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三星(samsung) 文章 最新資訊

臺積電漲價卻滿手訂單 韓媒低頭認三星2大敗筆

  • 臺積電3納米產能供不應求，預期訂單滿至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價調整上看5％以上，先進封裝明年年度報價也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價三星并未獲得轉單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價格，而是高良率與先進制程的可靠生產力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達執(zhí)行長黃仁勛6月初在臺北國際計算機展期間，曾表示支持臺積電提高代工價格，并表示蘋果、高通等也將會接受臺積電漲價。由于臺積電3納米供應嚴重短缺，產生繼續(xù)漲價的空間，報導續(xù)
  • 關鍵字： 臺積電  三星  3納米  

NAND市場，激戰(zhàn)打響

  • 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
  • 關鍵字： 三星  第九代 V-NAND  

AI人才爭奪戰(zhàn)白熱化！ 三星出招應對員工跳槽英偉達

  • 隨著AI風潮席卷全球，相關人才爭奪戰(zhàn)已經逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達更是許多工程師心中的夢幻企業(yè)。不過據韓媒報導，在英偉達大力吸引韓國在內的全球工程師之際，人才流失嚴重的三星電子也不甘示弱從英偉達挖角，連臺積電、美光與英特爾等半導體廠商都成為挖角對象。 韓國《朝鮮日報》以招聘平臺領英的數(shù)據所做的分析結果顯示，在英偉達的員工當中，有515人（以加入領英為基準）來自三星電子，而三星則從英偉達挖走278人。面對龐大的人才流失，三星除了從英偉達挖角，還從臺積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來自于
  • 關鍵字： AI  人才爭  三星  英偉達  

三星殺進英偉達后院？投資GPU撈過界

  • 不當AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元 （GPU）領域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達正面競爭。業(yè)界認為，此投資案可望強化三星在GPU領域競爭力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導體制造流程，而不是推出新款GPU產品，游戲玩家別期待了。 韓媒Business Korea報導，三星投資GPU的細節(jié)并未對外揭露，但這次決策與以往專注于內存、晶圓代工等服務有所不同，格外引人矚目。部分市場人士解讀，這項投資是三星的內部策略，目的在于利用GPU來提升半導體制程創(chuàng)新，而不是要開發(fā)、制造GP
  • 關鍵字： 三星  英偉達  GPU  

4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點

  • 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
  • 關鍵字： 4nm  2nm  三星  晶圓廠  制程節(jié)點  

通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產正?；?NAND 閃存產業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務器、智能手機和 PC 產業(yè)復蘇緩慢導致的
  • 關鍵字： DRAM  閃存  三星  海力士  

有望改變 AI 半導體規(guī)則，消息稱三星電子年內將推出 HBM 三維封裝技術 SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
  • 關鍵字： HBM  內存  三星  

三星公布新工藝節(jié)點，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產

  • 據韓媒報道，當?shù)貢r間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術戰(zhàn)略?；顒又?，三星公布了兩個新工藝節(jié)點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網絡（BSPDN）技術，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規(guī)模生產。與第一代2nm技術相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。
  • 關鍵字： 三星  晶圓代工  SF2Z  SF4U  

三星Galaxy Watch FE進軍入門智能手表市場

  • 三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結耐用的藍寶石玻璃設計及亮眼外型、完善的運動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動通訊
  • 關鍵字： 三星  Galaxy Watch FE  智能手表   

降低對臺積電的依賴！高通考慮臺積電三星雙代工模式

  • 6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示，公司正在認真評估臺積電、三星雙源生產戰(zhàn)略。據悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
  • 關鍵字： 臺積電  高通  臺積電  三星  代工  

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術

  • 美中貿易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
  • 關鍵字： GAA  臺積電  三星  

三星公布芯片制造技術路線圖，增強AI芯片代工競爭力

  • 據彭博社報道，當?shù)貢r間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術路線圖，以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預測，到2028年，其人工智能相關客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍。報道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關芯片的一系列布局。在其公布的技術路線圖中，一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網絡技術。據三星介紹，該技術與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時還能顯著降低電壓降。三星還強調了其在邏輯、內存和先進封裝方面的綜合能力。三星認為，這將有助于公司贏
  • 關鍵字： 三星  芯片制造  AI芯片  代工  

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，計劃進軍共封裝光學領域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結構方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
  • 關鍵字： 三星  1.4nm  晶圓代工  

三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網絡）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產推出。BSPDN 技術將芯片的供電網絡轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關鍵技術：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
  • 關鍵字： 三星  工藝制程  BSPDN  

英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

  • 近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產品的質量問題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。此前，三星也堅決否認有關其高帶寬存儲（HBM）產品未能達到英偉達質量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
  • 關鍵字： 英偉達  黃仁勛  三星  HBM3e  
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三星(samsung)介紹

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