安森美文章進入安森美技術(shù)社區(qū)

安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

全新產(chǎn)品系列包括快速開關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領先行業(yè)的每開關(guān)超低導通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標準封裝2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800 V電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動汽車直流快充、
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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安森美的可持續(xù)電源方案將成為PCIM的焦點

2023年5月8日——領先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON），將在2023年5月9日至11日于德國紐倫堡舉行的領先的電力電子展覽及會議PCIM歐洲，展示其最新的可持續(xù)電源的創(chuàng)新成果。今年P(guān)CIM歐洲的主題是卓越領先的電力電子技術(shù)（Excelling in Power Electronics），安森美將在展會期間聚焦三個關(guān)鍵領域，共有五個演示區(qū)域、一個展示柜和一個專用電源墻： · &nb
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解鎖高速高精度工業(yè)應用，安森美電感式位置傳感器了解一下？

機器人和協(xié)作機器人（cobots）應用的激增，使自動化的效率和安全性得以提高，是正在進行的第四次工業(yè)革命（I4.0）的一大驅(qū)動力。為了確保對終端任務的精確控制，如在裝配線上拾取和放置物體或確保操作人員的安全，必須為每個旋轉(zhuǎn)點提供準確的角度位置測量。事實上，機器人終端功能的精度歸根結(jié)底受限于每個可動關(guān)節(jié)所能達到的累積精度。由于光學編碼器可以提供高精確度，因此在工業(yè)應用中經(jīng)常使用它們來提供旋轉(zhuǎn)位置。然而，光學編碼器價格昂貴，物料單(BOM)龐大，而且它們的性能會因為工業(yè)環(huán)境中常見的污染物和振動的存在而降低。另
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安森美2023財年第一季度業(yè)績超預期

2023年5月4日—安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)公布其2023財年第1季度業(yè)績，亮點如下：· 第1季度收入19.597億美元，同比增長1%· 第1季度公認會計原則(以下簡稱“GAAP”)和非GAAP的毛利率為46.8% · GAAP營業(yè)利潤率和非GAAP營業(yè)利潤率分別為28.8%和32.2%·&
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安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC

2023 年 4 月 28日—智能電源和智能感知技術(shù)的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車零部件供應商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應位置傳感器（CIPOS?）技術(shù)。在長達25年的合作中，兩家公司開發(fā)的創(chuàng)新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。 CIPOS?是一種感應技術(shù)，用
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應協(xié)議

2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)更強的電氣和機械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
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使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設計

之前我們介紹過快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設計。本文將詳細說明IC控制電路設計中的細節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設計等內(nèi)容。步驟 3：IC 控制電路設計如圖 1 所示，反饋配置包括：● 一個電阻分壓器，用于降低體電壓，以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮，分壓器的上層電阻通常由兩個或三個電阻構(gòu)成。否則，RFB1 的任何意外短接都會將輸出高電壓施加到控制器上并將
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

在高壓開關(guān)電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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即將亮相2023北京國際聽力學大會，安森美硬核聽力方案了解下~

輔聽耳機，音頻市場下一個突破點？助聽器無線化、智能化，安森美有什么絕招？5月26日至5月28日2023年北京國際聽力學大會——云集芯片、器件、算法、整機算法的行業(yè)盛會鎖定#B31展位聽安森美為您娓娓道來話不多說，先來劇透一波安森美的硬核展品！智能電源和智能感知技術(shù)的領導者安森美（onsemi）擁有30多年的助聽器芯片設計經(jīng)驗，是行業(yè)內(nèi)領先的助聽器芯片供應商，將在#B31展位展示一系列先進的專業(yè)數(shù)字助聽器/OTC輔聽方案，包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍牙無線OTC
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關(guān)于圖像傳感器的像素誤區(qū)

圖像傳感器的應用日益普及，特別是在安防、工業(yè)和汽車應用領域。很多汽車現(xiàn)在都配備了至少五個以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是，圖像傳感器技術(shù)不同于標準半導體技術(shù)，存在著一些錯誤認知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設著名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾（Fairchild半導體公司的創(chuàng)始人，F(xiàn)airchild半導體現(xiàn)在是安森美的一部分）指出，集成電路 (IC) 上的晶體管數(shù)量每兩年增加一倍。為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個器件上，縮小晶體管是主要實現(xiàn)方式。這種趨勢已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年，但近年晶體管數(shù)量增長
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使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關(guān)鍵步驟

本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設計，并以實際的 100W 通用電源應用為例進行說明，IC控制電路設計將在后續(xù)的推文中分享?！?nbsp; 最大輸出功率：100 W● Rms 線路電壓范圍：90 V - 264 V● 調(diào)節(jié)輸出電壓：● 低壓為 250 V（115V 電源）● 高壓為 390 V（230V 電源）NCP1623 具有多個選項，本文側(cè)重于NCP1623A，它與其他版本的主要
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate P
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安森美入選美國《巴倫周刊》2023 年美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單

2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術(shù)的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，公司入選《巴倫周刊》美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單?！栋蛡愔芸吩u估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會和管治 (ESG) 方面的230項績效指標，排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動評選以來，安森美已連續(xù)六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執(zhí)行和披露可持續(xù)發(fā)展及 ESG 目標方面的領導力，公司在其年度可持續(xù)發(fā)展報告中介紹相關(guān)指標及其進展情況，并根據(jù)全球報
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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]