安森美文章進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)

關(guān)于圖像傳感器圖像質(zhì)量的四大誤區(qū)！你踩過幾個坑？

當(dāng)前我們對圖像傳感器的依賴程度超出了大多數(shù)人的想象。圖像傳感器應(yīng)用在汽車上，幫助我們避免碰撞；應(yīng)用于建筑監(jiān)控，防止非法入侵；應(yīng)用于生產(chǎn)線，檢查產(chǎn)品的質(zhì)量。有趣的是，人們經(jīng)常按照像素大小和分辨率等非常簡單的指標(biāo)，對圖像傳感器進(jìn)行分類，但為不同應(yīng)用選擇合適的傳感器要比這復(fù)雜得多。分辨率我們依賴傳感器來探測危險，或檢測產(chǎn)品中的缺陷，因而傳感器的圖像質(zhì)量至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員和最終用戶通常認(rèn)為，更高的分辨率（即圖像中的像素更多）可以增強(qiáng)圖像質(zhì)量，但情況并非總是如此。更高的分辨率固然可以保留圖像的銳化邊緣和精細(xì)細(xì)節(jié)
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提升馬達(dá)控制驅(qū)動器整合度、最大化靈活性

本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種換向方法在復(fù)雜性、力矩波動和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；同時提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達(dá)控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達(dá)的機(jī)械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達(dá)控制需要一個電子換向電路。本文簡要回顧BLDC馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復(fù)雜性、力矩波動和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達(dá)控制
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基于Diodes AP43771 & 安森美 NCP81239 PD3.0車用充電方案

隨著支援快速充電的智能手機(jī)越來越多，當(dāng)你使用過“快速充電”規(guī)格之后，那種“回不去”的感覺應(yīng)該印象深刻吧！目前許多 110v~240v 電源充電器已經(jīng)對應(yīng) QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下簡稱 QC 4.0+) & PD快速充電規(guī)格，那.....車上呢？此方案提供 USB Type-C 快速充電的?Power Delivery (PD3.0) 充電模式，讓你在車上也可以享受快速充電帶來的便利，以下為此方案針對各別IC功能簡易介
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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MOSFET選得好，極性反接保護(hù)更可靠

當(dāng)車輛電池因損壞而需要更換時，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會導(dǎo)致大量 ECU 故障。ISO（國際標(biāo)準(zhǔn)化組織）等汽車標(biāo)準(zhǔn)定義了電氣電子設(shè)備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行。與極性反接保護(hù) (RPP) 相關(guān)的一種標(biāo)準(zhǔn)是 ISO 7637-2:2011，它復(fù)制了實(shí)際應(yīng)用中的各種電壓場景，系統(tǒng)需要承受此類電壓以展示其能夠防范故障的穩(wěn)健性。這使得極性反接保護(hù)成為連接電池的 ECU/系統(tǒng)的一個關(guān)鍵組成部分，所有汽車制造
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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碳化硅如何革新電氣化趨勢

在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計(jì)指南（三）：設(shè)計(jì)要點(diǎn)和PCB布局指南

本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O(shè)計(jì)中的要點(diǎn)和PCB布局指南。設(shè)計(jì)驅(qū)動器VCC時，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項(xiàng)？對于所使用的驅(qū)動器，要設(shè)計(jì)一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅(qū)動器使能到首次柵極輸出的時間。
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高集成度、最大化靈活度的電機(jī)控制驅(qū)動器

三相永磁無刷直流（以下簡稱“BLDC”）電機(jī)控制需要一個電子換向電路，而傳統(tǒng)的有刷直流電機(jī)是采用機(jī)械自換向的方式。與有刷直流電機(jī)不同，BLDC電機(jī)沒有電刷，無需定期維護(hù)或更換，因而不易受到磨損。我們將簡要介紹 BLDC 電機(jī)的結(jié)構(gòu)和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會介紹一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，可以以單個電機(jī)控制集成電路(IC)實(shí)施三種換向方法中的任何一種。BLDC結(jié)構(gòu)BLDC
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約29.35億元，全球半導(dǎo)體再現(xiàn)12英寸廠出售案

近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區(qū)的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團(tuán)隊(duì)增加了1,000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達(dá)成協(xié)議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，3.3億美元在2022年底支付。根據(jù)協(xié)議，安森美幾年內(nèi)可在該廠增
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安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠所有權(quán)轉(zhuǎn)讓完成

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團(tuán)隊(duì)帶來了1000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師人才。在過去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長遠(yuǎn)發(fā)展，大力投資于300毫米的生產(chǎn)能力，以加快公司在電源、模擬和感知產(chǎn)品的增長，并優(yōu)化制造成本結(jié)構(gòu)。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來了先進(jìn)的CMOS制造能力--包括生產(chǎn)圖像傳感
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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計(jì)指南（二）：電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時間

本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計(jì)以及死區(qū)時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅(qū)動器電源時應(yīng)注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實(shí)現(xiàn)可靠的隔離式柵極驅(qū)動器性能至關(guān)重要。建議選擇具有適當(dāng)電壓額定值、溫度系數(shù)和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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安森美第四季度業(yè)績超預(yù)期,宣布30億美元股票回購計(jì)劃

安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業(yè)績，亮點(diǎn)如下：●? ?第4季度收入21.036億美元，同比增長14%●? ?第4季度公認(rèn)會計(jì)原則(以下簡稱“GAAP”) 毛利率分別48.5%，同比增長343基點(diǎn)，非公認(rèn)會計(jì)原則(以下簡稱“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增長321基點(diǎn)●? ?第4季度破紀(jì)錄汽車行業(yè)收入9.89億美元，同比增長54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]