安森美半導體完整ESD及EMI保護方案
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除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測量傳輸線路脈沖(TLP)來評估ESD鉗位性能。由于ESD事件是一個很短的瞬態(tài)脈沖，TLP可以測量電流與電壓(I-V)數(shù)據(jù)，其中每個數(shù)據(jù)點都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數(shù)可以用來比較不同TVS器件的屬性，也可用于預測電路的ESD鉗位性能。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/124935.htm
圖3：典型TLP I-V曲線圖
安森美半導體提供的高速接口ESD保護保護器件陣容有兩種類型。第一類最容易實現(xiàn)，被稱為傳統(tǒng)設計保護。在這種類型設計中，信號線在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產品。
另一類是采用PicoGuard® XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當于電容為零。這類設計無需并聯(lián)電感，有助于最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。
圖4：傳統(tǒng)方法與PicoGuard® XS設計方法的對比
安森美半導體的保護和濾波解決方案均基于傳統(tǒng)硅芯片工藝技術。相比之下，其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個量級。一些采用舊有技術的產品甚至可能在小量ESD沖擊后出現(xiàn)劣化并變得更糟。由于其材料性質，一些無源器件往往表現(xiàn)出溫度的不一致性，從而降低了終端系統(tǒng)在標準消費溫度和環(huán)境溫度范圍內運行的可靠性。
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