碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向 （EC） 冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。

onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基于其“M3”SiC MOSFET，專為減少硬開關(guān)情況下的損耗并增加短路耐受時間 （SCWT） 而設(shè)計。IPM 也是高度集成的，包括用于控制 SPM 31 封裝中的 SiC MOSFET 的柵極驅(qū)動器。它們可以處理 50 W 至 10 kW 的功率。

新的 EliteSiC IPM 系列涵蓋 40 至 70 A 的多個額定電流。安森美（onsemi）在佐治亞州亞特蘭大舉行的應(yīng)用電力電子會議（APEC）上展示了這些新型功率模塊。

冷卻風(fēng)扇：現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的必備

如今，科技巨頭和初創(chuàng)公司正在建設(shè)巨大且越來越耗電的數(shù)據(jù)中心，以在 AI 競賽中保持領(lǐng)先地位。因此，對 EC 冷卻風(fēng)扇的需求正在迅速增加，onsemi 表示。

高性能 AI 芯片正在消耗大量功率來處理訓(xùn)練和推理。作為 NVIDIA 最新 Al 加速器的核心，Blackwell GPU 在峰值負載下可消耗高達 1,200 W 的功率。

這種 AI 芯片將數(shù)據(jù)中心的功率需求從目前的 15 kW 到 30 kW 提高到每個機架 100 kW 以上。然而，在數(shù)據(jù)中心周圍供電涉及電力電子器件的許多階段，這些階段會對其進行轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)，這可能會增加大量的功率損失，從而產(chǎn)生熱量。

這種情況需要更小、更高效的冷卻技術(shù)，特別是液體冷卻，因為僅靠傳統(tǒng)的空氣冷卻無法減輕產(chǎn)生的熱量。雖然冷卻風(fēng)扇現(xiàn)在被廣泛用于維持數(shù)據(jù)中心的最佳運行條件，但它們往往體積大且耗電。

如今，冷卻約占數(shù)據(jù)中心運行所需電力的 40%。隨著 AI 的需求將未來每機架功率要求推高到 200 kW 以上，這種情況只會增長。

安森美表示，通過用 SiC MOSFET 取代 IGBT，它可以為這些冷卻風(fēng)扇帶來更高的功率密度、效率和可靠性，同時降低系統(tǒng)級的成本和復(fù)雜性。例如，onsemi 表示，在負載電流為 70% 時，與功率損耗為 500 W 的基于 IGBT 的 IPM 相比，在功率逆變器中集成 SiC IPM 可以將每個冷卻風(fēng)扇的功率和成本降低 50% 以上。

高度集成且靈活的 IPM

基于 SiC 的 IPM 內(nèi)部的 6 個電源開關(guān)布置在一個三相橋中。功率逆變器有幾個支路，每個支路負責(zé)控制其中一個交流輸出相位中的電流。每個相位都有一個上開關(guān)和一個下開關(guān)。安森美表示，新型 IPM 為小腿提供了單獨的源連接，使客戶在選擇控制算法時具有更大的靈活性。SiC MOSFET 的更快開關(guān)通過減少系統(tǒng)中的磁性元件和其他無源元件來提高功率密度。

新型 IPM 也是高度集成的，包括用于控制 SiC MOSFET 的獨立高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC 和其他用于保護功能的控制 IC。例如，欠壓保護可防止在電壓低時損壞設(shè)備。

IPM 在封裝內(nèi)部還有一個溫度傳感器，特別是熱敏電阻，用于監(jiān)控?zé)崆闆r。其他內(nèi)置元件包括自舉二極管和電阻器以及內(nèi)部升壓二極管，以增加高側(cè)柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電壓。

基于 SiC 的 IPM 的核心創(chuàng)新之一是使用更先進的直接鍵合銅 （DBC） 基板，該基板具有非常低的熱阻，有助于熱性能和散熱。