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Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創(chuàng)性LDPC技術支持TLC NAND閃存

  •   全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術,使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能?! arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
  • 關鍵字: Marvell  控制器  NAND  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

  •   科研投資   日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說:2012年日本國內(nèi)半導體產(chǎn)值約5萬億日元,占GDP的5%,但它對應用半導體的服務業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計算,半導體產(chǎn)生的經(jīng)濟效益約為100萬億日元 ,兩者之比達到1:20,如此給力,誰不動心?!但是,半導體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè),沒有國家的大力支持,沒有生產(chǎn)設備和科研經(jīng)費的巨大投入,那是美夢難圓的。   半導體設備投資也是引導世界經(jīng)濟增長的要素之一,它每年投資計劃的發(fā)表還常關聯(lián)到生產(chǎn)設備、材料公司的股
  • 關鍵字: 半導體  NAND  IC  201405  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  •   智慧之石  作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件,已經(jīng)歷了三個巨大變革時代:1.?電子管時代――1905~1947(42年);2.?晶體管時代――1947~1958(11年);3.?集成電路時代――1958~…(到2014年已有56年)。  電子管的發(fā)明拉開了電子時代的序幕,為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時間里,推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關鍵字: NAND  DRAM  PC  201404  

2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%

  •   全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  •   存儲器大廠美光擴大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。   展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外,封測臺廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。   美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。   為進一步集成DRAM封測業(yè)務,去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
  • 關鍵字: 存儲器  NAND  

武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結構:
  • 關鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理,從2012年底起獨立經(jīng)營。
  • 關鍵字: XMC  存儲器  NAND  

東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準,旨在應用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
  • 關鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動程序。
  • 關鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當前,Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領導地位。
  • 關鍵字: Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

可管理NAND:適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比,現(xiàn)在的移動消費電子裝置結構復雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲...
  • 關鍵字: NAND    移動設備    大容量存儲  

10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

  •   市調(diào)機構集邦科技預期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外,不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲,同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象,不過,海力士無錫廠復工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。   集邦預期,近期1至2個月
  • 關鍵字: 快閃存儲器  NAND  

用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提:已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
  • 關鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

采取多元化戰(zhàn)略,加強在華合作

  • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議??梢?,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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