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盤點2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整個產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
  • 關(guān)鍵字： 芯片，GaN  

第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！　嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
  • 關(guān)鍵字： 半導體  SiC  GaN  

QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領先優(yōu)勢

  • 　　移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業(yè)務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本。　　據(jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
  • 關(guān)鍵字： QORVO  GAN  

德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

  •     在多倫多一個飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設備?！　≡谀莻€雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  GaN  

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新

  • 　　從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?！　」桦娫醇夹g(shù)領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個至關(guān)重要的因素。　　“工程師現(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
  • 關(guān)鍵字： GaN，機器人  

當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

  • 　　當今的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化?　　哪些因素在推動變革?　　半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅(qū)動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
  • 關(guān)鍵字： 射頻半導體  GaN  

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應用

  • 　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  GaN  

SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

  •    SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的。　　在現(xiàn)實世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。　　比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應用，如逆變器或馬達驅(qū)動控制器，或者正在設
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

納微將在國際電力電子大會上發(fā)布GaNFast成果

  •     納微(Navitas)半導體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應用會議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進展推動業(yè)界實現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會打造能效、功率密度和快速充電的全新基準。     這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應用。納微將展示客戶
  • 關(guān)鍵字： GaN  電源  IC  

意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

  • 　　橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能夠滿足高能效、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器?！　”竞献黜椖康闹攸c是開發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認為，該市場將在2019年至2024[1]年有超過2
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  GaN   

兩個指標讓GAN訓練更有效

  • 　　生成對抗網(wǎng)絡(GAN)是當今最流行的圖像生成方法之一，但評估和比較 GAN 產(chǎn)生的圖像卻極具挑戰(zhàn)性。之前許多針對 GAN 合成圖像的研究都只用了主觀視覺評估，一些定量標準直到最近才開始出現(xiàn)。本文認為現(xiàn)有指標不足以評估 GAN 模型，因此引入了兩個基于圖像分類的指標——GAN-train 和 GAN-test，分別對應 GAN 的召回率(多樣性)和精確率(圖像質(zhì)量)。研究者還基于這兩個指標評估了最近的 GAN 方法并證明了這些方法性能的顯著差異。上述評估指標表明，數(shù)據(jù)集復雜程度(從 CIFAR10 到
  • 關(guān)鍵字： GAN  

確定 GaN 產(chǎn)品可靠性的綜合方法

  • TI正在設計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全
  • 關(guān)鍵字： GaN  可靠性  綜合方法  

GaN，能拯救電源工程師嗎？

  • 作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1)，以及平均電流的計算是
  • 關(guān)鍵字： GaN  升降壓  電源  

寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

  • 　　行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效?！　⊥瑫r，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

氮化鎵IC如何改變電動汽車市場

  • 隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳能源和節(jié)能運輸轉(zhuǎn)移，節(jié)能汽車產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)。如今，整個電動汽車(EV)市場的增長率已經(jīng)超過傳統(tǒng)內(nèi)燃機(ICE)汽車市場增長率的10倍。預計到2040年，電動汽車市場將擁有35%的新車銷量份額，對于一個開始批量生產(chǎn)不到10年的市場而言，這樣的新車銷售份額是引人注目的。
  • 關(guān)鍵字： EV  GaN  IC  201807  
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