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美光科普：為何手機(jī)都LPDDR5了 電腦內(nèi)存還是DDR4

  • 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。為什么電腦上的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)看起來要比手機(jī)內(nèi)存要慢呢？美光官方公眾號日前科普了手機(jī)LPDDR5內(nèi)存與電腦DDR4內(nèi)存的區(qū)別。LPDDR此前與DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)密切相關(guān)，前者基本上都是基于后者的技術(shù)演化而來的，比如，LPDDR2是在DDR2基礎(chǔ)上演化而來的，依次類推。從LPDDR4內(nèi)存開始有了變化，二者開始走上不同的發(fā)展道路，DDR仍然通過提高核心頻率來提升性能
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需求疲軟+中國制造入市，全球存儲芯片價格掉頭向下

  • （文/觀察者網(wǎng) 一鳴）在長鑫存儲、長江存儲相繼取得突破，開始進(jìn)入DRAM、NAND為代表的半導(dǎo)體存儲器市場之際，存儲器行情開始下跌。據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月14日報道，PC 8GB DDR4存儲器的6月大單優(yōu)惠價格為每個3.1美元左右，比上月下跌約7%。4GB產(chǎn)品也下跌約5%，降至2.2美元左右。圖片來源：日經(jīng)中文網(wǎng)這是二者時隔6個月后的再次下跌。用于個人電腦數(shù)據(jù)長期存儲的NAND型閃存情況也不容樂觀，TLC（三電平單元）的256GB產(chǎn)品6月大單優(yōu)惠價格為每個3.95美元左右，比上月下跌約7％。此前受新冠疫情的影
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四通道DDR4內(nèi)存超頻新世界紀(jì)錄：讀取超136GB/s

  • 無論CPU處理器、GPU顯卡、內(nèi)存，超頻一般都是提升頻率，而十銓科技(Team Group)玩了一把特殊的，超內(nèi)存的讀寫速度。在十銓科技的幫助下，超頻高手LeeGH搭建了一套Intel酷睿i9-9940X 14核心處理器、華碩ROG Rampage VI Extreme Encore(X299)主板組成的平臺，使用四根十銓科技的T-Force Xtreem ARGB DDR4-3200(三星顆粒)，組成四通道配置。最
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國產(chǎn)長鑫芯片！光威弈PRO 16GB DDR4-3000內(nèi)存條上架

  • 日前紫光國芯的DDR4內(nèi)存條出現(xiàn)在京東商城,包括臺式機(jī)、筆記本兩種類型,價格方面4GB 129元、8GB 219元,但不清楚內(nèi)存芯片是否為紫光自產(chǎn)。其實今年2月底,長鑫存儲官網(wǎng)就開始公開銷售自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,官方還強(qiáng)調(diào)是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,但因為主要主要面向行業(yè)客戶,沒有公開報價。現(xiàn)在,主打性價比的內(nèi)存品牌光威(Gloway)邁出了歷史性的一步,官方網(wǎng)站新上架了羿PRO系列內(nèi)存,赫然采用長鑫DDR4內(nèi)存芯片!根據(jù)介紹,光威羿PRO系列內(nèi)存單條容量8G
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紫光國芯國產(chǎn)DDR4內(nèi)存上架：8GB 2400MHz只要219元

  • 這幾年,國產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進(jìn),硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲紛紛取得新突破,但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因,普通消費市場上是不太容易看到的。不久前,長鑫存儲開始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺式機(jī)和筆記本內(nèi)存、LPDDR4X低功耗內(nèi)存,號稱是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,但需要單獨咨詢采購,沒有公開報價?，F(xiàn)在,紫光集團(tuán)旗下紫光國芯(UnilC)的內(nèi)存也上市了,而且公開上架京東商城,價格也如你所愿。紫光內(nèi)存首批上架兩個系列三款型號,其中臺式機(jī)內(nèi)存單條容量4GB、8GB,筆記本內(nèi)存單條容量4GB,均為無馬甲普條,
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長鑫官方開賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單條8GB 2666MHz

  • 對于國產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運的是各項突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。長鑫存儲官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。據(jù)介紹,長鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場需求,支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別強(qiáng)調(diào),這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。根據(jù)此前消
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7nm銳龍線程撕裂者很好很強(qiáng)大,帶火單條32GB內(nèi)存

  • 今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價的苗頭了，不過總體來看目前的內(nèi)存價位還是不錯的，8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個趨勢值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩歡迎，因為AMD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內(nèi)存平臺的首選。
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內(nèi)存現(xiàn)貨價狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價17%

  • 以前降價的時候一個季度也不過10%-15%的降價,最近這一個月來,內(nèi)存價格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價的動機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

  • 我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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傳合肥長鑫年底量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：19nm工藝、8Gb核心

  • 前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設(shè)DRAM內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對國產(chǎn)芯片，尤其是內(nèi)存來說是一個大事件。不過在紫光之前，我們可能看到的第一個國產(chǎn)內(nèi)存應(yīng)該是合肥長鑫公司的，他們比紫光做內(nèi)存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達(dá)72億美元（約合494億人民幣），將建設(shè)一座月產(chǎn)能12.5萬晶圓的內(nèi)存廠，目前工廠建設(shè)已經(jīng)進(jìn)入了尾聲，正在進(jìn)行設(shè)備安裝、調(diào)試階段。最新消息顯示，合肥長鑫的進(jìn)展還跟順利，已經(jīng)提前進(jìn)行機(jī)臺安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國內(nèi)第一批內(nèi)存。根據(jù)合肥長鑫之前公
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威剛發(fā)布單條32GB DDR4內(nèi)存：美光小S顆粒

  • 威剛Premier DDR4系列高端內(nèi)存產(chǎn)品線今日全面升級單條32GB，桌面型的U-DIMM、筆記本型的SO-DIMM都有。
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威剛發(fā)布XPG Spectrix D60G DDR4內(nèi)存：9497平方毫米RGB面積

  • 如今的高端硬件產(chǎn)品離開RGB簡直沒法活，燈效越來越靚，面積也越來越大。今天，威剛發(fā)布了新款XPG Spectrix D60G DDR4內(nèi)存，信仰燈更是登峰造極。
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LPDDR3并不一定弱 實測對比單雙通道DDR4

  • 目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。
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最新進(jìn)展！國產(chǎn)內(nèi)存DDR4已經(jīng)開發(fā)已完成

  • 不過距離國產(chǎn)內(nèi)存真正上市，還有很遠(yuǎn)的路要走，目前國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存正在后續(xù)的修正當(dāng)中，只是到了研發(fā)的尾聲，還要再完善一下。
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長江存儲3D NAND架構(gòu)Xtacking揭秘：I/O速度看齊DDR4

  • 　　談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其實閃存芯片也有內(nèi)部接口，LGA/BGA都有引腳，所以就有引腳帶寬，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解為內(nèi)頻?！　〗癯拷Y(jié)束的Flash Memory Summit(閃存技術(shù)峰會)的首日Keynote上，長江存儲(Yangtze Memory Technology，YMTC)壓軸出場，介紹了新的3D NAND架構(gòu)Xtacking?！　￠L江存儲稱，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的能力和貯存能力的增長是
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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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