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三星將停產MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術

  • 據消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據悉，LG顯示此前的eMMC產品還使用了ESMT和鎧俠的產品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
  • 關鍵字： 三星  MLC NAND  TLC  QLC  

臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動

  • 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現(xiàn)短缺。 供應鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據三菱發(fā)出的通知內容指出，
  • 關鍵字： 臺積電  CoWoS  BT載板基材  NAND  主控芯片  

閃存，是如何工作的？

  • NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
  • 關鍵字： Sandisk  3D-NAND  

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

  • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  QSPI  NAND  

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性讀取速度，助力應用快速啟動

  • 近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  Flash  NAND  

美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
  • 關鍵字： 內存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務的收購

  • 據韓媒報道，根據SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第二階段，交易正式完成。據了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內的其余相關有形/無形資產。
  • 關鍵字： SK海力士  英特爾  NAND  

AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

  • AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
  • 關鍵字： AI推理  QLC  NAND Flash  

存儲市場復蘇，關鍵看AI

  • 存儲市場新一輪的逆風，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也透露，
  • 關鍵字： NAND  

美光斷電減產 NAND原廠4月提前調漲

  • NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
  • 關鍵字： 美光  NAND  

SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
  • 關鍵字： SK海力士  英特爾  NAND  閃存  

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  NAND  混合鍵合  晶棧  Xtacking  閃存  

NAND Flash市況 有望6月復蘇

  • NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場狀況自然調節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  

稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

  • 據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
  • 關鍵字： 三星  長江存儲  NAND  
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