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CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢

作者:復旦大學國家專用IC與系統(tǒng)重點實驗室副主任 洪志良 時間:2004-12-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

2004年8月A版

摘  要:本文介紹目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的射頻電路的體系結構和電路設計,設計實例將展示射頻電路的良好性能,并預示射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路實現(xiàn)系統(tǒng)集成。

引言

  根據(jù)今年國際固體電路年會的報告,集成電路(IC)的最大市場莫過于網(wǎng)絡設備,移動電話和消費類電子。中國已經(jīng)是IC第三大市場,潛在的市場令世人矚目,其中移動電話用戶數(shù)量在世界上占第一位。藍牙技術是短距離無線控制和通信,無線局域網(wǎng)是近距離數(shù)據(jù)通信,移動電話和全球定位系統(tǒng)是無線通信最主要應用市場。由于對信噪比和發(fā)送功率要求低,藍牙和無線局域網(wǎng)的無線收發(fā)器已經(jīng)采用CMOS電路,但是用于移動電話的無線收發(fā)電路對信噪比要求高,目前商用的仍然采用雙極電路和砷化鎵電路。但是實驗室的研究已經(jīng)達到了商用的性能,CMOS射頻電路在手機上的商用已經(jīng)清晰可見。

CMOS射頻收發(fā)器體系結構

  傳統(tǒng)的射頻收發(fā)電路普遍采用超外差結構,這種成熟的體系結構需要采用二級混頻和片外聲表面濾波器,成本高。正在研發(fā)的CMOS低中頻或直接轉換體系結構(如圖1所示)只需要采用一級混頻,同時能節(jié)省片外聲表面濾波器。但是直接轉換的體系結構需要克服直流失調等問題。

  采用CMOS射頻收發(fā)電路的最大優(yōu)點是可以和基帶處理器(數(shù)字電路)及A/D、D/A轉換器(混合信號電路)集成于一個芯片。單片集成的含射頻、基帶及模數(shù)、數(shù)模轉換電路使電路可靠性好,功耗低和成本低。單片集成CMOS無線通信電路是目前研究熱點,正走上商業(yè)化。

CMOS射頻IC電路設計

  采用直接轉換的CMOS射頻IC主要有低噪聲放大器、混頻電路、功率驅動電路和頻率綜合電路等射頻單元組成。在射頻領域,我們更多注意的是功率傳輸和放大,其中低噪聲放大器的電路圖如圖2所示。

  它的核心技術是輸入阻抗匹配和輸出負載的設計,片上電感作為負載可以獲得較高的增益和頻率特性,為了抑制共模電平,差分結構的低噪聲放大器也經(jīng)常采用。國內已有CMOS混頻器報導采用吉爾布特乘法單元的混頻電路如圖3所示,混頻器的性能主要是線性度,在提高線性度方面,目前有人采用電感負載和共源極電流耦合輸入。功率驅動電路一般會采用二級功率放大的電路(如圖4所示),為了滿足不同射頻系統(tǒng)的需要和保證輸出功率,功率驅動電路需要考慮增益控制電路和封裝、連線及引腳的分布參數(shù)。為了得到低噪聲時鐘和低相位噪聲的正交信號,采用片上電感和變容二極管的LC信頻壓控器(VCO)(如圖5)及二分頻正交信號產(chǎn)生器是一種好的選擇。

  采用倍頻VCO可以減少射頻信號對VCO的牽引和VCO對信號的泄漏。Sigma-Delta分數(shù)分頻能夠進一步降低VCO的相位噪聲。

設計實例

  根據(jù)上述的電路選擇,本文分別設計了低中頻(2MHz中心頻率)體系結構和直接轉換的藍牙、無線局域網(wǎng)和WCDMA射頻電路。圖6是單片集成的CMOS射頻收發(fā)電路芯片照片,芯片左上角是正交時鐘產(chǎn)生電路,右下角是功率放大電路,右上角是復數(shù)濾波器。

  本電路在深亞微米CMOS工藝線流片后,對各功能塊進行測試,電路達到了設計的要求,能夠滿足藍牙接收芯片必須的功耗和性能。

 
參考文獻:

1.  Yrjoe Neuvo,‘Cellular-Phones as Embedded Systems’ Proceeding of ISSCC 2004, PP. 32-37

2.  Chi Baoyong, Shi Bingxue,‘CMOS Mixers for 2.4GHz WLAN Transceivers’半導體學報,Vol.24,472,May 2003.



關鍵詞: CMOS 其他IC 制程

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