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三星(samsung) 文章 最新資訊

2024年折疊手機品牌市占率預估:三星50.4%,華為30.8%

  • 2024年折疊手機出貨量約1,780萬部,占智能手機市場僅約1.5%,由于高維修率、高售價的問題待解決,預計至2028年占比才有機會達到4.8%。三星(Samsung)初入市場作為折疊手機的先驅之姿,在2022年占據了超過八成市場份額,從2023到2024年間,開始面臨隨著多家智慧型手機品牌廠加入競爭,市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機的重要角色華為(Huawei),在2023年推出4G吸睛小折Pocket S,市場銷量成績優(yōu)異,推動了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數,達12%。20
  • 關鍵字: 三星  華為  手機  

新型存儲技術迎制程突破

  • 近日,三星電子對外表示,8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成,正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術,屬于面向嵌入式領域的MRAM(磁阻存儲器)。與傳統DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數據,同時寫入速度是NAND的1000倍數?;谏鲜鎏匦?,業(yè)界看好eMRAM未來前景,尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中,eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一,致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
  • 關鍵字: 存儲  工藝  三星  

華為折疊屏手機出貨量猛增257%,首登榜首

  • 根據Counterpoint Research的最新報告,2024年第一季度,全球可折疊智能手機市場同比增長49%,創(chuàng)下了六個季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉,各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%;從出貨量的同比變化來看,華為同比增長257%,三星同比減少42%,榮耀同比增長460%,摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機的銷量猛增257%,市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機:例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
  • 關鍵字: 華為  折疊屏  手機  榮耀  三星  摩托羅拉  

三星預先起訴Oura,以防范潛在專利糾紛

  • 6月4日消息,據engadget報道,隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近,該公司已采取法律行動,對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出,Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術競爭對手提起訴訟,并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動。“Oura的一系列行為和公開聲明顯示,他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內的其他進入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權,”訴訟文件中寫道,該訴訟最早由科技新聞網站The Verge報道?!癘ura對Galaxy Rin
  • 關鍵字: 三星  Oura  專利  

三星1nm量產計劃或將提前至2026年

  • 據外媒報道,三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。據了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工,并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。報道中稱,三星加速量產1nm工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(
  • 關鍵字: 三星  1nm  晶圓  

一季度全球可穿戴腕帶設備蘋果、小米、華為分列前三

  • Canalys最新數據顯示,2024年第一季度,全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺,與去年同期基本持平。廠商方面,2024年第一季度,蘋果持續(xù)兩位數的下滑,但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一;小米依托其腕帶類豐富的產品組合和海外的快速擴張,同比增長38%,以15%的份額位列第二;華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨,同比增長46%,以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備,推出新品手環(huán)Galaxy Fit3,同比實現4%增長,以7%的份額位列第四;Noise受印度市場整體市場表現不佳的影響,一
  • 關鍵字: 可穿戴  蘋果  小米  華為  三星  

臺積電領先中國大陸、美國多少?專家爆最短只剩2年

  • 瑞銀舉辦亞洲投資論壇,首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起,每年提升生產力至少1%,同時他也看好臺積電與三星,其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年,為長期最具吸引力的投資選擇。香港經濟日報報導,瑞銀亞洲投資論壇在香港登場,會中暢談全球經濟脈動與股市發(fā)展,提到目前最熱門的人工智能議題,Andrew Garthwaite表示,生成式人工智能技術屬于輕資本,且目前已經有20%的個人計算機開放支持,擁有前所未有的覆蓋率,預估2028年開始,生成式人工
  • 關鍵字: 臺積電  三星  

三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據外媒報道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據三星電子高管預測,到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
  • 關鍵字: 三星  NAND  存儲  

三星否認HBM3E品質問題,聲明巧妙回避

  • 有報導稱,三星的高頻寬存儲器(HBM)產品因過熱和功耗過大等問題,未能通過Nvidia品質測試,三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱,三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試,強調將繼續(xù)合作,確保品質和可靠性。三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應,努力提高所有產品品質和可靠性,也嚴格測試HBM產品的品質和性能,以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
  • 關鍵字: 三星  內存  HBM  

李強會見三星李在镕,呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作

  • 當地時間5月26日下午,國務院總理李強在首爾出席第九次中日韓領導人會議期間會見韓國三星集團會長李在镕。李強表示,三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個生動縮影。隨著兩國經濟持續(xù)發(fā)展、新興產業(yè)不斷涌現,合作的前景將越來越廣闊。李強進一步強調,外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量,歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴大對華投資合作,分享更多中國新發(fā)展帶來的新機遇。在會見期間,李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領域的合作。李強表示,希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數字經濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領域深挖合作
  • 關鍵字: 三星  人工智能  AI  

三星集團會長李在镕:堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè)

  • IT之家 5 月 27 日消息,據新華社報道,當地時間 5 月 26 日下午,在首爾舉行的第九次中日韓領導人會議期間,韓國三星集團會長李在镕表示將“堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報道稱,李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況,感謝中國政府為三星在華生產經營提供的大力支持,表示三星將堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè),繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱,三星正在提高中國大陸手機產量,將 JDM(共同開發(fā)設計制造)產品產量從 4400 萬臺提升至 67
  • 關鍵字: 三星  手機  

三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試,“正改善質量”

  • 5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”,同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產品。在目前已量產的 H
  • 關鍵字: 三星  HBM  內存芯片  英偉達  

三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試

  •  5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”,同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產品。在目前已量產的
  • 關鍵字: 三星  存儲  HBM  英偉達  

爭奪英偉達訂單?三星或不惜代價確保第二代3納米良率

  • 繼HBM之后,三星電子2024年的首要任務就是在代工業(yè)務方面搶下GPU大廠英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是,隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風險,三星電子迫切尋求機會,為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導,根據市場人士20日的透露,三星電子的晶圓代工部門已經在內部制定「Nemo」計劃,也就是要贏得英偉達3納米制程的代工訂單,成為2024年的首要任務。市場人士透露,三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴,把對英偉達的相關接單工作列為優(yōu)先。不過,現階段三星代工部門內并未成立專門的組織。事實
  • 關鍵字: 三星  英偉達  MCU  

良率不及臺積電4成!三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗

  • 全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程,不過據韓媒指出,三星3nm制程目前良率僅有20%,相較于臺積電N3B制程良率接近55%,還不及臺積電良率的4成,使得三星在爭奪英偉達(NVIDIA)代工訂單受挫。外媒分析稱,三星恐怕要在先進制程上多加努力,才有可能與臺積電競爭,留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說,本月初EDA大廠新思科技曾宣布,三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統單芯片(SoC),基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案(tape out)。外界認為,該芯
  • 關鍵字: 良率  臺積電  三星  3nm  英偉達  
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三星(samsung)介紹

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