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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時(shí)還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)。　　新IC采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費(fèi)者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會(huì)率先用到氮化鎵呢？
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級(jí)聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級(jí)共同運(yùn)營的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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是德科技推出新型高性能微波手持式分析儀，加快 5G、雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)的安裝速度

是德科技近日推出一款新型高性能微波手持式分析儀，可以加快 5G、雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)的安裝速度。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個(gè)安全互聯(lián)的世界。全球毫米波頻譜中的 5G 新空口（NR）業(yè)務(wù)持續(xù)增長，衛(wèi)星通信系統(tǒng)的部署數(shù)量顯著上升，這對(duì)經(jīng)濟(jì)高效的外場網(wǎng)絡(luò)測試、監(jiān)控和故障診斷工具提出了更高的要求。是德科技的新型 FieldFox 微波手持式分析儀支持更高的頻率范圍，測量完整性可以媲美實(shí)驗(yàn)室用的儀器。新型寬帶分析儀是一款緊湊、耐用的多功能工具，可供用戶安裝毫米波基礎(chǔ)設(shè)施，從而對(duì)外場網(wǎng)絡(luò)
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Microchip推出可防止GPS干擾和欺騙的新版SyncServer S600系列時(shí)間服務(wù)器

任務(wù)關(guān)鍵型網(wǎng)絡(luò)和其他重要的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施需要不斷從網(wǎng)絡(luò)時(shí)間服務(wù)器接收到準(zhǔn)確的時(shí)間信息，才能保持可靠運(yùn)行。但這些服務(wù)器易遭受到全球定位系統(tǒng)（GPS）干擾和欺騙這類的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日推出一項(xiàng)解決方案，通過將其BlueSky技術(shù)信號(hào)異常檢測軟件集成到SyncServer S600系列網(wǎng)絡(luò)時(shí)間服務(wù)器和儀器中，成功解決這一難題。Microchip是首家將GPS干擾和欺騙檢測和保護(hù)以及本地射頻（RF）數(shù)據(jù)記錄和分析完全集成在一個(gè)時(shí)間服務(wù)器內(nèi)的公司。
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砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù)，推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造

通過技術(shù)和Equipment Intelligence?（設(shè)備智能）的創(chuàng)新，Vantex?重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進(jìn)3D NAND和DRAM的技術(shù)路線圖。近日，泛林集團(tuán) 近日發(fā)布了專為其最智能化的刻蝕平臺(tái)Sense.i?所設(shè)計(jì)的最新介電質(zhì)刻蝕技術(shù)Vantex??；诜毫旨瘓F(tuán)在刻蝕領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，這一開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)將為目前和下一代NAND和DRAM存儲(chǔ)設(shè)備提供更高的性能和更大的可延展性。泛林集團(tuán)Vantex?新型刻蝕腔室搭載其行業(yè)領(lǐng)先的Sense.i?刻蝕平臺(tái)3D存儲(chǔ)設(shè)備通
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2021：中國連接器市場呈現(xiàn)新多樣化

IDC預(yù)計(jì)，2021年全球物聯(lián)網(wǎng)支出將恢復(fù)兩位數(shù)的增長率，并在2020—2024年的預(yù)測期間實(shí)現(xiàn)11.3%的復(fù)合年增長率（CAGR）。機(jī)器對(duì)機(jī)器（M2M）通信采用UWB、WLAN、Zigbee、藍(lán)牙等低功耗網(wǎng)絡(luò)傳輸數(shù)據(jù)，推動(dòng)著物聯(lián)網(wǎng)的普及。NB-IoT、LTE Cat-M等LPWAN技術(shù)和5G高效傳輸網(wǎng)絡(luò)的出現(xiàn)，也加速了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。3G和4G網(wǎng)絡(luò)促進(jìn)了人與人之間的無線通信，而5G網(wǎng)絡(luò)則將連接范圍擴(kuò)大到了“事物”之間，這一轉(zhuǎn)變促使人們開發(fā)多樣化的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，應(yīng)對(duì)各種各樣的行業(yè)和環(huán)境挑戰(zhàn)。徐蘇翔TE C
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動(dòng)力汽車中利用GaN實(shí)現(xiàn)雙電池管理

John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實(shí)驗(yàn)室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電氣、混合動(dòng)力汽車和汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊(duì)積極推動(dòng)將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對(duì)氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動(dòng)力，即在汽油或柴油車輛的傳動(dòng)鏈中
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使用高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器快速取得成功的關(guān)鍵

無論是設(shè)計(jì)測試和測量設(shè)備還是汽車激光雷達(dá)模擬前端（AFE），使用現(xiàn)代高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的硬件設(shè)計(jì)人員都面臨高頻輸入、輸出、時(shí)鐘速率和數(shù)字接口的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。問題可能包括與您的現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）相連、確信您的首個(gè)設(shè)計(jì)通道將起作用或確定在構(gòu)建系統(tǒng)之前如何對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行最佳建模。本文中將仔細(xì)研究這些挑戰(zhàn)?？焖俚南到y(tǒng)開發(fā)開始新的硬件設(shè)計(jì)之前，工程師經(jīng)常會(huì)在自己的測試臺(tái)上評(píng)估最重要的芯片。一旦獲得了運(yùn)行典型評(píng)估板所需的設(shè)備，組件評(píng)估通常會(huì)在理想情況的電源和信號(hào)源下進(jìn)行。TI大多數(shù)情況下會(huì)提供車載電源和時(shí)鐘，以便您可使
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