ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
DDR4今年年底抵達(dá)PC
- DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報(bào)道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的DDR4已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線速度將定位在2133MHz，無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強(qiáng)于前任。 制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的電子設(shè)備工程聯(lián)合協(xié)會(huì)(JEDEC)下個(gè)月將推出DDR4
- 關(guān)鍵字： Micron DDR4
美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成
- 雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內(nèi)存/閃存設(shè)備生產(chǎn)商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個(gè)DDR4 DRAM模組研發(fā)完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測(cè)，預(yù)計(jì)將于2013年正式進(jìn)入市場(chǎng)。 根據(jù)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC的規(guī)劃，服務(wù)器以及企業(yè)市場(chǎng)將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對(duì)比目前的DDR3內(nèi)存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產(chǎn)品和臺(tái)灣南亞科技共同研發(fā)，采用30nm制程工藝。單“條”內(nèi)存模組擁有8塊4Gbit
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英特爾計(jì)劃2014年開始支持DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。 DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
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英特爾計(jì)劃2014年開始支持DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。 DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
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DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V
- JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性，可帶來更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義，目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。
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ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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