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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 　　英飛凌

功能安全最佳搭擋：AURIX? TC4x 和 OPTIREG? PMIC TLF4x功能安全概覽

  • 引言?AURIX?TM?作為英飛凌 32位 汽車級 MCU 家族的產品之一，其第二代產品 AURIX?TM?TC3x 已經是汽車界公認的功能安全設計優(yōu)秀的產品，獲得了良好的業(yè)內口碑。這也是源于英飛凌從?AURIX?TM?第一代產品 TC2x 開始，就秉持功能安全的理念按照 ISO 26262 : 2011 設計出第一款支持 ASIL-D 最高安全等級的 MCU 產品。AURIX?TM?功能安全概念經歷了 T
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AURIX? TC4x CDSP介紹及應用

  • 引言英飛凌微AURIX? TC4x控制器中的CDSP-Converter Digital Signal Processor是一種專門設計用于實現(xiàn)高性能可編程的數(shù)字信號處理和控制單元。其核心是Synopsys DesignWare???ARC???EM5D(ARC) 32位的處理器。CDSP用于進行后處理來自Delta-Sigma ADC(DSADC)、外部調制器(EXMOD)、時分復用ADC(TMADC)、載波模式幅度(CARMAG)或通用寄存器(GP)的信號等等。
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AURIX? TC4x 硬件支持包助您實現(xiàn)初期開發(fā)，加速開發(fā)進程

  • 01前言英飛凌 AURIX? TC4x系列微控制器嵌入式代碼支持包使您能夠使用Simulink為英飛凌32位TriCore? TC1.8 AURIX? TC4x系列微控制器設計實時應用程序，以及英飛凌 AURIX? TC4x系列系統(tǒng)級芯片塊集支持包使您能夠使用Simulink為英飛凌 AURIX? TC4x系列PPU設計實時應用程序。支持包包含了外設和IO模塊諸如 Digital IO, TMADC, DSADC, PWM,
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AURIX? TC4x GETH對時間敏感網絡的支持介紹

  • 1.前言如今以太網已成為所有車內通信的主干網，標準以太網作為一種基于Best Effort的通信協(xié)議，無法應對新一代汽車發(fā)展的一些需求，比如：時間敏感型流量和應用；在共享網絡上的不同服務質量要求(Qualities of Service QoS)；可靠性和延遲要求。時間敏感網絡(TSN)是標準以太網在汽車等特定應用環(huán)境下的增強功能實現(xiàn)。時間敏感網絡(TSN)有可能通過建立通用標準打開實時以太網市場，把以太網發(fā)展成為一個強大可靠的通信框架，從而滿足時間敏感型應用的特定需求。本文將對AURIX? TC4x G
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AURIX? TC4x虛擬化技術詳解

  • 引言在之前的《AURIX? TC4x虛擬化技術助力下一代汽車EE架構設計》一文中，我們已經介紹了嵌入式虛擬化的發(fā)展歷史，基本概念，使用案例，它的優(yōu)勢以及當前面臨的挑戰(zhàn)。接下來，我們將深入探討TC4x對虛擬化技術的硬件支持，軟件開發(fā)流程以及現(xiàn)有的軟件Demo。1. AURIX? TC4x虛擬化硬件架構AURIX? TC4x在硬件上全面支持虛擬化技術，包括CPU虛擬化，內存虛擬化，中斷虛擬化，外設虛擬化以及虛擬機之間的IPC通信（如圖1所示）圖1 ?AURIX? TC4x虛擬化架構2.?C
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應用指南導讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局

  • 作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）?！秲?yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局》應用指南 ，主要討論了在使用高壓氮化鎵（GaN）功率晶體管時，如何通過優(yōu)化PCB布局來提升整體電氣性能和熱性能。以下是文件的核心內容提煉：1引言高
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功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，在單管里是標稱電流的3倍或4倍，模塊由于考慮多芯片并聯(lián)等因素，關斷電流能力定義為標稱電流的2倍。在實際系統(tǒng)設計中，器件輸出電流能力往往受限于芯片的
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  

英飛凌推出RASIC? CTRX8191F雷達MMIC，賦能新一代4D和高清成像雷達

  • 對實現(xiàn)下一階段自動駕駛和自主駕駛而言，在密集的城市環(huán)境中探測行人是一項挑戰(zhàn)。為達到SAE定義的L2+至L4自動駕駛要求，開發(fā)新一代4D和成像雷達至關重要。在此背景下，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了其最新、最先進的RASIC? CTRX8191F 28nm雷達單片微波集成電路（MMIC）的最終樣品。CTRX8191F專為滿足自動駕駛的要求而設計，具有高性能、低系統(tǒng)成本的特點，并將推動新一代雷達成像模塊的開發(fā)。CTRX8191F雷達MMIC具有更強大的性能，且信
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

  • 英飛凌1992年開始碳化硅技術研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領碳化硅技術發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業(yè)與基礎設施領域的應用和
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技術洞察 | 英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?產品，升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需求

  • 前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數(shù)據中心機架的AC和DC配電系統(tǒng)進行架構升級，重在減少從電網到核心設備的電力轉換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
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道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)將英飛凌評為全球最具可持續(xù)發(fā)展能力的公司之一

  • ●? ?英飛凌連續(xù)第15次入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)?！? ?公司在落實積極的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略方面持續(xù)取得進展?！? ?道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)是投資者根據經濟、環(huán)境和社會標準衡量全球最佳表現(xiàn)企業(yè)的基準。英飛凌科技管理委員會成員兼首席數(shù)字化轉型與可持續(xù)發(fā)展官Elke Reichart英飛凌科技股份公司入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展世界指數(shù)和道瓊斯可持續(xù)發(fā)展歐洲指數(shù)。這是英飛凌連續(xù)第15次入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)，體現(xiàn)了英飛凌在企業(yè)可持續(xù)發(fā)展方面一貫的卓越表現(xiàn)。該基
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30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
  • 關鍵字： 碳化硅  零碳技術  英飛凌  

英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  

英飛凌攜手億緯鋰能打造下一代電池管理系統(tǒng)

  • 根據合作備忘錄，英飛凌將提供整套芯片解決方案，包括微控制單元（MCU）、電池均衡和監(jiān)測IC、電源管理IC、驅動、MOSFET、CAN和傳感器產品。通過采用這些解決方案，億緯鋰能的電池管理系統(tǒng)將擁有高度的安全性、可靠性以及更加優(yōu)化的成本，而且能夠更加準確地監(jiān)測、保護和優(yōu)化電動汽車（EV）的電池性能，提升用戶的駕駛體驗和車輛的能效。電池監(jiān)控和平衡IC TQFP-48-8組合電氣化的快速發(fā)展推動了對先進電池解決方案的需求。英飛凌領先的電池管理IC與億緯鋰能先進的電池技術將共同為下一代智能電池組奠定基礎。英飛凌通
  • 關鍵字： 億緯鋰能  電池管理系統(tǒng)  英飛凌  

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  
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