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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 工藝

全新芯片技術亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

  • IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變。”該芯片技術涉及一個配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優(yōu)化處理任務
  • 關鍵字： CPU  工藝  荷蘭  

新型存儲技術迎制程突破

  • 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
  • 關鍵字： 存儲  工藝  三星  

臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎芯片

  • 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法，以適應更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
  • 關鍵字： 臺積電  12nm  5nm  工藝  HBM4  基礎芯片  

三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

  • 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
  • 關鍵字： 三星  AI  Mach-1  原型試產(chǎn)  4nm 工藝  

臺積電準備迎接“Angstrom 14 時代”啟動尖端1.4納米工藝研發(fā)

  • 幾個月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談談臺積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發(fā)其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點之后出現(xiàn)，這意味著你可以預期它至少會在未來五年甚至更長的時間內(nèi)出現(xiàn)。著
  • 關鍵字： 臺積電  Angstrom 14  1.4納米  工藝  

Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

  • 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
  • 關鍵字： Meta  MTIA 芯片  5nm 工藝  90W 功耗  1.35GHz  

iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時間敲定

  • 4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進展。據(jù)了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開始推進1.4納米工藝節(jié)點，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時間表，iPhone 17 Pro將成為首批
  • 關鍵字： iPhone 17 Pro  臺積電  2nm  1.4nm  工藝  

英特爾重塑代工業(yè)務：按期推進 4 年 5 個節(jié)點計劃、公布 Intel 14A 路線圖、2030 要成第二大代工廠

  • IT之家 2 月 22 日消息，英特爾于北京時間今天凌晨 0 點 30 分舉辦了 IFS Direct Connect 2024，在宣布 IFS 更名為 Intel Foundry 之外，還公布了未來十年的工藝路線圖，尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工藝。英特爾在本次活動中宣布了大量的動態(tài)信息，IT之家梳理匯總如下：圖源：IntelIFS 更名為 Intel Foundry英特爾首席執(zhí)行官帕特?基辛格（Pat Gelsinger）在本次活動中，宣布 Intel Foundry S
  • 關鍵字： 英特爾  EDA  工藝  

?2023年中國半導體行業(yè)格局：突破、挑戰(zhàn)和全球影響，行業(yè)邁向2024年

  • 2023年，隨著美國技術制裁的升級，中國半導體行業(yè)面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，美國對先進芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴格。10月，美國擴大了對半導體晶圓制造設備的出口管制，從戰(zhàn)略上限制了中國對較不先進的英偉達數(shù)據(jù)中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術進步的更廣泛努力的一部分，成功說服日本和荷蘭加入限制先進半導體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應鏈的脆弱性，促使中國加大力度實現(xiàn)半導體自給自足。國家資金支持國內(nèi)生產(chǎn)較不先進的工具和零件的舉措，取得了顯著進展。然而，在開發(fā)對先進集成電路至關重要的高端光刻系統(tǒng)
  • 關鍵字： 中國  半導體  工藝  

蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能

  • 10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎款同時公布，蘋果官方在發(fā)布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
  • 關鍵字： 蘋果  M3  芯片  3nm  工藝  GPU  

“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置在武漢驗收

  • 據(jù)武漢市科技局官微消息，日前，半導體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設備——“薄膜生長”實驗裝置在武漢通過驗收，這項原創(chuàng)性突破可提升半導體芯片質(zhì)量。據(jù)悉，半導體薄膜生長是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置，由武漢大學劉勝教授牽頭，聯(lián)合華中科技大學、清華大學天津高端裝備研究院、華南理工大學、中國科學院半導體研究所、中國科學院微電子研究所等多家單位，歷時5年完成。這套“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置由“進樣腔”、“高真空環(huán)形機械手傳樣腔”等多個腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”、“超快電子成像系統(tǒng)”等多個
  • 關鍵字： 半導體  薄膜生長  工藝  

三星和臺積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎

  • 目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節(jié)點上實現(xiàn)了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報道，雖然三星和臺積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術，無論如何取舍和選
  • 關鍵字： 三星  臺積電  工藝  3nm  

蘋果英特爾削減訂單 臺積電3nm工藝生產(chǎn)計劃將受到影響

  • 據(jù)外媒報道，蘋果已經(jīng)預訂了臺積電3nm制程工藝今年的全部產(chǎn)能，用于代工iPhone 15 Pro系列搭載的A17仿生芯片和新款13英寸MacBook Pro等將搭載的M3芯片。1據(jù)悉，最初臺積電分配了約10%的3nm產(chǎn)線來完成英特爾芯片的訂單。然而由于設計延遲，英特爾決定推遲其計劃外包給臺積電的下一代中央處理器（CPU）的量產(chǎn)，這導致臺積電3nm制程工藝最初的生產(chǎn)計劃被打亂。與此同時，最新消息稱已預訂了臺積電3nm制程工藝今年全部產(chǎn)能的蘋果，也削減了訂單，所以臺積電3nm制程工藝在四季度的產(chǎn)量預計將由此前
  • 關鍵字： 蘋果  英特爾  臺積電  3nm  工藝  

蘋果A17處理器或將有兩種3nm工藝批次 芯片效能有差異

  • 蘋果將繼續(xù)在今年9月舉辦一年一度的秋季新品發(fā)布會，屆時全新的iPhone 15系列將正式與大家見面，不出意外的話該系列將繼續(xù)推出包含iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone15 Pro Max四款機型，將在不同程度上帶來升級，尤其新一代的A17芯片早就成為大家關注的焦點。根據(jù)此前曝光的消息，全新的iPhone 15系列將繼續(xù)提供與iPhone 14系列相同的四款機型，并且仍然有著明顯的兩極分化。其中兩個Pro版將會配備ProMotion顯示屏，屏幕亮度進一
  • 關鍵字： 蘋果  A17  處理器  3nm  工藝  芯片  效能  

SK海力士中國工廠增產(chǎn)“落后”工藝：內(nèi)存還要降價15％！

  • 5月4日消息，集邦咨詢最新的一份報告指出，去年10月，美國商務部對中國實施新的禁令，不允許進口18nm及更先進工藝的DRAM內(nèi)存芯片制造設備，對于廠商的布局也產(chǎn)生了深遠影響。SK海力士位于無錫的工廠雖然獲得了一年的寬限期，但考慮到未來風險，以及市場需求疲軟， SK海力士選擇在2023年第二季度將無錫工廠的月產(chǎn)能削減30％。SK海力士原計劃將無錫工廠的制造工藝從1Ynm升級為1Znm，并減少“成熟工藝”的產(chǎn)能。但在美國禁令發(fā)出后， SK海力士選擇了提高21nm成熟工藝的產(chǎn)能，并專注于DD
  • 關鍵字： SK海力士  存儲  工藝  
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工藝介紹

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