瓦的談判后，宣布暫時(shí)停止關(guān)稅對(duì)抗，為期90天。雙方將關(guān)稅降低至10%，但美國(guó)對(duì)中國(guó)芬太尼的關(guān)稅仍未取消，整體新增關(guān)稅維持在30%?？萍紭I(yè)界對(duì)此反應(yīng)冷靜，主要因?yàn)榇饲懊绹?guó)已宣布部分電子產(chǎn)品暫時(shí)豁免關(guān)稅。手機(jī)、PC、網(wǎng)通與服務(wù)器等產(chǎn)品本就未受影響，此次協(xié)議則進(jìn)一步降低了無(wú)線耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、電視、游戲機(jī)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品的關(guān)稅。然而，由于這些產(chǎn)品的組裝已部分轉(zhuǎn)移至中國(guó)大陸以外地區(qū)，即使關(guān)稅下降，也難以迅速回流至中國(guó)生產(chǎn)。IC設(shè)計(jì)業(yè)者表示，客戶可能會(huì)根據(jù)關(guān)稅與生產(chǎn)成本差距，考慮將部分
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3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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IC設(shè)計(jì)業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)明顯兩極分化

根據(jù)TrendForce最新研究，2024年全球IC設(shè)計(jì)前十大業(yè)者，臺(tái)廠聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠再度上榜; 得益于AI熱潮的推進(jìn)，英偉達(dá)不意外成為IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)霸主，更獨(dú)占前十大業(yè)者總營(yíng)收的50%。TrendForce分析，AI所需高端芯片制造需要龐大資本投入和先進(jìn)技術(shù)，使得市場(chǎng)進(jìn)入門(mén)檻極高，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)明顯寡占現(xiàn)象; 于2024年數(shù)據(jù)指出，前五大IC設(shè)計(jì)業(yè)者的營(yíng)收合計(jì)占前十大業(yè)者總營(yíng)收的90%以上，代表市場(chǎng)資源與技術(shù)優(yōu)勢(shì)正向少數(shù)領(lǐng)先企業(yè)集中。英偉達(dá)是AI浪潮最大受惠者，去年合并營(yíng)收高達(dá)1,243億美元，占前
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通過(guò)左移DRC設(shè)計(jì)規(guī)則檢查方法降低IC設(shè)計(jì)復(fù)雜性

最成功的半導(dǎo)體公司都知道，集成電路（IC）設(shè)計(jì)日益復(fù)雜，這讓我們的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）方法不堪重負(fù)。迭代的“通過(guò)校正構(gòu)建”方法適用于更簡(jiǎn)單的自定義布局，但現(xiàn)在卻造成了大量的運(yùn)行時(shí)和資源瓶頸，阻礙了設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)有效驗(yàn)證其高級(jí)設(shè)計(jì)和滿足緊迫的上市時(shí)間目標(biāo)的能力。為了克服這種設(shè)計(jì)復(fù)雜性，主要半導(dǎo)體公司不斷從其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴那里尋找有效的工具。西門(mén)子 EDA 是一家大型電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）公司，它提供了一種新的、強(qiáng)大的左移驗(yàn)證策略，他們對(duì)其進(jìn)行了評(píng)估并宣布它改變了他們?cè)缙谠O(shè)計(jì)階段的游
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
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紫光國(guó)微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國(guó)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無(wú)錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國(guó)微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機(jī)定子等）、汽車(chē)、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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