長(zhǎng)期以來，我國(guó)的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來解決，市場(chǎng)長(zhǎng)期被三星、SK海力士以及美光等存儲(chǔ)器巨頭所壟斷。

　　以全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為46%，閃存市場(chǎng)占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為29%，閃存市場(chǎng)占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場(chǎng)以及閃存市場(chǎng)的半壁江山。如果再加上美光的市場(chǎng)份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場(chǎng)份額之和達(dá)到了95%。

　　毫無疑問，現(xiàn)在存儲(chǔ)市場(chǎng)話語(yǔ)權(quán)仍被這幾家外國(guó)企業(yè)控制。但在國(guó)家政策支持、大量資金投入后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)取得了不小的突破。2018年下半年，以NAND閃存為主的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、以DRAM為主合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華都會(huì)開始試產(chǎn)，并于2019年開始量產(chǎn)，雖然短時(shí)間內(nèi)尚未形成較大規(guī)模，但未來幾年勢(shì)必會(huì)對(duì)壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)帶來一定的影響，這幾年的空檔期內(nèi)將是DRAM市場(chǎng)上最后的紅利期。

　　對(duì)于中國(guó)大陸企業(yè)的進(jìn)入，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)等存儲(chǔ)器企業(yè)表現(xiàn)出了自己的擔(dān)憂，并且已經(jīng)開始采取行動(dòng)。在中國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力尚未形成規(guī)模之前，韓、臺(tái)等存儲(chǔ)器廠商已經(jīng)正在大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)DRAM，以期在最后的紅利期搶占更多的市場(chǎng)，獲得更多的利潤(rùn)。

　　韓廠商在DRAM上動(dòng)作不斷

　　去年的這個(gè)時(shí)候，正是存儲(chǔ)芯片漲價(jià)漲得最歡的時(shí)候，市場(chǎng)缺貨引發(fā)了價(jià)格的不斷飆升。三星為了鞏固自己在存儲(chǔ)芯片的統(tǒng)治地位，于2017年7月宣布至少投資約186.3億美元用于生產(chǎn)線的建設(shè)。

　　當(dāng)時(shí)這筆資金主要用于平澤市的NAND閃存工廠建設(shè)，但隨著NAND閃存供應(yīng)能夠滿足市場(chǎng)需求后，三星已經(jīng)將平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，而且三星原有的Line17還有部分空間可以擴(kuò)產(chǎn)，也已經(jīng)使用起來。至此，三星在DRAM的產(chǎn)能上已經(jīng)從2017年的390K上升到了500K的水平。

　　而近日，三星(中國(guó))半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目也于西安正式開工了，這是繼2012年第一期100億美元投資之后，三星再一次重注壓在中國(guó)。

　　長(zhǎng)期排名第二的SK海力士最近有被美光趕超的趨勢(shì)，但絲毫不影響SK海力士著手DRAM產(chǎn)業(yè)的布局。

　　和三星一樣，從2017年開始，SK海力士就將M14工廠二樓的部分NAND閃存芯片產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)DRAM，目前轉(zhuǎn)換還在進(jìn)行當(dāng)中，若搭配擴(kuò)增的后段制程產(chǎn)線，產(chǎn)能將會(huì)進(jìn)一步提升。

　　2017年年底，SK海力士在重慶的工廠追加投資，增設(shè)后段制程產(chǎn)線。

　　近期在韓國(guó)將利川廠區(qū)內(nèi)的舊 LCD 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體封裝及測(cè)試用途，同時(shí)也會(huì)將現(xiàn)有的部分后段制程產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至此，并添購(gòu)機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

　　除了這些，SK海力士還在中國(guó)無錫工廠投資36億美元建設(shè)新的內(nèi)存工廠，看來這是要將產(chǎn)能擴(kuò)張到最大。

　　韓國(guó)廠商這些對(duì)DRAM擴(kuò)產(chǎn)的動(dòng)作，除了是解決市場(chǎng)供給吃緊的現(xiàn)狀，更有壓低內(nèi)存價(jià)格上漲的意思。不得不說這些韓廠的心機(jī)較重，在中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)者即將進(jìn)入之際，通過壓低DRAM或是NAND的價(jià)格，可以提高進(jìn)入的門檻，讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的壓力驟增、虧損擴(kuò)大，進(jìn)而達(dá)到減緩競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手發(fā)展速度的目的。

　　臺(tái)灣地區(qū)上演資本支出大戰(zhàn)

　　一直以來跟在三星、SK海力士之后默默喝湯的中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)器廠商們近來也開始發(fā)力了。

　　其中主攻存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造的南亞科加碼投資20納米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調(diào)至197.1億元，增幅逾71%，規(guī)劃在明年第2季底前，將20納米制程月產(chǎn)能提升至4.7萬片，也讓南亞科DRAM月產(chǎn)能增至7.3萬片。

　　華邦電今年的資本支出也達(dá)到了182億元新臺(tái)幣，支出比去年增加了兩成。預(yù)計(jì)今年的月產(chǎn)能能夠增長(zhǎng)至5.2萬片，明年的月產(chǎn)能增至5.4萬片，其中DRAM產(chǎn)出占比達(dá)到了50%。

　　力晶雖已宣布轉(zhuǎn)型晶圓代工，但仍有不少業(yè)務(wù)涉及到存儲(chǔ)芯片，而且力晶近期也宣布將斥資2780億元新臺(tái)幣建設(shè)一座12英寸新廠，預(yù)期從2020年開始，分三期完成建設(shè)。第一期到第三期的月產(chǎn)能分別是1.5萬片、3.5萬片和5萬片。

　　面對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)持續(xù)火熱，臺(tái)灣地區(qū)各大廠商選擇加大資本投入，擴(kuò)大產(chǎn)出，希望能搶到更多商機(jī)，不過這同時(shí)也為未來市場(chǎng)供需失去平衡埋下了伏筆。

　　期待國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)力的到來

　　筆者在之前的《內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒有來》一文中曾提到過，以目前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的研發(fā)實(shí)力以及產(chǎn)出計(jì)劃來看，起碼還需要3年時(shí)間產(chǎn)量才能形成一定的規(guī)模。存儲(chǔ)巨頭們一定會(huì)趁著這最后的紅利期再狠狠的賺上一筆。

　　果不其然，韓、臺(tái)地區(qū)的存儲(chǔ)器廠商紛紛選擇擴(kuò)大產(chǎn)能，趕在中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)入市場(chǎng)之前盡可能的搶占更多的市場(chǎng)。

　　但韓、臺(tái)雙方的目的性不盡相同，作為第一梯隊(duì)的三星、SK海力士，無疑是想通過擴(kuò)大產(chǎn)能來壓低的市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)即將進(jìn)入市場(chǎng)的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商形成成本上的壓制，減緩新來者的發(fā)展腳步，讓自身的統(tǒng)治地位更穩(wěn)固。而臺(tái)灣地區(qū)的廠商由于本身技術(shù)沒有達(dá)到三星、SK海力士這一水平，競(jìng)爭(zhēng)力有限，一旦競(jìng)爭(zhēng)開始，將會(huì)是第一波被沖擊的目標(biāo)，只能選擇在這段時(shí)間里盡可能的多出貨。

　　總的來說，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)來說依然較弱，遠(yuǎn)遠(yuǎn)還沒達(dá)到能夠撼動(dòng)三星、SK海力士等巨頭地位的階段，但形成一定規(guī)模后，一定會(huì)對(duì)DRAM市場(chǎng)帶來部分沖擊，也會(huì)打破維系已久的產(chǎn)業(yè)平衡。未來是否會(huì)讓一直處于上漲的DRAM市況止?jié)q下跌，答案想必是肯定的。