nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器，每頁可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時(shí)還簡化了存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，在舊金山國際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
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蘋果iPod降價(jià)舉動(dòng)波及亞洲NAND制造商

　受蘋果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂播放器價(jià)格影響，三星電子和其它亞洲存儲(chǔ)芯片制造商的股票價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下滑。　　很明顯，蘋果的降價(jià)舉動(dòng)引發(fā)人們擔(dān)心字音樂播放器里應(yīng)用的芯片價(jià)格可能會(huì)大幅下降。　　在其數(shù)字音樂播放器里采用NAND芯片的蘋果公司周二調(diào)降了其最廉價(jià)機(jī)型iPod Shuffle的價(jià)格，并推出了中端iPod Nano的一個(gè)容量較小的版本。　　據(jù)分析家稱，受淡季需求降低影響，NAND芯片價(jià)格最近急劇回落，蘋果的舉動(dòng)反應(yīng)了這一趨勢，同時(shí)也加劇了投資者對芯片制造商的
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三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)。” 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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NAND新應(yīng)用層出不窮價(jià)格不斷降低

隨著NAND閃存成本每年下跌40%，對NAND的新應(yīng)用尤其是計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。今年晚些時(shí)候，將有帶閃存的硬盤與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時(shí)出售。 “理論上，硬盤不必一直運(yùn)行，”三星（歐洲）公司高級存儲(chǔ)器部門經(jīng)理
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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲(chǔ)器

NAND閃存市場2009年將漲三倍

據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)In-Stat預(yù)測，到2009年時(shí)NAND閃存的市場規(guī)模將從2004年的50億美元增長到180億美元。　　NAND閃存由于在存儲(chǔ)容量和價(jià)格上頗具優(yōu)勢，因此主要應(yīng)用在存儲(chǔ)卡和U盤上面。據(jù)In-Stat稱，由于消費(fèi)電子產(chǎn)品對于成本非常敏感，因此NAND閃存在存儲(chǔ)卡市場上仍將大有作為。　　In-Stat高級研究員Frank Dickson表示：“由于市場需求旺盛，閃存市場發(fā)展非常迅速，NAND閃存當(dāng)然也不例外?！?nbsp
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]