nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

回補(bǔ)庫(kù)存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)走低

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場(chǎng)銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫(kù)存力道疲弱，連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。　　展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國(guó)水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問(wèn)度頓時(shí)增加，但SSD仍存在著與HHD價(jià)差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個(gè)月等問(wèn)題，因此，預(yù)
關(guān)鍵字： NAND SSD

9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫(kù)存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
關(guān)鍵字：集邦科 NAND 記憶卡

ultrabook帶來(lái)新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)疲軟，所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場(chǎng)供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
關(guān)鍵字： ultrabook NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國(guó)三星電子。
關(guān)鍵字： IHS iSuppli NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國(guó)三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場(chǎng)，如表1所示。　
關(guān)鍵字：三星 NAND

出貨不如預(yù)期閃存芯片價(jià)格小幅下跌

　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過(guò)剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。　
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂(lè)觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。　
關(guān)鍵字： SanDisk NAND

東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)可能達(dá)不到預(yù)期

　　全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說(shuō)，由于PC市場(chǎng)不景氣，美國(guó)和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢(shì)等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)可能達(dá)不到預(yù)期。
關(guān)鍵字：東芝芯片 NAND

NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來(lái)最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問(wèn)世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
關(guān)鍵字： NAND DRAM芯片

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨

　　隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ)器 NAND

納米制程遇瓶頸業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

　　隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。　
關(guān)鍵字：爾必達(dá) NAND

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長(zhǎng) 41.4%，達(dá) 123MB。　　
關(guān)鍵字： Sony NAND

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
關(guān)鍵字： LSI NAND

2011年NAND閃存密度將增長(zhǎng)40%以上

　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長(zhǎng)40%以上。　　
關(guān)鍵字：索尼 NAND

三星電子韓國(guó)新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

　　三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營(yíng)。消息人士說(shuō)，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。　　2010年5月時(shí)，三星在韓國(guó)京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露說(shuō)，Line-16工廠月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
關(guān)鍵字：三星 NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]