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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營官我們正在按計劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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驅(qū)動電路設(shè)計（一）—— 驅(qū)動器的功能綜述

驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些驅(qū)動器的功能。每一個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動器，功率開關(guān)在系統(tǒng)中會承受高壓大電流，如何使得功率半導(dǎo)體優(yōu)雅地開通和關(guān)斷，驅(qū)動電路功不可沒。另外，驅(qū)動電路還需要承擔(dān)功率開關(guān)保護(hù)的重任，檢測短路工況，快速柔和地關(guān)斷。驅(qū)動器的大類功率半導(dǎo)體驅(qū)動是一種值得研究的技術(shù)，驅(qū)動對象不同、應(yīng)用系統(tǒng)要求不同，對驅(qū)動電路的要求也
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英飛凌成立新業(yè)務(wù)部門加強(qiáng)傳感器和射頻產(chǎn)品組合，推動盈利增長

2月13日消息，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務(wù)部門，將當(dāng)前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務(wù)部門隸屬于電源與傳感系統(tǒng)（PSS）事業(yè)部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關(guān)業(yè)務(wù)。通過整合在傳感器和射頻技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢，英飛凌充分利用成本與研發(fā)的協(xié)同效應(yīng)，加速創(chuàng)新并為客戶創(chuàng)造更大的價值，從而增強(qiáng)自身的競爭力和產(chǎn)品上市策略。預(yù)計到 2027 年，傳感器和射
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英飛凌成立新業(yè)務(wù)部門加強(qiáng)傳感器和射頻產(chǎn)品組合

全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布成立一個新的業(yè)務(wù)部門，將當(dāng)前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務(wù)部門隸屬于電源與傳感系統(tǒng)（PSS）事業(yè)部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關(guān)業(yè)務(wù)。英飛凌科技傳感器單元與射頻業(yè)務(wù)部門負(fù)責(zé)人Thomas Schafbauer博士通過整合在傳感器和射頻技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢，英飛凌充分利用成本與研發(fā)的協(xié)同效應(yīng)，加速創(chuàng)新并為客戶創(chuàng)造更大的價值，從而增強(qiáng)自身的競爭力和
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān)校對宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
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英飛凌2025財年開局略優(yōu)于預(yù)期，因匯率影響上調(diào)全年業(yè)績展望

●? ?2025財年第一季度：營收為34.24億歐元，利潤為5.73億歐元，利潤率 16.7%?！? ?2025財年第二季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05，預(yù)計營收約為36億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤率預(yù)計為14%~16%左右?！? ?2025財年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預(yù)計營收將與上一財年持平或略有增長（之前預(yù)測為較前一年度略有下降）。調(diào)整后的毛利率預(yù)計在40%左右，利潤率為14%~19%。預(yù)計投資額約
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英飛凌推出基于MEMS的集成式先進(jìn)超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機(jī)械超聲波傳感器（CMUT）技術(shù)方面取得重大進(jìn)展。憑借這項(xiàng)技術(shù)，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強(qiáng)大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應(yīng)用和改進(jìn)消費(fèi)電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域的現(xiàn)有應(yīng)用。英飛凌科技高級總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認(rèn)為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)出一個服務(wù)于不同行業(yè)多種應(yīng)用場景的產(chǎn)品平
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當(dāng)兩個或多個導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因?yàn)闊崃吭趥鬟f過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復(fù)雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來的好處。熱橫向擴(kuò)散除了熱阻熱容，另一個影響半導(dǎo)體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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