600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應(yīng)用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(jī)(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用。然而，GaN器件在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多
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GaN，助力6G

新的基于 GaN 的架構(gòu)將使海量數(shù)據(jù)的通信和傳輸變得更加容易。
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新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測試

_____隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，針對(duì)功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測試）主要針對(duì)傳統(tǒng)的硅基功率器件。對(duì)于新型的SiC等功率器件，AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步要求增加動(dòng)態(tài)老化測試，如動(dòng)態(tài)柵偏和動(dòng)態(tài)反偏測試。
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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動(dòng)市場發(fā)展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院（MIT）的研究人員于 2012
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革新電力電子：氮化鎵雙向開關(guān)

傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關(guān)的基本限制。當(dāng)需要雙向電壓阻斷時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須使用多個(gè)分立元件實(shí)現(xiàn)背靠背配置，導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會(huì)引入額外的寄生元件，從而影響開關(guān)性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設(shè)備無法獨(dú)立控制雙向電流流，限制了它們?cè)诟呒?jí)電源轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械膽?yīng)用。圖片由 Adobe Stock 提供隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關(guān)的方法，在
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GaN可靠性里程碑突破硅天花板

半導(dǎo)體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵（GaN）越來越受到關(guān)注，因?yàn)樗梢詽M足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動(dòng)型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競爭者。進(jìn)展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設(shè)備性能從外延開始對(duì)于 G
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通過集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡化GaN電源設(shè)計(jì)

高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競爭對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板（PCB）的占地面積要求，同時(shí)簡化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無鉛（TOLL）封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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【對(duì)話前沿專家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

_____在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。香港科技大學(xué)在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設(shè)計(jì)、性能優(yōu)化和應(yīng)用開發(fā)等多個(gè)方面。通過與國際科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的合作，港科大團(tuán)隊(duì)不僅推動(dòng)了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了重要的技術(shù)支持。黃文海教授的團(tuán)隊(duì)主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優(yōu)化晶體生長工藝，通過改進(jìn)熔體生長技術(shù)，成
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更
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電感的失效分析

1、電感本質(zhì)我們通常所說的電感指的是電感器件，它是用絕緣導(dǎo)線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應(yīng)元件。在電路中，當(dāng)電流流過導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電磁場，電磁場的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理量。給一個(gè)線圈通入電流，線圈周圍就會(huì)產(chǎn)生磁場，線圈就有磁通量通過。通入線圈的電源越大，磁場就越強(qiáng)，通過線圈的磁通量就越大。實(shí)驗(yàn)證明，通過線圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數(shù)，也叫做電感。1.2 電感分類按電感形式分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈
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功率電感器的額定電流為什么有兩種？

在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當(dāng)?shù)碾姼衅鳎軌颢@得較高的轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感器時(shí)所使用的主要參數(shù)有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數(shù)中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？為了回答這樣的疑問，我們?cè)谶@里對(duì)功率電感器的額定電流進(jìn)行說明。存在兩種額定電流的原因功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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