氮化鎵文章最新資訊

人工智能、汽車和機(jī)器人推動(dòng)氮化鎵市場繁榮

氮化鎵（GaN）已成為功率電子市場的主要增長引擎。憑借優(yōu)越的材料特性，GaN 在高頻、高效率和緊湊型電源應(yīng)用中具有獨(dú)特優(yōu)勢，推動(dòng)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域進(jìn)入新一輪的技術(shù)變革。根據(jù) TrendForce 的預(yù)測，GaN 功率器件市場預(yù)計(jì)將從 2024 年的 3.9 億美元增長到 2030 年的 35.1 億美元，復(fù)合年增長率（CAGR）為 44%。氮化鎵技術(shù)最初在消費(fèi)電子產(chǎn)品的快充器中獲得了關(guān)注，其高效率和功率密度使得充電器更小、更便攜。如今，氮化鎵應(yīng)用正迅速擴(kuò)展到需要更高可靠性和性能的高端工業(yè)和汽車領(lǐng)域。關(guān)鍵的新興應(yīng)
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N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學(xué)安娜堡分校聲稱增強(qiáng)模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀(jì)錄的小信號(hào)性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 電子器件快報(bào)，2025 年 7 月 3 日在線發(fā)表]。特別是，122GHz 的高頻率T截止頻率可實(shí)現(xiàn) 9.1GHz-μm f 的高值TxLG盡管柵極長度很短，但品質(zhì)因數(shù)很短（LG).該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為該器件結(jié)構(gòu)在高頻、高功率應(yīng)用中很有前途。研究人員認(rèn)為 N 極性氮化鎵的優(yōu)勢包括“
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氮化鎵雙向開關(guān)推動(dòng)電力電子技術(shù)變革

校對：宋清亮英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū) 技術(shù)市場總監(jiān)
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BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

BelGaN 在比利時(shí)的氮化鎵功率半導(dǎo)體工廠去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報(bào)道，有報(bào)道稱三個(gè)財(cái)團(tuán)有興趣收購該設(shè)施，主要用于光子應(yīng)用。報(bào)道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報(bào)告稱，關(guān)閉預(yù)計(jì)將使地方當(dāng)局花費(fèi)超過110萬歐元，并補(bǔ)充說，歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報(bào)道中提到的競標(biāo)者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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英飛凌加速氮化鎵推廣，而臺(tái)積電退出，預(yù)計(jì)2025年第四季度提供300毫米晶圓樣品

雖然臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強(qiáng)大的 IDM 模式，英飛凌根據(jù)其新聞稿，正在推進(jìn)其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵生產(chǎn)，首批客戶樣品定于 2025 年第四季度發(fā)布。根據(jù) 商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃于 2027 年 7 月 31 日終止其氮化鎵晶圓代工服務(wù)，稱中國競爭對手帶來的價(jià)格壓力是主要驅(qū)動(dòng)因素。自由時(shí)報(bào) 補(bǔ)充說，由于對氮化鎵的低利潤前景持懷疑態(tài)度，臺(tái)積電已決定逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)，并
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臺(tái)積電將逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)

臺(tái)積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內(nèi)逐步淘汰其化合物半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)，并援引市場動(dòng)態(tài)。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會(huì)影響其之前宣布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求，”它說。“我們的重點(diǎn)仍然是為我們的合作伙伴和市場提供持續(xù)的價(jià)值?！迸_(tái)積電的最新舉措出乎意料，因?yàn)檫@家芯片制造商在其年度報(bào)告中表示，它已經(jīng)開發(fā)了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預(yù)計(jì)將于今年開始生產(chǎn)，同時(shí)它正在開發(fā) 8 英寸 650 伏增強(qiáng)型
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瑞薩電子加大對氮化鎵的投入，競爭日益激烈

Renesas Electronics 表示，隨著市場競爭加劇，公司正在加大對其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉(zhuǎn)向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通過與大功率芯片和英飛凌技術(shù)的合作，轉(zhuǎn)向使用 200 毫米晶圓，而英飛凌技術(shù)正在準(zhǔn)備在更大的 300 毫米晶圓上進(jìn)行生產(chǎn)。Renesas 的舉措是基于與美國 Polar Semiconductor 的最近合作協(xié)議，以及在 2027 年開始在日本第二個(gè) 200 毫米晶圓廠的生產(chǎn)。該公司宣布已暫停碳
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如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化鎵技術(shù)

本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
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英飛凌推出用于高壓應(yīng)用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合

隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮?huì)快速增長。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺(tái)，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動(dòng)汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設(shè)計(jì)進(jìn)程，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)

氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對背（B2B）拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設(shè)備的平行組，以使返回到使用單向開關(guān)獲得的值?？梢詧?zhí)行此類四季度操作的單片設(shè)備可以通過用單個(gè)設(shè)備替換四個(gè)活
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桌面收納好幫手，用電安全再升級(jí)，航嘉充吧靈動(dòng) H67評測

航嘉深耕電源領(lǐng)域30余年，始終以技術(shù)創(chuàng)新與安全標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。此前航嘉推出的充吧產(chǎn)品持續(xù)迭代，如充吧高能 W68，以 68W 雙 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技術(shù)，成為桌面充電領(lǐng)域的經(jīng)典。該產(chǎn)品采用第三代氮化鎵技術(shù)，體積縮減 40% 的同時(shí)實(shí)現(xiàn) 68W 高效輸出，搭配雙 C 口盲插功能與 10 重電路防護(hù)，完美適配筆記本、手機(jī)、平板等多設(shè)備快充需求。如今，面對用戶對更便攜的高功率用電的需求，航嘉推出全新充吧靈動(dòng) H67，以 67W GaN 快充與七口聚合設(shè)計(jì)（3AC+
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意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)●? ?英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)
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九峰山實(shí)驗(yàn)室推出全國首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺(tái)

近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布國內(nèi)首個(gè)100 nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計(jì)套（PDK），性能指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流水平。作為全球第二個(gè)、國內(nèi)首個(gè)商用方案，其技術(shù)指標(biāo)可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛(wèi)星通信，能夠滿足下一代移動(dòng)通信、商用衛(wèi)星通信與航天領(lǐng)域、車聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)終端等多領(lǐng)域?qū)Ω哳l、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動(dòng)我國相關(guān)領(lǐng)域器件從“進(jìn)口替代”邁向“技術(shù)輸出”。PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計(jì)套件）是半導(dǎo)體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設(shè)計(jì)者提供工藝參數(shù)、器件模型、設(shè)計(jì)規(guī)
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拆解報(bào)告：航嘉40W氮化鎵快充充電器

本期充電頭網(wǎng)繼續(xù)為大家?guī)砗郊戊`動(dòng)F40 Pro 40W氮化鎵快速充電器的拆解，這款產(chǎn)品基于此前經(jīng)典G35 Pro款進(jìn)行設(shè)計(jì)，除新增可折疊插腳設(shè)計(jì)外，外觀以及大小等基本沒有變化，不過功率提升至40W，并且還支持20W+20W輸出，可以滿足兩部iPhone 16新機(jī)快充需求。下面一起來看看產(chǎn)品內(nèi)部有何不同。此前充電頭網(wǎng)還拆解過航嘉20W安全快充充電器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化鎵雙認(rèn)證安全快充、航嘉65W 1A1C氮化鎵快充充電器等產(chǎn)品，歡迎查閱。航嘉靈動(dòng)F40 Pro安全快充開箱包裝盒正面印
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氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內(nèi)的4名基石投資者，合共認(rèn)
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