三星電子 文章 進(jìn)入三星電子技術(shù)社區(qū)
三星電子將引入VCT技術(shù),未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息,三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖,計(jì)劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝(1d nm)后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時,三星電子曾面臨兩種選擇:1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比,三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm,VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度,三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì),集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
- 關(guān)鍵字: 三星電子 VCT DRAM
地都賣了,三星電子與ASML半導(dǎo)體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎?
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元(約1萬億韓元),在大都市地區(qū)建立極紫外(EUV)研究中心,致力于打造面向未來的半導(dǎo)體制造設(shè)備以保持三星在先進(jìn)工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對這次合作,ASML特別與韓國土地住宅公社(LH)簽訂了在京畿道華城購買6個地塊(約 19,000 平方米)的合同以建設(shè)研發(fā)中心。不過最近這項(xiàng)計(jì)劃可能出現(xiàn)了一些變動, ASML最近出售了其中的兩塊地塊,并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊,但ASML似乎沒有計(jì)劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
- 關(guān)鍵字: 三星電子 ASML EUV
三星電子計(jì)劃上調(diào)存儲器價格
- 根據(jù)韓國媒體Pulse的報道,復(fù)雜國際形勢下,三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進(jìn)行價格調(diào)整的談判,三星計(jì)劃對DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)行3%至5%的提價。報道指出,在過去的幾個月里,存儲器芯片的需求因?yàn)榭蛻舻膬湫袨槎眲∩仙?,這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前,該公司由于市場供應(yīng)過剩和需求疲軟,長期維持穩(wěn)定價格。然而,隨著國際形勢以及存儲市場變化,加上競爭對手宣布提價,三星也開始加入漲價陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%,而NAND閃存的價格也將隨著需求
- 關(guān)鍵字: 三星電子 存儲器
韓媒:三星智能眼鏡“海岸”項(xiàng)目正開發(fā)中,或于年底面世
- 據(jù)韓國媒體 etnews 最新報道,三星電子在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域又有新動作,除了正在推進(jìn)的頭顯產(chǎn)品 Project Moohan 外,公司還在秘密研發(fā)一款代號為“??”(海岸)的智能眼鏡。據(jù)悉,這款智能眼鏡預(yù)計(jì)將于今年年底正式發(fā)布,為市場帶來新的驚喜。雖然具體規(guī)格尚未公布,但據(jù)透露,三星在這款智能眼鏡的人體工學(xué)設(shè)計(jì)上投入了大量精力,力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是,這款智能眼鏡并未配備傳統(tǒng)的遙控器或按鈕,而是可能采用了更為先進(jìn)的手勢交互技術(shù)。etnews 推測,眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器,以
- 關(guān)鍵字: 三星電子 智能穿戴 智能眼鏡
傳三星2nm SF2工藝初始良率達(dá)30%
- 據(jù)韓媒報道,三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源,以確保其按時量產(chǎn),且已在試產(chǎn)中獲得初步成功,其2nm工藝(SF2)的良率達(dá)到了高于預(yù)期的30%。這一工藝被預(yù)期在今年下半年進(jìn)行量產(chǎn),并且這一良品率還有望進(jìn)一步提升。報道中稱,SF2是三星晶圓代工部門計(jì)劃在2025年下半年推出的最新制程技術(shù),采用第三代GAA技術(shù)。與SF3制程技術(shù)相較,SF2性能有望提高12%,能效提高25%,而芯片面積微縮5%。有消息稱,Exynos 2600預(yù)計(jì)將用在計(jì)劃于2026年第一季發(fā)表的Galaxy
- 關(guān)鍵字: 三星電子 SF2 芯片制程
消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作,聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存
- 12 月 3 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道,三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能(AI)的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報道提到,兩家公司已經(jīng)確定,有必要建立聯(lián)盟,以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱,三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段,正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(JEDEC)注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目的適當(dāng)規(guī)格。▲ 圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計(jì)
- 關(guān)鍵字: 三星電子 SK 海力士 內(nèi)存
現(xiàn)代、起亞與三星電子攜手合作,以加強(qiáng)軟件定義汽車的用戶體驗(yàn)
- 意義:現(xiàn)代汽車和起亞汽車日前已與三星電子建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,旨在加強(qiáng)軟件定義車輛(SDV)與智能手機(jī)之間的整合。此次合作將在現(xiàn)代汽車全球軟件中心42dot的技術(shù)支持下,重點(diǎn)開發(fā)下一代信息娛樂系統(tǒng)并打造一個開放的出行生態(tài)系統(tǒng)。目標(biāo)是開發(fā)一個用戶友好的汽車環(huán)境,將車載信息娛樂系統(tǒng)與三星計(jì)劃于2026年推出的SmartThings物聯(lián)網(wǎng)(IoT)平臺進(jìn)行整合。展望:現(xiàn)代汽車集團(tuán)計(jì)劃打造一個將出行解決方案與基礎(chǔ)設(shè)施相結(jié)合的智慧城市平臺。這一舉措將支持公司向軟件驅(qū)動型出行服務(wù)提供商轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略,旨在構(gòu)建一個連接數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字: 現(xiàn)代汽車 起亞 三星電子 軟件定義汽車
三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

- 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款A(yù)M9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業(yè)提
- 關(guān)鍵字: 三星電子 V-NAND 車載SSD
三星首款!第八代V-NAND車載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s
- 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級溫度測試標(biāo)準(zhǔn),在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫速度。其中,讀取速度高達(dá)4700MB/s,寫入速度高達(dá)1
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資,目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
- IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝,各家的 1c nm(或?qū)?yīng)的 1γ nm)產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 三星電子
消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬億韓元低息貸款,擴(kuò)張運(yùn)營
- IT之家 7 月 1 日消息,據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道,三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元(IT之家備注:當(dāng)前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣)低息貸款,用于業(yè)務(wù)擴(kuò)張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股,是韓國唯一的政策性金融機(jī)構(gòu),主要為韓國國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計(jì)劃”。作為該計(jì)劃的一部分,韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)放 17 萬億韓元低息貸款,其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓,而中小
- 關(guān)鍵字: 三星電子 SK 海力士
三星電子宣布成功構(gòu)建其首個紅帽認(rèn)證的CXL基礎(chǔ)設(shè)施
- 今日,三星電子宣布已成功構(gòu)建其首個經(jīng)紅帽(Red Hat,全球領(lǐng)先的開源解決方案提供商)認(rèn)證的Compute Express Link?(CXL?)基礎(chǔ)設(shè)施。這意味著從CXL相關(guān)產(chǎn)品到軟件,構(gòu)成服務(wù)器的各種元素現(xiàn)在都可以在位于韓國華城的三星存儲器研發(fā)中心 (SMRC) 直接進(jìn)行驗(yàn)證。一旦CXL產(chǎn)品通過三星驗(yàn)證,即可立即注冊成為"紅帽認(rèn)證"產(chǎn)品,從而大大加快產(chǎn)品開發(fā)速度。三星電子構(gòu)建首個紅帽認(rèn)證的CXL基礎(chǔ)設(shè)施作為該基礎(chǔ)設(shè)施的首個成果,三星本月成功驗(yàn)證了其CMM-D產(chǎn)品,這也是
- 關(guān)鍵字: 三星電子 紅帽認(rèn)證 CXL基礎(chǔ)設(shè)施
傳三星電子正擴(kuò)大半導(dǎo)體封裝聯(lián)盟
- 據(jù)Business Korea報道,三星電子預(yù)計(jì)今年將擴(kuò)大其2.5D和3D MDI(多芯片集成)聯(lián)盟,新增十名成員。業(yè)界認(rèn)為,三星電子此舉旨在試圖縮小與臺積電的技術(shù)差距。根據(jù)報道,MDI聯(lián)盟由三星電子于2023年6月發(fā)起,旨在應(yīng)對移動和HPC應(yīng)用芯片市場的快速增長,三星電子將與其合作伙伴公司以及、存儲、基板封裝和測試領(lǐng)域的主要參與者進(jìn)行合作。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 半導(dǎo)體封裝
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
