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基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設計

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
關鍵字： FLASH NAND 大容量存儲

存儲器思謀發(fā)展

　　存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory，外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發(fā)展。　　
關鍵字：存儲器 NAND 201105

Gartner認為SSD將在明年成為市場主流

　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
關鍵字： NAND SSD

NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應用

0 引言　　計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
關鍵字： FLASH NAND 儲存測試系統(tǒng)

三星量產新型NAND閃存芯片

　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。　　
關鍵字：三星 NAND

NAND Flash大廠積極制程轉換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調機構TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
關鍵字：三星電子 NAND

三星與海力士提升NAND Flash芯片產量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。　　
關鍵字：三星 NAND Flash

三星、海力士擴大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。　　
關鍵字：三星 NAND 移動設備

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業(yè)將持續(xù)供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。　　
關鍵字：美光 NAND

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

　　據(jù)韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。　
關鍵字：閃存 NAND

東芝將量產19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。　
關鍵字：東芝 NAND

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結構分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結構分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關鍵字：結構分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程NAND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產品，并稱這款產品將于年內在IMFT屬下的工廠開始生產。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司?！?/li>
關鍵字：東芝 NAND

NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應了在上個月日本發(fā)生嚴重的地震中斷了供應鏈之后其它存儲芯片價格的情況。　　
關鍵字： NAND 閃存芯片

IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。　　
關鍵字： Micron NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]