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低驅(qū)動電壓RF MEMS懸臂梁開關(guān)的對比研究*

　　歐書俊，張國俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川成都 611731）　　摘要：本文針對一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)，提出了兩種降低驅(qū)動電壓RF MEMS開關(guān)的方法，分別為：增大局部驅(qū)動面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設(shè)計了4種形狀的懸臂梁開關(guān)，分別為增大局部驅(qū)動面積的十字型梁，降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下，通過CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅(qū)動電壓，分別為7.2 V、5.6 V、
關(guān)鍵字： 202007 RF MEMS 懸臂梁驅(qū)動電壓彈性系數(shù)

將低于 1GHz 連接用于電網(wǎng)資產(chǎn)監(jiān)控、保護(hù)和控制的優(yōu)勢

對電網(wǎng)資產(chǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，可幫助運(yùn)營商快速發(fā)現(xiàn)故障，同時還可對主要設(shè)備進(jìn)行預(yù)測性維護(hù)，而如今幾乎已不存在這種情況。確定采用哪種特定的無線技術(shù)，如低于1 GHz、低功耗藍(lán)牙?、Wi-Fi?或多標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，取決于數(shù)據(jù)、帶寬、節(jié)點(diǎn)之間的距離、所需連接數(shù)、可用功率以及所需的響應(yīng)時間等因素。電網(wǎng)的發(fā)展需要在現(xiàn)有的有線連接基礎(chǔ)上增加無線連接，以進(jìn)行資產(chǎn)監(jiān)控和控制。增加無線連接的主要因素包括：●? ?采用帶分布式能源資源與傳統(tǒng)發(fā)電、輸電和配電一起使用的分散式微電網(wǎng)模式?！? ?對遠(yuǎn)程
關(guān)鍵字： FCI RF

STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢

電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量，其強(qiáng)度足以使信號失真。因此，設(shè)計高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號路徑的系統(tǒng)時，必須克服噪聲問題。在電源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波，也會產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過濾無源元件，諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器，或在電源路徑中包含線性電源，如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用，
關(guān)鍵字： RF PWM

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
關(guān)鍵字：安世 GaN MOSFET

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

德科技5G測試平臺支持Sporton面向全球設(shè)備市場提供全方位的一致性測試和監(jiān)管測試服務(wù)

是德科技日前宣布，?Sporton?公司選擇使用是德科技的?5G?測試平臺?向全球設(shè)備市場提供全方位的一致性測試和監(jiān)管測試服務(wù)。是德科技是一家領(lǐng)先的技術(shù)公司，致力于幫助企業(yè)、服務(wù)提供商和政府客戶加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個安全互聯(lián)的世界。Sporton?是一家在中國大陸、中國臺灣和美國運(yùn)營的認(rèn)證測試機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)選擇了是德科技的?5G?一致性測試工具套件，用以執(zhí)行射頻（RF）和無線資源管理（RRM）設(shè)計驗(yàn)證與測試（DVT）以及一致性測試
關(guān)鍵字： RF OTA CATR

助力新基建，安世半導(dǎo)體升級GaN產(chǎn)品線

近日，安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應(yīng)用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機(jī)牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。日前，安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
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Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC GaN

Imagination推出支持低功耗應(yīng)用的新一代IEEE 802.11ax/Wi-Fi 6 知識產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品

Imagination Technologies?近日宣布推出基于其Ensigma Wi-Fi技術(shù)的最新硅知識產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品??IMG iEW400?。iEW400集成了射頻（RF）和基帶，專為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備等低功耗和電池供電型應(yīng)用而設(shè)計。iEW400基于最新的IEEE 802.11ax Wi-Fi 6標(biāo)準(zhǔn)，可通過如下一系列新功能提供更強(qiáng)大的性能、吞吐量和節(jié)能性：●? ?以20/40MHz頻寬運(yùn)行：支持低數(shù)據(jù)速率應(yīng)用，
關(guān)鍵字： IP RF IoT

Mentor 的 Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺獲得臺積電最新制程技術(shù)認(rèn)證

Mentor, a Siemens business 近日宣布，旗下系列IC設(shè)計工具獲得了臺積電(TSMC)業(yè)界領(lǐng)先的 N5 和 N6 制程技術(shù)認(rèn)證。此外，Mentor 與 TSMC 的合作現(xiàn)已擴(kuò)展到先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域， Mentor Calibre? 平臺的 3DSTACK 封裝技術(shù)將進(jìn)一步支持 TSMC 的先進(jìn)封裝平臺。TSMC 的 N5 和 N6 制程技術(shù)能夠幫助眾多全球領(lǐng)先的 IC 設(shè)計公司提高處理器的性能、縮小尺寸并降低功耗，從而更好地應(yīng)對汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高性能計算、5G 移動/基礎(chǔ)設(shè)施、AI等領(lǐng)域
關(guān)鍵字： TSMC IC AFS RF

Teledyne e2v 提供客戶搶先實(shí)驗(yàn)最新的 Ka 頻段 DAC 板級硬體

Teledyne e2v 今日再次拓展旗下的數(shù)位類比轉(zhuǎn)換器（DAC）IC 產(chǎn)品。透過其附帶的評估平臺，工程師可以提早將新的硬體應(yīng)用于設(shè)計專案中。該公司將在近期開始提供第一波的 EV12DD700 雙通道 DAC 樣本，其運(yùn)作頻率最高可達(dá) Ka 波段。此 DAC 支援波束成形應(yīng)用，主要用于任務(wù)關(guān)鍵性的微波系統(tǒng)。其擁有 25GHz 的輸出頻寬與僅僅 3dB 的衰減值。在衰減值僅些微高于 3dB 的情況下，頻寬可更進(jìn)一步大幅提升。每一個 DAC 皆內(nèi)建一系列發(fā)展成熟的信號處理功能，包括可程式化的 an
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機(jī)器人應(yīng)用中的毫米波雷達(dá)傳感器

當(dāng)腦海中浮現(xiàn)機(jī)器人的形象時，您可能會聯(lián)想到巨大的機(jī)械手臂，工廠車間里盤繞的隨處可見的線圈和線束，以及四處飛濺的焊接火花。這些機(jī)器人與大眾文化和科幻小說中描繪的機(jī)器人大不相同，在后者中，機(jī)器人常以人們?nèi)粘Ｉ钪值男蜗笫救恕＝榻B如今，人工智能技術(shù)的突破正在推動服務(wù)型機(jī)器人、無人飛行器和自主駕駛車輛的機(jī)器人技術(shù)發(fā)展，市場規(guī)模預(yù)計將從2016 年的310 億美元增加到2020 年的2370 億美元[1]。隨著機(jī)器人技術(shù)的進(jìn)步，互補(bǔ)傳感器技術(shù)也在進(jìn)步。就像人類的五官感覺一樣，通過將不同的傳感技術(shù)結(jié)合起來，可在將機(jī)
關(guān)鍵字： CMOS IMU 傳感器 EVM RF RVIZ

Qorvo即時護(hù)理型診斷平臺取得關(guān)鍵發(fā)展里程碑

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（日前宣布在為Zomedica Pharmaceuticals Corp.的獸醫(yī)用即時護(hù)理（POC）型診斷平臺研發(fā)方面取得關(guān)鍵性里程碑。Zomedica宣布基于Qorvo聲波諧振器的TRUFORMATM POC平臺及其首次檢測已完成最終驗(yàn)證，獲得實(shí)現(xiàn)商業(yè)生產(chǎn)制造能力的重要進(jìn)展。Qorvo US, Inc.的全資子公司Qorvo Biotechnologies LLC在2018年與Zomedica簽署開發(fā)和供貨協(xié)議
關(guān)鍵字： POC RF BAW

邊緣智能化為自主工廠提供動力

從傳統(tǒng)的工業(yè)機(jī)器人系統(tǒng)到當(dāng)今最新的協(xié)作機(jī)器人，各類機(jī)器人都依賴于能夠生成和處理大量高度變化數(shù)據(jù)的傳感器。這些數(shù)據(jù)可用于啟用能夠做出實(shí)時決策的自主機(jī)器人，從而實(shí)現(xiàn)更智能的事件管理，同時在動態(tài)的真實(shí)環(huán)境中保持生產(chǎn)力，如圖1所示。圖1：毫米波（mmWave）傳感有助于監(jiān)控機(jī)器周圍區(qū)域，實(shí)現(xiàn)實(shí)時事件管理TI毫米波傳感器如何在工廠實(shí)現(xiàn)高級智能化德州儀器（TI）的毫米波（mmWave）傳感器能夠利用集成處理器處理片上數(shù)據(jù)，以實(shí)現(xiàn)實(shí)時決策。與某些基于光或視覺的傳感器相比，這種集成實(shí)現(xiàn)了更小型設(shè)計。此外，僅使用單個傳感器
關(guān)鍵字： AOP RF 機(jī)器人傳感器 EVM