日本爾必達公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產品。HKMG技術即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能。

　　此前一些邏輯集成電路廠商如Intel，三星等已經開始使用HKMG技術的晶體管，不過存儲集成電路方面由于HKMG柵極成型后還需要經歷高溫處理過程(容易導致金屬材料性質變異)，加上DRAM電路結構的復雜性(相比邏輯電路用晶體管還需增加電容單元)，使HKMG技術在DRAM產品上很難得以應用。而爾必達則宣稱成功解決了這兩個問題。

　　應用HKMG技術之后，爾必達的LPDDR2產品晶體管的柵絕緣層厚度相比常規(guī)的SiO2絕緣層降低了30%，晶體管的驅動電流值則增加了1.7倍，待機狀態(tài)電流則降低到了現(xiàn)有水平的1/100，因此極大地減小了LPDDR2產品待機狀態(tài)的能耗。

　　爾必達還計劃在其更多的高速/節(jié)能型移動內存芯片產品上推廣HKMG技術。

　　另外，爾必達還將繼續(xù)評估將HKMG技術應用到其30/25nm節(jié)點制程的可能性。有關的樣品則將在2011財年開始對外發(fā)貨，產品的量產則會隨后很快跟進。