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臺(tái)積電.晶圓代工 文章 最新資訊

在臺(tái)積電財(cái)報(bào)發(fā)布前：10 家券商就 Q3 展望、匯率壓力、資本支出計(jì)劃等發(fā)表意見

  • 隨著臺(tái)積電的財(cái)報(bào)電話會(huì)議即將到來(lái)（7月17日），國(guó)內(nèi)外券商紛紛發(fā)表關(guān)鍵預(yù)測(cè)。雖然臺(tái)積電第二季度的營(yíng)收強(qiáng)勁達(dá)到319億美元（新臺(tái)幣9338億），超過(guò)了284億至292億美元的指引，分析師現(xiàn)在預(yù)計(jì)第三季度的銷售額將大致持平甚至略有下降。以下是十家主要券商對(duì)臺(tái)積電明天財(cái)報(bào)電話會(huì)議三個(gè)關(guān)鍵話題的見解。Q3 和全年?duì)I收展望摩根大通、摩根士丹利和富邦的分析師主要將臺(tái)積電第二季度的強(qiáng)勁營(yíng)收歸因于晶圓價(jià)格上漲和客戶在關(guān)稅之前提前下單。但第三季度可能會(huì)更具挑戰(zhàn)性，券商預(yù)計(jì)該季度將持平——從個(gè)位數(shù)低增長(zhǎng)（中金公司、瑞銀、大和
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國(guó)內(nèi)最后一家 12 英寸晶圓廠 AMS 宣告失敗—又一家芯片項(xiàng)目失敗案例

  • 江蘇先進(jìn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體（AMS）已發(fā)布聲明正式宣布其重組計(jì)劃失敗。這不僅標(biāo)志著我國(guó)最后一家 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目的最終崩潰，也成為了該國(guó)未完成的科技企業(yè)浪潮的典型案例，正如新浪所指出。報(bào)告指出，AMS 的重組工作始于 2023 年 7 月。當(dāng)時(shí)，這家公司——曾計(jì)劃投資 130 億元人民幣建設(shè) 12 英寸晶圓廠——被破產(chǎn)清算。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，其核心資產(chǎn)包括一臺(tái)價(jià)值 1.43 億元人民幣的 ASML 光刻機(jī)。AMS 的失敗凸顯了我國(guó)在積極推動(dòng)新建半導(dǎo)體項(xiàng)目過(guò)程中面臨的更廣泛?jiǎn)栴}。據(jù) Tom’s Hardwar
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臺(tái)積電面臨關(guān)稅壓力，特朗普威脅半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)

  • 在特朗普政府持續(xù)的關(guān)稅威脅中，以臺(tái)積電為中心的臺(tái)灣半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的焦慮正在上升。與三星電子和 SK 海力士不同，臺(tái)積電宣布計(jì)劃投資超過(guò) 1000 億美元，以應(yīng)對(duì)特朗普政府上臺(tái)后的關(guān)稅政策。據(jù)悉，不僅臺(tái)積電，其制造合作伙伴也在增加對(duì)美國(guó)的投資，但隨著特朗普的關(guān)稅威脅持續(xù)存在，對(duì)這種情況的不滿正在公開表達(dá)。10日據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的中國(guó)臺(tái)灣制造業(yè)決心制定應(yīng)對(duì)美國(guó)關(guān)稅的策略?！吨袊?guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道稱，“由于美國(guó)關(guān)稅導(dǎo)致訂單量減少、半導(dǎo)體關(guān)稅負(fù)擔(dān)以及強(qiáng)勢(shì)新臺(tái)幣的壓力，中國(guó)臺(tái)灣制造業(yè)擔(dān)心本月底將成為&
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臺(tái)積電6月營(yíng)收環(huán)比暴跌17.7%，強(qiáng)勢(shì)新臺(tái)幣打擊制造行業(yè)

  • 7 月 10 日，臺(tái)積電公布了 2025 年 6 月的凈收入。合并營(yíng)收約為 2,637.1 億新臺(tái)幣，較 2025 年 5 月減少 17.7%，與 2024 年 6 月相比增加 26.9%。據(jù)工商時(shí)報(bào)援引投資者的話稱，環(huán)比下跌主要是由于新臺(tái)幣升值。正如《商業(yè)時(shí)報(bào)》所指出的，雖然對(duì) AI 和 HPC 的需求保持穩(wěn)定，但 6 月份新臺(tái)幣兌美元的大幅升值導(dǎo)致出口收入下調(diào)。此外，報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，季度末庫(kù)存調(diào)整進(jìn)一步壓低了月收入。據(jù)《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電第二季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣 9,337.9 億元，較上季增長(zhǎng) 11.
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GaN代工模型是否面臨問(wèn)題？Innoscience參與臺(tái)積電2027退出

  • 雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動(dòng)了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，中國(guó)英諾賽科董事會(huì)主席羅偉偉解釋說(shuō)，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報(bào)告中所引用的，Luo 解釋說(shuō)，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，不會(huì)對(duì)代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對(duì)于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報(bào) （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
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臺(tái)積電第二季度同比增長(zhǎng) 39%

  • 臺(tái)積電第二季度的收入為 31 美元。90 億，同比增長(zhǎng) 38.6%。6 月收入為 90 億美元，環(huán)比下降 17.7%，同比增長(zhǎng) 26.9%。1 月至 6 月的收入為 600 億美元，同比增長(zhǎng) 40%。AI 和 HPC 約占收入的 59%，同比增長(zhǎng) 46%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)全年增長(zhǎng)在 20% 左右。
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據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于 2028 年在美國(guó)破土動(dòng)工建設(shè)先進(jìn)封裝工廠，首期將采用 SoIC 技術(shù)

  • 隨著 TSMC 加速其在美國(guó)的擴(kuò)張，其第三個(gè)亞利桑那州晶圓廠取得進(jìn)展，但仍需將尖端芯片——例如用于 NVIDIA 的芯片——運(yùn)回中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)行先進(jìn)封裝。但這種情況即將改變。據(jù) MoneyDJ 報(bào)道，這家晶圓巨頭計(jì)劃于 2028 年在美國(guó)建造兩座先進(jìn)封裝工廠，采用 SoIC（系統(tǒng)級(jí)芯片）和 CoPoS（芯片面板基板）技術(shù)。盡管自由時(shí)報(bào)之前報(bào)道選址仍在審查中，但 MoneyDJ 表示，這些設(shè)施預(yù)計(jì)將建在第三個(gè)亞利桑那州晶圓廠（F21 P3）旁邊，該晶圓廠將采用 N2 和 A16 工藝技術(shù)
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Cadence 將擴(kuò)大與三星晶圓廠的合作

  • 7 月 8 日，Cadence通過(guò)其微信公眾號(hào)正式宣布，這家美國(guó)公司最近決定擴(kuò)大與三星晶圓廠的合作。雙方已簽署一項(xiàng)新的多年 IP 協(xié)議，以擴(kuò)展Cadence?存儲(chǔ)器和接口 IP 解決方案在三星晶圓廠先進(jìn) SF4X、SF5A 和 SF2P 工藝節(jié)點(diǎn)的部署。這些解決方案將支持人工智能數(shù)據(jù)中心、汽車系統(tǒng)和下一代射頻連接的高性能、低功耗應(yīng)用。通過(guò)結(jié)合Cadence的 AI 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和硅解決方案與三星的先進(jìn)制造技術(shù)，這項(xiàng)合作旨在加速基于三星領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)的尖端系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）、芯片和 3D-IC 產(chǎn)品的上市時(shí)間（TT
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BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬(wàn)歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

  • BelGaN 在比利時(shí)的氮化鎵功率半導(dǎo)體工廠去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報(bào)道，有報(bào)道稱三個(gè)財(cái)團(tuán)有興趣收購(gòu)該設(shè)施，主要用于光子應(yīng)用。報(bào)道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報(bào)告稱，關(guān)閉預(yù)計(jì)將使地方當(dāng)局花費(fèi)超過(guò)110萬(wàn)歐元，并補(bǔ)充說(shuō)，歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報(bào)道中提到的競(jìng)標(biāo)者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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臺(tái)積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計(jì)劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來(lái)自中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不斷上升的價(jià)格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。Liberty Times 補(bǔ)充說(shuō)，由于對(duì) GaN 的低利潤(rùn)率前景持懷疑態(tài)度，臺(tái)積電已決定逐步退出其
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臺(tái)積電歐洲首個(gè)芯片設(shè)計(jì)中心鎖定德國(guó)慕尼黑，同步啟動(dòng)“歐洲制造計(jì)劃”

  • 全球半導(dǎo)體巨頭臺(tái)積電正式披露其歐洲戰(zhàn)略布局，首站鎖定德國(guó)科技重鎮(zhèn)慕尼黑。臺(tái)積電歐洲業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人保羅·德博特在新聞發(fā)布會(huì)上確認(rèn)，這座具有里程碑意義的芯片設(shè)計(jì)中心將于今年三季度正式啟用。這將是臺(tái)積電在歐洲的首個(gè)芯片設(shè)計(jì)中心，標(biāo)志著其傳統(tǒng)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變，重點(diǎn)服務(wù)歐洲市場(chǎng)在智能汽車、工業(yè)4.0、AI運(yùn)算及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的尖端芯片需求。巴伐利亞州經(jīng)濟(jì)事務(wù)負(fù)責(zé)人休伯特·艾萬(wàn)格在歡迎致辭中強(qiáng)調(diào)：“這一戰(zhàn)略投資印證了本地區(qū)作為歐洲科技心臟的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。從寶馬、西門子等終端用戶到ASML等設(shè)備供應(yīng)商，我們構(gòu)建了完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。
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臺(tái)積電加快了對(duì)亞利桑那州芯片綜合體的投資，因?yàn)槿峭七t了德克薩斯州的晶圓廠

  • 根據(jù)兩份新報(bào)告，臺(tái)積電和三星電子正在將其在美國(guó)的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向。《華爾街日?qǐng)?bào)》今天援引消息人士的話說(shuō)，臺(tái)積電正在加速對(duì)其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)耗資超過(guò) 1800 億美元。 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，以便為其在亞利桑那州的加速投資計(jì)劃提供更多資源。后一項(xiàng)計(jì)劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個(gè)龐大的制造中心，該中心將容納九個(gè)不同的設(shè)施。該中心預(yù)計(jì)將滿負(fù)荷雇用 6,000 名專業(yè)
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英飛凌加速氮化鎵推廣，而臺(tái)積電退出，預(yù)計(jì)2025年第四季度提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強(qiáng)大的 IDM 模式，英飛凌根據(jù)其新聞稿 ，正在推進(jìn)其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵生產(chǎn)，首批客戶樣品定于 2025 年第四季度發(fā)布。根據(jù) 商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃于 2027 年 7 月 31 日終止其氮化鎵晶圓代工服務(wù)，稱中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手帶來(lái)的價(jià)格壓力是主要驅(qū)動(dòng)因素。 自由時(shí)報(bào) 補(bǔ)充說(shuō)，由于對(duì)氮化鎵的低利潤(rùn)前景持懷疑態(tài)度，臺(tái)積電已決定逐步淘汰其氮化鎵業(yè)務(wù)，并
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據(jù)報(bào)道三星押注4-7納米工藝，價(jià)格比臺(tái)積電高出30%，瞄準(zhǔn)中國(guó)尚未進(jìn)入的市場(chǎng)

  • 雖然英特爾已從 18A 轉(zhuǎn)向 14A 進(jìn)行戰(zhàn)略權(quán)衡，據(jù)報(bào)道三星通過(guò)優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié)，根據(jù) ZDNet。同時(shí)，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過(guò)將這些節(jié)點(diǎn)的價(jià)格定價(jià)比臺(tái)積電低約 30%來(lái)提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無(wú)法企及的領(lǐng)域。Chosun Biz 報(bào)道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過(guò) SF4U 提升約 20%的能效來(lái)贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學(xué)縮小技術(shù)來(lái)
  • 關(guān)鍵字： 三星  3nm  晶圓代工  

三星押注4-7納米工藝，與臺(tái)積電相比有30%價(jià)格差距

  • 根據(jù) ZDNet 的數(shù)據(jù)，雖然英特爾已將重點(diǎn)從 14A 轉(zhuǎn)移到 18A，但據(jù)報(bào)道，三星通過(guò)優(yōu)先考慮 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥協(xié)。與此同時(shí)，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過(guò)使節(jié)點(diǎn)定價(jià)比臺(tái)積電低約 30% 來(lái)增加對(duì) 7nm 以下工藝的需求——中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍然無(wú)法企及。Chosun Biz 表示，對(duì)于其 4nm 工藝，三星的目標(biāo)是通過(guò) SF4U 將能效提高約 20% 來(lái)贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一種優(yōu)質(zhì)的 4nm 變體，使
  • 關(guān)鍵字： 三星  7納米  臺(tái)積電  
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