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ultra c sic 文章 最新資訊

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

  • 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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碳化硅可靠性驗證要點

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
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光伏逆變器市場狂飆，全SiC模組會成為主流嗎？

  • 隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風能和太陽能的總發(fā)電量已經(jīng)超過了水力發(fā)電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅(qū)動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產(chǎn)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

  • 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

  • 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
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全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
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意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

  • 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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小米SU7 Ultra高性能電動汽車開啟預訂

  • 小米已開始在中國接受SU7轎車的高性能版本SU7 Ultra的預訂，起售價為814,900元（約合114,400美元）。據(jù)小米介紹，SU7 Ultra搭載了與小米SU7 Ultra原型車相同的三電機驅(qū)動系統(tǒng)和電池組。該車型的三電機系統(tǒng)最高輸出功率可達1,548馬力，峰值扭矩達1,770?！っ祝蛊浒俟锛铀賰H需1.98秒，最高時速可達350公里/小時。這款注重性能的跑車配備了碳陶瓷制動盤和高性能Akebono制動卡鉗。為了減輕車身重量，車頂、后視鏡外殼及側(cè)裙飾件均采用碳纖維材質(zhì)。SU7 Ultra的電池由
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小米 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型由于道路法規(guī)限制，前鏟、尾翼部分設計較原型車做明顯縮減

  • 11 月 5 日消息，小米汽車昨晚繼續(xù)發(fā)布答網(wǎng)友問（第八十一集），此次對于 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型和原型車之間的設計差異作出解答。問答中提到，小米 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型由于道路法規(guī)限制，前鏟、尾翼部分設計較原型車進行明顯縮減。整理此次問答詳情內(nèi)容如下：小米 SU7 Ultra 中大量使用的 Alcantara 是什么，和翻毛皮、仿麂皮比有什么優(yōu)勢？Alcantara 是一種人工合成環(huán)保材料，主要應用于高性能豪華汽車品牌的內(nèi)飾中。具有色澤豐富、柔軟細膩、防滑耐磨、輕量化
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瑞薩攜手英特爾，為英特爾全新酷睿Ultra 200V系列處理器打造先進電源管理解決方案

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布與英特爾攜手，推出一款電源管理解決方案，為搭載英特爾?全新酷睿? Ultra 200V系列處理器的筆記本電腦實現(xiàn)最佳的電池效率。瑞薩同英特爾緊密合作，開發(fā)出創(chuàng)新的定制化電源管理芯片（PMIC），全面滿足最新一代英特爾處理器的電源管理需求。這款先進且高度集成的PMIC，配合預穩(wěn)壓器和電池充電器，面向采用全新英特爾處理器的個人電腦提供一站式解決方案。這三款全新器件協(xié)同工作，為客戶端筆記本電腦，特別是運行高功耗人工智能（AI）應用的筆記本電腦，提供了量身定制的高效電源解決
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英偉達將Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預計2025年將推動CoWoS-L增長

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，NVIDIA（英偉達）近期將其所有Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產(chǎn)品，這將提升對先進封裝技術(shù)的需求量。英偉達將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調(diào)整為B300A和GB300A。B300系列產(chǎn)品按原規(guī)劃將于2025年第二季至第三季間開始出貨。至于B200和GB200，預計將在
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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進擊的中國碳化硅

  • 中國碳化硅廠商把價格打下來了。
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全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？

  • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
  • 關(guān)鍵字： SiC  
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