rf gan 文章最新資訊

面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對(duì)半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的各類(lèi)應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車(chē)
關(guān)鍵字： OBC GaN 202009

Mentor 通過(guò)臺(tái)積電最新的3nm 工藝技術(shù)認(rèn)證

Mentor, a Siemens business 近日宣布旗下多條產(chǎn)品線(xiàn)和工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電?(TSMC)最新的3nm (N3) 工藝技術(shù)認(rèn)證。臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee 表示：“此次認(rèn)證進(jìn)一步體現(xiàn)了Mentor對(duì)于雙方共同客戶(hù)以及臺(tái)積電生態(tài)系統(tǒng)的突出價(jià)值。我們很高興看到Mentor的系列領(lǐng)先平臺(tái)正不斷地獲得臺(tái)積電認(rèn)證，以幫助我們的客戶(hù)使用最先進(jìn)的工藝技術(shù)在功耗和性能方面獲得大幅提升，進(jìn)而成功實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)?！贝舜潍@得臺(tái)積電N3工藝認(rèn)證的 Mentor 產(chǎn)品包括Anal
關(guān)鍵字： IC RF

電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無(wú)止境

5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)電源管理的前沿趨勢(shì)我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)

如今“顛覆性”一詞可能被過(guò)度使用，但它通常只適用于一種技術(shù)。例如，當(dāng)90年代末期PC產(chǎn)業(yè)真正開(kāi)始騰飛時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)就出現(xiàn)了一段兩位數(shù)增長(zhǎng)的時(shí)期。盡管業(yè)界盡了最大努力，但直到21世紀(jì)初期手機(jī)的出現(xiàn)改變了這一切，這種情況才得以重演。許多人都在尋找下一個(gè)具有顛覆性的技術(shù)，以引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)再來(lái)一段兩位數(shù)的市場(chǎng)增長(zhǎng)時(shí)期。一段時(shí)間以來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）一直被視為是這一觸發(fā)器，但或許由于其迥然不同的性質(zhì)，它尚未真正產(chǎn)生這樣的影響。但是，現(xiàn)在隨著5G技術(shù)的出現(xiàn)，對(duì)人工智能的興趣和發(fā)展的增加，云計(jì)算的持續(xù)重要性，以及增強(qiáng)/
關(guān)鍵字： IoT PC IDM ASP SMS AiP RF

e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書(shū)，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開(kāi)發(fā)熱情

全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商 e絡(luò)盟新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書(shū)，旨在為專(zhuān)業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書(shū)匯集了人工智能詳細(xì)路線(xiàn)圖和類(lèi)別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書(shū)中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟?lèi)的工作方式。目前，人工
關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN

新型F1490射頻放大器具有超低靜態(tài)電流可降低功耗、提高增益鏈路余量，且性能穩(wěn)定

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其強(qiáng)大的射頻放大器產(chǎn)品線(xiàn)，推出新產(chǎn)品F1490，可提供遠(yuǎn)低于競(jìng)品的靜態(tài)電流（75mA）。F1490作為第二代高增益2級(jí)射頻放大器，涵蓋從1.8 GHz到5.0 GHz的關(guān)鍵sub-6GHz 5G頻段。F1490為設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化發(fā)射鏈路的器件選型、消除增益模塊并保持增益余量，同時(shí)提供兩種可選的增益模式，從而為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)更高靈活性、更低功耗和更強(qiáng)大性能。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru?表示：“F149
關(guān)鍵字： QFN CATV RF IF

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類(lèi)拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

GaN 將能源效率推升至新高度

德州儀器(TI)是推動(dòng)GaN開(kāi)發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用這項(xiàng)新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計(jì)，致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。TI新穎的解決方案不僅可以?xún)?yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實(shí)施問(wèn)題，使客戶(hù)得以設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)，建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
關(guān)鍵字： MOSEFT GaN UPS

藍(lán)牙讓汽車(chē)訪(fǎng)問(wèn)控制系統(tǒng)更智能

多年來(lái)，藍(lán)牙技術(shù)作為汽車(chē)和駕駛員之間連接的紐帶，在提高道路行駛安全性的同時(shí)不斷豐富著駕乘體驗(yàn)，藍(lán)牙免提通話(huà)和音頻播放功能幫助司機(jī)在駕駛時(shí)減少分心并且更加安全地觀察道路狀況。
關(guān)鍵字： RF MCU GFSK BLE NFC

Soitec 發(fā)布 2021 財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)，收入達(dá) 1400 萬(wàn)歐元

作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司于 7 月 22 日公布了 2021 財(cái)年第一季度（截止 2020 年 6 月 30 日）的業(yè)績(jī)，合并收入為 1.336 億歐元，與 2020 財(cái)年同期的 1.194 億歐元相比下降 4.9%（按固定匯率和邊界1計(jì)下降5.2%）。這主要?dú)w因于 +0.2% 的匯率增值帶來(lái)的積極影響，以及 +0.1% 的范圍效應(yīng)，此范圍效應(yīng)與 2019 年 5 月收購(gòu) EpiGaN 相關(guān)。●? ?2021 財(cái)年第一季度收入達(dá) 14
關(guān)鍵字： EBITDA RF

如何化解與V2X相關(guān)的頻譜挑戰(zhàn)

Wi-Fi和5G被認(rèn)為是自動(dòng)駕駛汽車(chē)的推動(dòng)力，其挑戰(zhàn)在于這些技術(shù)如何協(xié)同工作并共存——頻譜干擾可能會(huì)對(duì)車(chē)輛的運(yùn)行和乘客安全產(chǎn)生不利影響。本文討論了支持車(chē)輛互聯(lián)的技術(shù)，以及高選擇性濾波器解決方案如何解決Wi-Fi與V2X間的共存，以實(shí)現(xiàn)車(chē)輛通信。
關(guān)鍵字： V2X 頻譜 RF 濾波器 BAW 202008

Teledyne e2v的四通道ADC為5G NR ATE和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)校準(zhǔn)測(cè)試測(cè)量帶來(lái)重大變革

無(wú)線(xiàn)技術(shù)在過(guò)去的20年里快速?gòu)?G發(fā)展到4G，現(xiàn)在已到了5G的時(shí)代。有一個(gè)技術(shù)問(wèn)題一直貫穿這一發(fā)展的過(guò)程，即高頻器件的自動(dòng)校準(zhǔn)測(cè)試。 RF ATE和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)面臨的最困難的挑戰(zhàn)是校準(zhǔn)、可重復(fù)性和測(cè)試結(jié)果的關(guān)聯(lián)度。未來(lái)的無(wú)線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多輸入端口ADC利用非并行片上高頻交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)輸入電路技術(shù)，使用戶(hù)可在RF ATE和/或現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試環(huán)境中使用自動(dòng)校準(zhǔn)和測(cè)量技術(shù)。
關(guān)鍵字： RF 5G LNA CPS ADC CPS

Soitec以新技術(shù)為自動(dòng)駕駛發(fā)展保駕護(hù)航

作為一家設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，來(lái)自于法國(guó)的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來(lái)助力整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新，通過(guò)不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn)，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機(jī)用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用，可以說(shuō)Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機(jī)快速普及的幕后英雄之一。當(dāng)然，“幕后英雄”也因?yàn)槠湎冗M(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
關(guān)鍵字： Soitec RF-SOI FD-SOI

低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS懸臂梁開(kāi)關(guān)的對(duì)比研究*

　　歐書(shū)俊，張國(guó)俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川成都 611731）　　摘要：本文針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開(kāi)關(guān)，提出了兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開(kāi)關(guān)的方法，分別為：增大局部驅(qū)動(dòng)面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設(shè)計(jì)了4種形狀的懸臂梁開(kāi)關(guān)，分別為增大局部驅(qū)動(dòng)面積的十字型梁，降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長(zhǎng)度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下，通過(guò)CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅(qū)動(dòng)電壓，分別為7.2 V、5.6 V、
關(guān)鍵字： 202007 RF MEMS 懸臂梁驅(qū)動(dòng)電壓彈性系數(shù)

將低于 1GHz 連接用于電網(wǎng)資產(chǎn)監(jiān)控、保護(hù)和控制的優(yōu)勢(shì)

對(duì)電網(wǎng)資產(chǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，可幫助運(yùn)營(yíng)商快速發(fā)現(xiàn)故障，同時(shí)還可對(duì)主要設(shè)備進(jìn)行預(yù)測(cè)性維護(hù)，而如今幾乎已不存在這種情況。確定采用哪種特定的無(wú)線(xiàn)技術(shù)，如低于1 GHz、低功耗藍(lán)牙?、Wi-Fi?或多標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，取決于數(shù)據(jù)、帶寬、節(jié)點(diǎn)之間的距離、所需連接數(shù)、可用功率以及所需的響應(yīng)時(shí)間等因素。電網(wǎng)的發(fā)展需要在現(xiàn)有的有線(xiàn)連接基礎(chǔ)上增加無(wú)線(xiàn)連接，以進(jìn)行資產(chǎn)監(jiān)控和控制。增加無(wú)線(xiàn)連接的主要因素包括：●? ?采用帶分布式能源資源與傳統(tǒng)發(fā)電、輸電和配電一起使用的分散式微電網(wǎng)模式?！? ?對(duì)遠(yuǎn)程
關(guān)鍵字： FCI RF