安森美文章進入安森美技術社區(qū)

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無論電路板是
關鍵字：安森美 MOSFET

關于圖像傳感器圖像質量的四大誤區(qū)！你踩過幾個坑？

當前我們對圖像傳感器的依賴程度超出了大多數人的想象。圖像傳感器應用在汽車上，幫助我們避免碰撞；應用于建筑監(jiān)控，防止非法入侵；應用于生產線，檢查產品的質量。有趣的是，人們經常按照像素大小和分辨率等非常簡單的指標，對圖像傳感器進行分類，但為不同應用選擇合適的傳感器要比這復雜得多。分辨率我們依賴傳感器來探測危險，或檢測產品中的缺陷，因而傳感器的圖像質量至關重要。系統(tǒng)設計人員和最終用戶通常認為，更高的分辨率（即圖像中的像素更多）可以增強圖像質量，但情況并非總是如此。更高的分辨率固然可以保留圖像的銳化邊緣和精細細節(jié)
關鍵字：安森美圖像傳感器

提升馬達控制驅動器整合度、最大化靈活性

本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達的工作原理，并介紹兩種換向方法在復雜性、力矩波動和效率方面的特點、優(yōu)點和缺點；同時提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達的機械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達控制需要一個電子換向電路。本文簡要回顧BLDC馬達的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復雜性、力矩波動和效率方面的特點、優(yōu)點和缺點；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達控制
關鍵字：馬達控制驅動器 BLDC 安森美

基于Diodes AP43771 & 安森美 NCP81239 PD3.0車用充電方案

隨著支援快速充電的智能手機越來越多，當你使用過“快速充電”規(guī)格之后，那種“回不去”的感覺應該印象深刻吧！目前許多 110v~240v 電源充電器已經對應 QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下簡稱 QC 4.0+) & PD快速充電規(guī)格，那.....車上呢？此方案提供 USB Type-C 快速充電的?Power Delivery (PD3.0) 充電模式，讓你在車上也可以享受快速充電帶來的便利，以下為此方案針對各別IC功能簡易介
關鍵字： Car Charger Diodes AP43771 安森美 NCP81239 PD3.0

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
關鍵字：安森美 GaN 驅動器 PCB

MOSFET選得好，極性反接保護更可靠

當車輛電池因損壞而需要更換時，新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池，因而此類事件可能會導致大量 ECU 故障。ISO（國際標準化組織）等汽車標準定義了電氣電子設備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統(tǒng)安全可靠地運行。與極性反接保護 (RPP) 相關的一種標準是 ISO 7637-2:2011，它復制了實際應用中的各種電壓場景，系統(tǒng)需要承受此類電壓以展示其能夠防范故障的穩(wěn)健性。這使得極性反接保護成為連接電池的 ECU/系統(tǒng)的一個關鍵組成部分，所有汽車制造
關鍵字：安森美

5大重要技巧讓您利用 SiC 實現高能效電力電子產品！

當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
關鍵字：安森美 SiC

氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
關鍵字：安森美 GaN PCB

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算

與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關（開通和關斷）損耗，而二極管損耗
關鍵字：安森美 IGBT

碳化硅如何革新電氣化趨勢

在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
關鍵字：安森美碳化硅

使用隔離式柵極驅動器的設計指南（三）：設計要點和PCB布局指南

本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰(zhàn)經驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O計中的要點和PCB布局指南。設計驅動器VCC時，關于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅動器，要設計一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅動器使能到首次柵極輸出的時間。
關鍵字：安森美柵極驅動

高集成度、最大化靈活度的電機控制驅動器

三相永磁無刷直流（以下簡稱“BLDC”）電機控制需要一個電子換向電路，而傳統(tǒng)的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同，BLDC電機沒有電刷，無需定期維護或更換，因而不易受到磨損。我們將簡要介紹 BLDC 電機的結構和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會介紹一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，可以以單個電機控制集成電路(IC)實施三種換向方法中的任何一種。BLDC結構BLDC
關鍵字：安森美電機控制

約29.35億元，全球半導體再現12英寸廠出售案

近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區(qū)的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達成協(xié)議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，3.3億美元在2022年底支付。根據協(xié)議，安森美幾年內可在該廠增
關鍵字： 12英寸安森美

安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠所有權轉讓完成

領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團隊帶來了1000多名世界一流的技術專家和工程師人才。在過去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長遠發(fā)展，大力投資于300毫米的生產能力，以加快公司在電源、模擬和感知產品的增長，并優(yōu)化制造成本結構。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來了先進的CMOS制造能力--包括生產圖像傳感
關鍵字：安森美格芯紐約東菲什基爾工廠

使用隔離式柵極驅動器的設計指南（二）：電源、濾波設計與死區(qū)時間

本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰(zhàn)經驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅動器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動器的電源、濾波設計以及死區(qū)時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅動器電源時應注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實現可靠的隔離式柵極驅動器性能至關重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
關鍵字：安森美柵極驅動器

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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是計算機、通信、消費產品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]