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mlc nand 文章 最新資訊

NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
  • 關鍵字： NAND  閃存  

NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
  • 關鍵字： NAND  UFS  

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

中國產能逐漸開出 內存價格2019將下滑

  • 　　內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑?！　≠Y策會MIC資深產業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應用帶動。　　洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產業(yè)產值將成長25%，產
  • 關鍵字： 內存  NAND  

IHS公布二季度半導體銷售排行榜：三星又當第一

  • 　　由于持續(xù)受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！　「鶕袌鲅芯繖C構IHS Markit的統(tǒng)計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%?！　∫园雽w銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7
  • 關鍵字： 三星  NAND  英特爾  

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法

  • 　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數據存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
  • 關鍵字： NAND  NIOS II  FPGA  

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕l(fā)布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測。　　如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

  • 　　NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
  • 關鍵字： NAND  SSD  

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網訊：X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)
  • 關鍵字： SLC  MLC  TLC  區(qū)別  

中國存儲三大陣營相繼試產,兩年后或取得全球產業(yè)話語權

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響?！　《S著中美貿易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳?，中國存儲器產業(yè)已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產8
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

三星150億美元擴大NAND產能：SSD要繼續(xù)降價

  • 　　據韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！　∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。　　有報道稱，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
  • 關鍵字： 三星  NAND  

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

  • 　　近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
  • 關鍵字： NAND  CAPEX  

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。　　該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   

2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

  • 　　在2018年第一季度，全球半導體產業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁。　　隨著企業(yè)和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
  • 關鍵字： 無線通訊  NAND  
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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄 　　1定義 　　2MLC芯片特點 　　3與SLC對比 　　1定義 　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。 　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。 　　2MLC芯片特點 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]

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