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TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%，超越 Mobile DRAM

  • IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報(bào)告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報(bào)告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對(duì)強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
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威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長動(dòng)能

  • IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺(tái)幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫存策略，并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化，預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費(fèi)性需求回籠，以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長動(dòng)能。威剛董事長陳立白進(jìn)一步指出，目前公司對(duì)內(nèi)存景氣展望不變，預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫存擠壓嚴(yán)重，各類儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌：最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報(bào)道稱主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對(duì)終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎，甚至預(yù)測到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價(jià)可以選擇入手！
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TrendForce：預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報(bào)告指出，全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì)，四家廠商服務(wù)器采購量由原先預(yù)估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%，進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對(duì)于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準(zhǔn)測試中的性能
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美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器中完成驗(yàn)證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番。升級(jí)到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運(yùn)行次數(shù)）的基準(zhǔn)測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性
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美光DDR5為第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番，為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺(tái)處理器的計(jì)算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強(qiáng)??可擴(kuò)展處理器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，可為各
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級(jí)（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號(hào)為 Sapphire Rapids）兼容認(rèn)證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲(chǔ)器認(rèn)證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對(duì)增長趨勢的服務(wù)器市場，盡早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺(tái) EUV 光刻機(jī)

  • IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩，三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計(jì)劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級(jí) DRAM。截至今
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三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計(jì)算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步，此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測試。長期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計(jì)算工作負(fù)載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺(tái)提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測試。 長期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測；地震建模；化學(xué)、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

  • IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
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ddr5 dram介紹

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