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凌華智能全球首發(fā)Intel Core? Ultra COM-HPC Mini模塊：95mm×70mm小尺寸迸發(fā)強悍算力

  • 超強性能，精巧尺寸，適應(yīng)各種空間限制重點摘要：●? ?三合一超強架構(gòu)：搭載Intel??Core??Ultra處理器，最高14核CPU+8核Xe GPU+集成NPU，AI算力與能效雙優(yōu)●? ?軍工級緊湊設(shè)計：95mm×70mm迷你尺寸，板載64GB LPDDR5x內(nèi)存（7467MT/s），支持-40°C至85°C寬溫運行（特定型號）●? ?豐富工業(yè)級接口：集成16通道PCIe、2個SATA、2個2.5GbE網(wǎng)口及DDI/USB
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

  • 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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是什么讓SiC開始流行？

  • 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來實現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進入市場。現(xiàn)在，隨著技術(shù)進步收緊工藝控制、提高良率并
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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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新版DeepSeek V3悄然發(fā)布 外媒：很強但少了"人味"

  • 3月25日消息，中國人工智能初創(chuàng)公司DeepSeek悄然發(fā)布了一款新的大語言模型，在人工智能行業(yè)引發(fā)震動。這不僅因為其強大的能力，還因為其獨特的發(fā)布方式。這個大小為641GB的模型名為DeepSeek-V3-0324，于周一悄然出現(xiàn)在人工智能資源庫Hugging Face上，幾乎沒有任何官方公告，延續(xù)了該公司低調(diào)卻影響深遠的發(fā)布風(fēng)格。此次發(fā)布尤其值得關(guān)注的是，該模型采用MIT許可（允許免費商用），并且有報道稱它可以直接在消費者級“硬件”上運行，尤其是配備M3 Ultra芯片的蘋果Mac Studio。人工
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小米 15 Ultra 手機明日在韓上市，實體店上半年登陸首爾

  • 3 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，小米韓國分公司今日表示，旗下旗艦智能手機、平板電腦和智能手表 25 日將在韓國正式上市，官方直營零售體驗店“小米之家”上半年將登陸首爾。報道稱，小米韓國此次將推出旗艦智能手機 Xiaomi 15 Ultra、平板電腦 Xiaomi Pad 7、智能手表 Xiaomi Watch S4。Xiaomi 15 Ultra 將提供 3 種顏色，16GB+512GB 專業(yè)影像套裝售價為 169.9 萬韓元（注：現(xiàn)匯率約合 8412 元人民幣）。Xiaomi Pad 7 將提供 3
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
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英偉達正式發(fā)布Blackwell Ultra，黃仁勛預(yù)告下一代超級芯片

  • 當?shù)貢r間周二（3月18日），英偉達CEO黃仁勛在GTC主題演講中推出了新產(chǎn)品“Blackwell Ultra”，并預(yù)告了公司的下一代芯片“Rubin”。黃仁勛稱，去年幾乎全世界都參與到了建設(shè)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的浪潮之中，“計算需求——即AI縮放定律——更具彈性，速度也正在超快地增長?！薄癆I已實現(xiàn)巨大飛躍——推理和代理式AI需要數(shù)量級更高的計算性能。我們?yōu)檫@一刻設(shè)計了Blackwell Ultra，這是一個功能強大的單一平臺，能夠輕松高效地完成AI的預(yù)訓(xùn)練、后訓(xùn)練和推理任務(wù)?！睋?jù)英偉達官網(wǎng)介紹，Bl
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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UALink還是Ultra Ethernet，面向AI的數(shù)據(jù)中心協(xié)議

  • AI 和 HPC 數(shù)據(jù)中心中的計算節(jié)點越來越需要擴展到芯片或封裝之外，以獲取額外的資源來處理不斷增長的工作負載。他們可能會征用機架中的其他節(jié)點（縱向擴展）或使用其他機架中的資源（橫向擴展）。問題是目前沒有開放的 Scale-up 協(xié)議。到目前為止，這項任務(wù)一直由專有協(xié)議主導(dǎo)，因為大部分最高性能的計算都是在大型數(shù)據(jù)中心使用定制芯片和架構(gòu)完成的。雖然以太網(wǎng)在橫向擴展方面很受歡迎，但對于 AI 和高性能計算工作負載來說，它并不理想。但兩種新協(xié)議 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解決當前縱向擴
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對蘋果生態(tài)用戶友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互聯(lián)、后排iPad上車

  • 3月14日消息，不僅是手機產(chǎn)品，小米在汽車領(lǐng)域也實現(xiàn)了與蘋果生態(tài)的深度融合。日前，小米汽車發(fā)文稱，小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態(tài)產(chǎn)品，如iPhone、iPad等，其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態(tài)拓展能力，對蘋果生態(tài)用戶非常友好。小米汽車還提到，目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據(jù)了解，小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯(lián)，車主可享受iPhone中的音樂、導(dǎo)航等功能。在CarPlay連接狀態(tài)下，可以正常使用小愛同學(xué)，同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時，小
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蘋果 M4 Ultra 芯片恐將永遠缺席，三大原因揭秘

  • 3 月 10 日消息，彭博社馬克?古爾曼昨日（3 月 9 日）發(fā)布博文，認為蘋果公司未來不會再推出 M4 Ultra 芯片，并透露了第 3 個原因。蘋果公司于 3 月 5 日發(fā)布了 2025 款 Mac Studio，提供了 M4 Max 與 M3 Ultra 兩種配置選項，這不免讓人疑惑，蘋果為何選擇 M3 Ultra 而非 M4 Ultra？M3 Ultra 芯片配備高達 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎，并支持最高 512GB 的統(tǒng)一內(nèi)存。蘋果表示，M3 Ult
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小米ultra的52.99萬元背后：當風(fēng)口上的雷軍最終變成造風(fēng)者

  • 1987年，武漢大學(xué)計算機系的教室里，那個赤腳在寒冬機房編程的少年不會想到，三十八年后，他將在汽車工業(yè)史上刻下濃墨重彩的一筆。雷軍用兩年修完四年學(xué)分的狠勁，似乎早已預(yù)示著這個湖北小鎮(zhèn)青年將用"極致效率"改寫商業(yè)規(guī)則。從金山軟件CEO到天使投資人，從智能手機到智能汽車，這位永遠穿著牛仔褲的科技狂人，始終在用互聯(lián)網(wǎng)思維解構(gòu)傳統(tǒng)行業(yè)。??2010年北京四月的一鍋小米粥，釀成了中國手機行業(yè)的颶風(fēng)，一具摧毀了在我國根深蒂固的“山寨機”市場；2021年宣布造車的孤注一擲，則讓國
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第16講：SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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ultra c sic介紹

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