mlc nand 文章最新資訊

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

　　根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！　　　?jù)介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！　?jù)報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
關鍵字：東芝西數(shù) NAND

存儲市場寡頭競爭，中國能否突出重圍

事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數(shù)字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代，這種投入十分必要。
關鍵字： NAND 存儲器

中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴?！　№n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個原因?！　∈紫?，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業(yè)的影響。
關鍵字： NAND DRAM

IC Insights：大陸半導體制造困難大，五年后自制率不過半

ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠低于政府的目標。報告指出，2018年大陸半導體市場為......
關鍵字：半導體晶圓 NAND

韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐

根據(jù)韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質疑?！　o獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?　
關鍵字：存儲器，NAND

集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。　　DRAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
關鍵字： NAND 東芝

存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點2018

存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
關鍵字：存儲器 NAND

中天弘宇：攻克核心設計缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當今數(shù)據(jù)存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
關鍵字： NOR NAND 存儲器

半導體設備廠商競爭格局生變？

　　半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應用材料公司的市場份額比Lam
關鍵字： ASML NAND

突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學術界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
關鍵字：數(shù)據(jù) 存儲傲騰 QLC 3D NAND

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后，內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊?，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
關鍵字： DRAM NAND

存儲領域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢。　　　　3D NAND將思路從提高制造工藝轉
關鍵字：存儲 NAND

晉華事件透視：存儲器壟斷暴利之痛如何終結？

壟斷加劇供求失衡，導致價格上漲，壟斷導致的暴利，是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
關鍵字：存儲器 NAND

存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢?！　〈鎯ζ髟瓘SQ3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動”　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
關鍵字：存儲器 NAND

產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

　　CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
關鍵字：閃存 3D-NAND

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點　　3與SLC對比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點　　1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]