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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過(guò)低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測(cè)試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場(chǎng)上買(mǎi)家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫(kù)存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買(mǎi)貨增加庫(kù)存，使得上周現(xiàn)貨市場(chǎng)方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
關(guān)鍵字： DDR2 NAND 價(jià)格閃存

基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對(duì)NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類(lèi)產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號(hào)處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲(chǔ)器

NAND閃存市場(chǎng)2009年將漲三倍

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)In-Stat預(yù)測(cè)，到2009年時(shí)NAND閃存的市場(chǎng)規(guī)模將從2004年的50億美元增長(zhǎng)到180億美元。　　NAND閃存由于在存儲(chǔ)容量和價(jià)格上頗具優(yōu)勢(shì)，因此主要應(yīng)用在存儲(chǔ)卡和U盤(pán)上面。據(jù)In-Stat稱(chēng)，由于消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)于成本非常敏感，因此NAND閃存在存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上仍將大有作為。　　In-Stat高級(jí)研究員Frank Dickson表示：“由于市場(chǎng)需求旺盛，閃存市場(chǎng)發(fā)展非常迅速，NAND閃存當(dāng)然也不例外?！?nbsp
關(guān)鍵字： NAND

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　3與SLC對(duì)比　　1定義　　MLC 全稱(chēng)為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過(guò)使用大量的電壓等級(jí)，每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱(chēng)可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點(diǎn)與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]