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三星集團(tuán)會長李在镕：堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)

  • IT之家 5 月 27 日消息，據(jù)新華社報道，當(dāng)?shù)貢r間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導(dǎo)人會議期間，韓國三星集團(tuán)會長李在镕表示將“堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報道稱，李在镕介紹了三星集團(tuán)在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營提供的大力支持，表示三星將堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)，繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻(xiàn)。此前消息稱，三星正在提高中國大陸手機(jī)產(chǎn)量，將 JDM（共同開發(fā)設(shè)計制造）產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬臺提升至 67
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量”

  • 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試

  •  5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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爭奪英偉達(dá)訂單？三星或不惜代價確保第二代3納米良率

  • 繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務(wù)就是在代工業(yè)務(wù)方面搶下GPU大廠英偉達(dá)(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風(fēng)險，三星電子迫切尋求機(jī)會，為英偉達(dá)打造第二代3納米制程的供應(yīng)鏈。韓國媒體報導(dǎo)，根據(jù)市場人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經(jīng)在內(nèi)部制定「Nemo」計劃，也就是要贏得英偉達(dá)3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務(wù)。市場人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對英偉達(dá)的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過，現(xiàn)階段三星代工部門內(nèi)并未成立專門的組織。事實
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達(dá)訂單失敗

  • 全球半導(dǎo)體大廠韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達(dá)（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報導(dǎo)說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計定案（tape out）。外界認(rèn)為，該芯
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三星任命新CEO，隨著AI對內(nèi)存需求的增加，公司希望重新奪回市場份額

  • 三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設(shè)備解決方案部負(fù)責(zé)人。設(shè)備解決方案部是三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導(dǎo)這一部門。在董事會和股東批準(zhǔn)后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執(zhí)行官。三星采用雙CEO系統(tǒng)，一位CEO負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，另一位負(fù)責(zé)設(shè)備體驗（手機(jī)、顯示器等）。根據(jù)三星的說法，Jun的主要目標(biāo)是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強(qiáng)其競爭力?！盝un接替了現(xiàn)任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現(xiàn)在取代Jun擔(dān)任未來業(yè)務(wù)部的負(fù)責(zé)人，該部門于2023年成立，旨在
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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OLED中國廠商表現(xiàn)強(qiáng)勁：出貨量前五名獨占四席

  • 2024年第一季度全球OLED面板市場出貨量排名出爐，最新數(shù)據(jù)顯示中國廠商在OLED面板市場的表現(xiàn)令人矚目，前五名中獨占四席。隨著技術(shù)進(jìn)步和市場需求增加，預(yù)計未來中國將繼續(xù)成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，全球智能手機(jī)面板市場在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長約24.4%。三星依然以42.4%的市場份額保持全球OLED智能手機(jī)面板市場的領(lǐng)頭羊地位，掌握著全球手機(jī)近一半市場。三星OLED面板利潤也是行業(yè)最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用，還有iP
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三星HBM3E沒過英偉達(dá)驗證，原因與臺積電有關(guān)

  • 存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達(dá)驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗證。外媒報導(dǎo)，三星至今未通過英偉達(dá)驗證，是卡在臺積電。身為英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺積電也是英偉達(dá)驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標(biāo)準(zhǔn)，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數(shù)多少有影響。三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％

  • 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預(yù)計明年
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實現(xiàn)

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實現(xiàn)？

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價格年內(nèi)也不會
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三星電子已停止自動駕駛汽車研究

  • 5月14日消息，近日，據(jù)外媒報道，三星電子已停止自動駕駛汽車研究，并且將研發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域。負(fù)責(zé)三星中長期發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已經(jīng)將自動駕駛排除在研究項目之外，將開發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域，作為三星中長期發(fā)展的一部分。在2023年的公開活動中，三星電子曾透露，由SAIT研發(fā)的自動駕駛技術(shù)已接近"L4級"，并在2022年10月在韓國完成了長達(dá)200公里的測試，且開發(fā)了自動駕駛汽車的半導(dǎo)體、顯示器和傳感器等相關(guān)技術(shù)。然而，由于開發(fā)難度超出預(yù)期、高級別自動就愛是商業(yè)化困
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