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DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!
- 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。 據(jù)悉,用于服務器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。 同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為,DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域,隨后才會逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!
- 內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。 據(jù)悉,用于服務器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。 同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為,DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域,隨后才會逐漸向下普及。但
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UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密
- Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細展示,該演示應用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設計將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上,同時降低接口功耗。為了達
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三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3
- 三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM,預估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3,短期內(nèi)DDR4的價格就會低于相同容量的DDR3。 據(jù)ETNews報導,支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上,促使存儲器業(yè)者加快速度轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。 日前業(yè)界消息傳出,三星
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DRAM價差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價格,代理商對市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價求售,使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標準型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張,也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊,DDR3價格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元,月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM價差縮 研調(diào):DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示,第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫,在需求端拉貨力道不振下,即便原廠力守價格,代理商對市場信心依然持續(xù)減弱,并出現(xiàn)降價求售,使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示,由于PC端需求依舊疲軟,標準型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張,也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊,DDR3價格下殺幅度趨明顯,7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元,月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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瀾起科技攜全新DDR4產(chǎn)品亮相英特爾信息技術(shù)峰會
- 2015年4月8日,一年一度的英特爾信息技術(shù)峰會在深圳熱烈開幕,瀾起科技攜基于全新DDR4內(nèi)存接口套片的服務器平臺亮相峰會現(xiàn)場。 去年9月,瀾起科技DDR4內(nèi)存接口套片在成功通過英特爾公司認證后,便成為亞洲第一家、國內(nèi)唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務器平臺的企業(yè)。 M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)芯片,其性能和速率均遠超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DD
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器
- 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用,可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設計,以及驗證器件與 JEDEC DDR4 標準的一致性。 隨著 DDR4 內(nèi)存標準的發(fā)布,動態(tài)隨機訪問存儲器(DRAM)的數(shù)據(jù)速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲器系統(tǒng)設計工程師正面臨著較之以往更大的挑戰(zhàn),面向高數(shù)據(jù)速率的存儲信號探測變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內(nèi)插器
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Wide I/O、HBM、HMC將成存儲器新標準
- 現(xiàn)行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設計為基礎,其中許多技術(shù)已沿用長達十余年,而今無論是系統(tǒng)總頻寬或中央處理器(CPU)等作業(yè)環(huán)境都不可同日而語。有鑒于此,發(fā)展新的解決方案為眼下業(yè)界的共識,Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標準遂成業(yè)界關(guān)注重點。 據(jù)ExtremeTech網(wǎng)站報導指出,過去近20年來存儲器規(guī)格已從第一代的SDRAM DIMM發(fā)展至DDR4-3200,成長高達48倍。因此,現(xiàn)今業(yè)界雖針對是否應進一步以此標準定義DDR5有所爭議,更多人卻傾向發(fā)展新的存儲
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引進CRC/3DS架構(gòu) DDR4數(shù)據(jù)傳輸性能/可靠度躍升
- 相較前一代記憶體規(guī)格,第四代雙倍資料率(DDR4)新增超過二十種功能,其中,采用循環(huán)冗余校驗碼(CRC)和立體矽堆疊(3DS)技術(shù)更是重大變革,前者可即時檢測資料匯流排上的錯誤訊息,提升可靠度;后者對提升時序和功率效能則大有幫助。 隨著標準不斷演進,新一代記憶體規(guī)范通常著重于提升資料傳輸速率,其他方面僅略做調(diào)整,但第四代雙倍資料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相時,便新增超過二十種功能,比先前DDR規(guī)格足足多一倍。 前幾代的DDR規(guī)格創(chuàng)新,主要目標是提供更快速度或更廣泛的應用,然而,
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ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]
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