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英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

—— 助推汽車電氣化進(jìn)程
作者: 時(shí)間:2025-09-05 來(lái)源:EEPW 收藏

隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速,市場(chǎng)對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長(zhǎng)——不僅乘用車領(lǐng)域如此,電動(dòng)兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持,例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí),能夠應(yīng)對(duì)技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者科技股份公司近日宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合,推出新型車規(guī)級(jí)150V 產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動(dòng)汽車的嚴(yán)苛要求量身打造,并提供三種先進(jìn)封裝選項(xiàng):TOLL、TOLG和TOLT。

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TOLL封裝的OptiMOS? 6產(chǎn)品組合

這款新型車規(guī)級(jí)系列是基于第六代OptiMOS?技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。所有型號(hào)均提供兩種漏源電阻級(jí)別,額定電壓等級(jí)均為150V,并在同級(jí)別中實(shí)現(xiàn)最低的RDS(on),最低可達(dá)2.5 mΩ。這一特性能有效降低導(dǎo)通損耗,并顯著提升整體效率。在多個(gè)并聯(lián)配置時(shí),柵極閾值電壓(VGS(th))的緊密分布特性可實(shí)現(xiàn)理想的同步性能,這對(duì)高功率汽車系統(tǒng)尤為重要。新產(chǎn)品的另一個(gè)特點(diǎn)是在高頻應(yīng)用中呈現(xiàn)極低的開(kāi)關(guān)損耗,可在諸如現(xiàn)代DC/DC轉(zhuǎn)換器等高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中高效運(yùn)行。在熱性能方面,該產(chǎn)品各型號(hào)的熱阻值可低至0.4 K/W,大幅提升了散熱能力。這種優(yōu)勢(shì)不僅減少了系統(tǒng)級(jí)散熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性與需求,還顯著降低了相關(guān)成本,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)更加經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。

三種封裝各具優(yōu)勢(shì):10x12 mm2 TO無(wú)引線(TOLL)封裝可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì);10x12 mm2 TOLG封裝與TOLL的布局兼容并采用鷗翼引腳設(shè)計(jì),具有優(yōu)異的熱機(jī)械應(yīng)力抗性;10x15 mm2 TOLT封裝采用頂部散熱設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)層面的高效熱量傳導(dǎo),非常適用于空間受限環(huán)境中的高熱負(fù)荷應(yīng)用。此外,OptiMOS? 6 150 V MOSFET已通過(guò)英飛凌汽車質(zhì)量的最高標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,其性能超越AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求。同時(shí),這些器件還支持生產(chǎn)零件批準(zhǔn)程序(PPAP),可輕松滿足最高等級(jí)的汽車生產(chǎn)要求。綜合這些特性,工程師能夠在有限的預(yù)算內(nèi)針對(duì)特定性能需求優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

供貨情況

OptiMOS? 6 車規(guī)級(jí)150V MOSFET系列的TOLL、TOLG和TOLT封裝版本現(xiàn)已上市。


關(guān)鍵詞: 英飛凌 MOSFET 汽車電氣化

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