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3d 閃存 文章 最新資訊

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

  • 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃存，是如何工作的？

  • NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

  • 近日，復(fù)旦大學(xué)團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達(dá)到亞納秒級別，比現(xiàn)有技術(shù)快1萬倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實驗外推可達(dá)十年以上。相關(guān)研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔(dān)任論文通訊作者。傳統(tǒng)閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質(zhì)量和聲子散射等因素，導(dǎo)致熱載流子注入效率
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務(wù)分拆計劃

  • 當(dāng)?shù)貢r間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務(wù)的分拆計劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務(wù)將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉(zhuǎn)任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專注于機械硬盤HDD業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球運營執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業(yè)務(wù)部門。不過在2022年，存
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兩項閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動作

  • DeepSeek等AI模型驅(qū)動之下，存儲器市場備受青睞。長遠(yuǎn)來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術(shù)升級與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

  • 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步?，F(xiàn)代應(yīng)用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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3d 閃存介紹

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