氮化鎵文章進(jìn)入氮化鎵技術(shù)社區(qū)

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日－新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關(guān)選項(xiàng)，包括725V硅開關(guān)、1700V碳化硅開關(guān)以及其它衍生出
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巧用這三個(gè)GaN 器件輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對(duì)于這些離線反激式電源的設(shè)計(jì)者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時(shí)繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設(shè)計(jì)者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對(duì)散熱器的需求，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。然
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氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進(jìn)行中，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定

今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領(lǐng)域頭條，因?yàn)橹鹘鞘嵌嗄晗s聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場占有率第一的英飛凌。幾個(gè)月過去，這場收購案迎來了結(jié)局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
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英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購?GaN Syste
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Transphorm最新技術(shù)白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強(qiáng)型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對(duì)比

氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術(shù)文獻(xiàn)科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺(tái)固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺(tái)為實(shí)現(xiàn)常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點(diǎn)白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺(tái)的幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)導(dǎo)通電阻比
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SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項(xiàng)專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計(jì)、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應(yīng)晶體管芯片。
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AI時(shí)代的數(shù)據(jù)中心成吃電巨獸，氮化鎵會(huì)是能效救星嗎？

數(shù)位經(jīng)濟(jì)正經(jīng)歷一場由兩大趨勢驅(qū)動(dòng)的巨大變革，即時(shí)數(shù)據(jù)分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智能（Generative AI）的快速發(fā)展。一場激烈的生成式AI競賽正如火如荼的進(jìn)行中，科技巨頭如亞馬遜（Amazon)、谷歌（Google)、微軟（Microsoft）皆大舉投資生成式AI的研發(fā)創(chuàng)新。根據(jù)彭博智庫（Bloomberg Intelligence）預(yù)測，生成式AI市場將以42%的年增率成長，從2022年400億美元市值，于10年內(nèi)擴(kuò)大至1.3兆美元。在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的
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氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中達(dá)到高效率

幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量，并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設(shè)備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能量損耗，成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務(wù)器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員。氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數(shù)據(jù)中心在10年內(nèi)節(jié)省多達(dá)700萬美元的能源成本。選擇正確的 PFC 級(jí)拓
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GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺(tái)

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái)?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺(tái)，不僅效率超過鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個(gè)主要因素導(dǎo)致其效率下降（在簡化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)電阻，稱為 RDS（ON），另一個(gè)是并聯(lián)電容器稱為 C
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中國宣布出口限制之后，美國如何采購鎵？

美國靠自給能自足嗎？
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GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車應(yīng)用市場

【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動(dòng)車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實(shí)績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動(dòng)車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)下世代電動(dòng)車對(duì)尺寸微縮、輕
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意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

2023年8月3日，中國 -意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為7
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集成一顆“大腦”的ST-ONEHP數(shù)字控制器

日前，在MWC上海2023上意法半導(dǎo)體為我們帶來了各個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品及應(yīng)用，在眼花繚亂的展品中，這次我們重點(diǎn)來講講這個(gè)“小東西”——ST-ONEHP數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？對(duì)于高功率充電器和適配器我們?cè)缫巡荒吧琒T-ONEHP的內(nèi)部集成了多顆控制芯片，包括初級(jí)的PWM控制器，次級(jí)的同步整流控制器以及USB-PD協(xié)議芯片，在其次級(jí)集成了一顆ARM Cortex M0+的芯片，因此得名數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？第一，在控制上面，研發(fā)工程師在使用芯片的時(shí)候，可以通過電腦的UI直接操控這個(gè)芯片，開
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