全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。

　　為了擴大在動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)接口IP技術上的領先地位，Cadence在DDR4標準高級草案的基礎上，承擔并定制了多款28納米級晶片DDR PHY 和控制器的IP。DDR4標準建議稿預計在今年年底由固態(tài)技術協(xié)會(JEDEC)發(fā)布，與DDR3相比，新標準將為用戶帶來大幅度的性能提升。采用DDR4標準的DRAM設備的工作頻率有望提高50%，而存儲容量相對DDR3設備翻一番，DRAM傳輸一個字節(jié)的功耗降幅高達40%。

　　Objective Analysis公司分析師Jim Handy指出：“DDR4將是DRAM領域的下一個熱門，但它的信令處理很棘手。由于個人電腦對DDR4 DRAM的采用，這個標準將成為大容量存儲的領導者，使它具有不可忽視的價格優(yōu)勢。ASIC設計人員如果要利用這個價格優(yōu)勢，就需要更多的幫助，把可靠的接口用于他們的產(chǎn)品。”

　　Cadence硅驗證PHY系列包括超越DDR-2400草案規(guī)定的數(shù)據(jù)速率，滿足下一代電子運算、網(wǎng)絡、云計算構架以及家庭娛樂設備所需要的DDR4 PHY 的高速應用，同時與現(xiàn)行DDR3和DDR3L標準兼容。經(jīng)過TSMC 28HPM硅驗證的PHY，是一款低功耗全數(shù)字移動PHY，其性能超過了DDR-1600和DDR-1866標準所要求的最大數(shù)據(jù)速率，也超過了低功耗LPDDR2標準的最大數(shù)據(jù)速率。該技術使得系統(tǒng)級芯片(SoC)設計人員在下一代移動設計中部署高速低功耗存儲技術時充滿信心。

　　Cadence SoC實現(xiàn)部門產(chǎn)品營銷總監(jiān)Marc Greenberg表示：“我們非常興奮，成為第一個提供硅驗證DDR4存儲控制器和PHY IP的公司，這將使我們的用戶在他們的下一代SoC中降低風險，并超越性能和功耗的需求。我們領先的Design IP方案廣泛的產(chǎn)品組合提供了先進的功能和獨特的定制方法，使我們的用戶在縮短開發(fā)周期的同時，可以提供高度差異化的產(chǎn)品。”