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聚四氟乙烯 微波板 工藝 多層化
近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝在射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝開(kāi)發(fā)出高性能的下
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集成 電路設(shè)計(jì) RF 工藝 CMOS 基于
一、生產(chǎn)工藝1.工藝:a)清洗:采用超聲波清洗pcb或LED支架,并烘干。b)裝架:在LED管芯(大圓片)底部電極備上銀膠后進(jìn)行擴(kuò)張,將擴(kuò)張后的管芯(大圓片)安置在刺晶臺(tái)上,在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個(gè)一個(gè)安裝在PCB
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技術(shù) 封裝 工藝 生產(chǎn) LED
摘要:數(shù)字集成電路的不斷發(fā)展和制造工藝的不斷進(jìn)步,使得物理設(shè)計(jì)面臨著越來(lái)越多的挑戰(zhàn)。特征尺寸的減小,使得后端設(shè)計(jì)過(guò)程中解決信號(hào)完整性問(wèn)題是越來(lái)越重要?;ミB線間的串?dāng)_就是其中的一個(gè),所以在后端設(shè)計(jì)的流程
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設(shè)計(jì) 信號(hào) 預(yù)防 物理 IC 65nm 工藝 數(shù)字 基于
CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器,0 引言熱電堆紅外探測(cè)器是最早發(fā)展的一種熱紅外探測(cè)器,其工作原理基于Seebeck 效應(yīng)。這類探測(cè)器通常不需要致冷,可以常溫工作,并對(duì)較大范圍內(nèi)的紅外光響應(yīng)均勻,由于成本較低,可以大批量生產(chǎn),因此在安全監(jiān)視、醫(yī)
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CMOS 工藝 兼容 紅外探測(cè)器
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置
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方法 介紹 加密 FPGA SRAM 工藝 基于
閃光對(duì)焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù),具有無(wú)需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,焊接的零件截面越來(lái)越大,遇到了一些技術(shù)問(wèn)題,如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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焊 工藝 過(guò)程 設(shè)計(jì)方案
光刻技術(shù)類似于照片的印相技術(shù),所不同的是,相紙上有感光材料,而硅片上的感光材料——光刻膠是通過(guò)旋涂技術(shù)在工藝中后加工的。光刻掩模相當(dāng)于照相底片,一定的波長(zhǎng)的光線通過(guò)這個(gè)“底片”,在
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介紹 工藝 典型
燒結(jié)就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結(jié)成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的開(kāi)路電壓和填充因子2個(gè)關(guān)鍵因素參數(shù),使電極的接觸具有電阻特性,達(dá)到生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結(jié)過(guò)程中有利
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工藝 燒結(jié) 太陽(yáng)能電池
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用...
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工藝 分立技術(shù) 封裝技術(shù)
準(zhǔn)單晶技術(shù)總結(jié) 一,準(zhǔn)單晶的概念 準(zhǔn)單晶(Mono Like )是基于多晶鑄錠的工藝,在長(zhǎng)晶時(shí)通過(guò)部分使用單晶籽晶,獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過(guò)鑄錠的方式形成單晶硅的技術(shù),其功耗只比普通
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工藝 準(zhǔn)單晶 系統(tǒng)
工藝介紹
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