據(jù)報道CXMT將DDR5芯片的量產(chǎn)推遲到2025年底
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據(jù) Digitimes 報道，長鑫內(nèi)存技術(shù) （CXMT） 不得不將其 DDR5 內(nèi)存設(shè)備的量產(chǎn)推遲到 2025 年底，以提高質(zhì)量。然而，根據(jù)同一份報告，該公司的 DDR5 IC 的質(zhì)量現(xiàn)在似乎與南亞相當(dāng)。產(chǎn)量、質(zhì)量的提高以及 CXMT 不斷擴大的產(chǎn)能相結(jié)合，不僅會讓規(guī)模較小的臺灣供應(yīng)商，也會讓全球參與者擔(dān)心 CXMT 對市場的影響。
質(zhì)量和產(chǎn)量困擾著 CXMT 的 DDR5
據(jù)報道，事態(tài)出乎意料的是，CXMT 去年年底開始生產(chǎn)其 DDR5 內(nèi)存，這讓業(yè)界擔(dān)心這家總部位于中國的 DRAM 制造商計劃用廉價的 DDR5 IC 充斥市場。后來，有消息稱，CXMT 正在使用過時的（可能是其第 4 代 DRAM 節(jié)點）工藝技術(shù)來制造其 16 GB DDR5 設(shè)備，這就是為什么與三星生產(chǎn)的 40 GB DDR16 IC 相比，它們大 5%。這意味著與三星的 DDR5 芯片相比，CXMT 的 DDR5 DRAM 的構(gòu)建成本要高得多，這使得此類設(shè)備充斥市場特別困難且無利可圖。
但成本并不是 CXMT DDR5 芯片唯一報告的問題。據(jù)稱，2025 年初對 CXMT 的 DDR5 樣品進行的早期測試暴露了在 60°C 左右（密集系統(tǒng)中 DDR5 內(nèi)存模塊的常見溫度）下的穩(wěn)定性問題，以及在零度以下溫度下運行的問題。這些問題使基于 CXMT DDR5 IC 的模塊無法滿足可靠性標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)報道，CXMT 不得不改變其 DDR5 設(shè)備的設(shè)計，以至于必須制造新的光掩模（這是一個昂貴的過程），據(jù)報道，這解決了在高溫或低溫下運行的問題。
因此，CXMT 不得不推遲其 DDR5 內(nèi)存的量產(chǎn)。據(jù) DigiTimes 報道，內(nèi)部人士最初預(yù)計量產(chǎn)將在 2025 年 5 月或 6 月左右開始，但到 7 月，沒有證據(jù)表明量產(chǎn)。事實證明，盡管熱能取得了進步，但CXMT生產(chǎn)線的良率仍然相對較低，徘徊在50%以上，這對于商用DRAM來說是不可接受的。Digitimes 供應(yīng)鏈消息人士表示，CXMT 需要更多的改進和運營經(jīng)驗才能達到與行業(yè)平均水平具有競爭力的產(chǎn)量，這將進一步延遲批量生產(chǎn)。目前，該公司的目標(biāo)是到 2025 年底大規(guī)模制造 DDR。
提高質(zhì)量
據(jù) DigiTimes 報道，最近對 CXMT DDR5 模塊的測試表明，質(zhì)量和性能有了顯著飛躍，現(xiàn)在據(jù)說幾乎與臺灣的南亞科技相當(dāng)。如果這些產(chǎn)品經(jīng)過領(lǐng)先的 PC 制造商或模塊產(chǎn)品的驗證，它們的驗證將表明 CXMT 正在縮小與成熟 DRAM 供應(yīng)商的差距。當(dāng)然，由于良率問題，這些部件尚未進入大批量生產(chǎn)，因此就目前而言，CXMT很難被視為DDR5市場上的競爭對手。
西方企業(yè)或?qū)⑼顺鼍S修
據(jù)報道，盡管 CXMT 已經(jīng)提高了其 DDR5 IC 的質(zhì)量，并有望提高產(chǎn)量，但該公司仍面臨重大挑戰(zhàn)。
首先，根據(jù) TechInsights 的數(shù)據(jù)，CXMT 的 16 GB DDR5 制造成本高于其他公司的類似芯片，因為 CXMT 的 G4 制造技術(shù)的特征尺寸約為 16nm，這對應(yīng)于三星的第 3 代 10nm 級節(jié)點該公司于 2021 年初推出。
其次，由于CXMT的G4制造工藝具有16納米的特征尺寸，晶圓廠設(shè)備制造商無法再在中國維護用于制造此類存儲芯片的工具，因為美國在2022年實施的出口規(guī)則禁止在中國出貨或維護可用于在18納米以上的節(jié)點上制造DRAM的晶圓設(shè)備。如果CXMT的供應(yīng)商（包括美國、歐洲和日本公司）無法再支持該公司的工具或向DRAM制造商供應(yīng)備件或原材料，這將使該公司提高良率或批量生產(chǎn)其DDR5內(nèi)存變得特別困難。
目前，CXMT 仍在不斷擴大產(chǎn)能
與美國、日本或臺灣的DRAM制造商不同，CXMT是國家資助的實體，旨在提高中國半導(dǎo)體生產(chǎn)的自給自足能力。這種利用國家資源的能力使 CXMT 比競爭對手更具戰(zhàn)略優(yōu)勢，使其即使在質(zhì)量和產(chǎn)量問題的情況下也能繼續(xù)擴大產(chǎn)能。
摩根士丹利估計，CXMT 2024 年的產(chǎn)能約為每月 170,000 片 300 毫米晶圓開工 （WSPM），今年的計劃是將產(chǎn)量提高到每月高達 240,000 片 300 毫米 WSPM。Digitimes 報告的數(shù)字更為令人印象深刻，聲稱到 2025 年底每月生產(chǎn) 280,000 片晶圓，還有增長到 300,000 片的空間。目前，CXMT 可以同時提高產(chǎn)量、質(zhì)量和產(chǎn)量，這就是為什么成熟的全球 DRAM 供應(yīng)商最終可能會面臨越來越大的壓力。但有一個問題。
根據(jù)摩根士丹利引用的數(shù)據(jù)，CXMT 的產(chǎn)能擴張在很大程度上依賴于中國境外制造的工具，目前 CXMT 晶圓廠的工具本地化率約為 20%，根據(jù)摩根士丹利引用的數(shù)據(jù)@Jukanlosreve。也就是說，如果美國、歐洲和日本公司停止向CXMT提供生產(chǎn)工具，并停止對現(xiàn)有晶圓廠設(shè)備的維護，該公司將無法在未來快速擴大產(chǎn)能。此外，如果沒有來自中國以外的工具，即使提高質(zhì)量和產(chǎn)量也可能受到威脅。
從理論上講，CXMT 可以改用中華人民共和國制造的晶圓廠設(shè)備，但該公司需要數(shù)年時間才能采用這些工具，為它們定制工藝技術(shù)，并加快批量生產(chǎn)。盡管如此，憑借來自中國政府的幾乎無限的資金，CXMT 仍然是全球 DRAM 制造商的強大潛在競爭對手。
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