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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢

  • NAND閃存價格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個季度了,廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況,另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發(fā),今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,號稱是首個4D NAND閃存,今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit。
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產(chǎn)業(yè)高點已過,2019年閃存價格恐跌40%

  •   CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調(diào)查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇,各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長,也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長幅度來到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元,季成長約為5%,值得注意的是,也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素

  •   前言  多年來,全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦,如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移,結(jié)構(gòu)上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求,而且此技術(shù)已經(jīng)驗證,可提供高性能,低功耗,并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比,每存儲單位比特成本更低,其價值不言而喻?! ∽畛?,NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸,從而增加存儲密度,降低相對應成本。遺憾的是,2D 或平面 NAND 閃存
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貿(mào)澤9月新添300余新品

  •     致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics),首要任務(wù)是提供來自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度。     貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過302種新品,這些產(chǎn)品均可以當天發(fā)貨。     貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括:Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進的接口和低引腳數(shù),簡單易用,是適用于代碼映射應用的簡單解決方案。先進的安全技
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大容量時代:閃存市場競逐5G機遇

  •   5G時代的漸行漸近。對消費群體而言,5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說,則是新的機遇。在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS20  5G時代的漸行漸近?! οM群體而言,5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說,則是新的機遇?! ≡诮张e行的“中國閃存市場峰會(CFMS2018)”上,中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示,2018年全球半導體市場規(guī)模將達1500億美元,其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過570億美元,而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%,
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NAND閃存大科普

  •   在半導體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣??! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼糜诮徊娲嫒『笈_管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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詳解Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

  • 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件,與場效應管有相同
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閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  •   幾年前突然“大火”的存儲行情,給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然,市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價的趨勢,有望持續(xù)到 2019 上半年?! RAMeXchange 報告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價格,預計將下降 10% 。集邦認為,市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能,是推動這一趨勢的主要原因。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

  • 外界普遍認為,中國存儲芯片公司逐步擴大產(chǎn)能,全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

  •   對于關(guān)注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說,從明年開始將會有實質(zhì)性的成果,因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱,2019年,中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前,長江存儲正在準備的第一個訂單是,生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡,訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。  在新產(chǎn)品方面,長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存,計劃在2018年年底前推出樣品?! 「L江存儲不同的是,晉華公司和Innotron主要負責DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
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被稱為中國“西部硅谷”的西安,在半導體科技領(lǐng)域有哪些實力?

  • 對接資本市場,對接國家戰(zhàn)略,充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢,西安完全有可能創(chuàng)造出一個千億級的產(chǎn)業(yè)。
  • 關(guān)鍵字: 半導體  閃存  三星  

下半年閃存芯片行情疲軟:SSD價格或持續(xù)下滑

  •   TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告,稱2018下半年,NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升,市場會處在一種供需平衡的局面,從而自然延續(xù)NAND Flash合同價的下降趨勢?! 蟾娣Q,由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期,所以在上半年,閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下,一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的擴張,以避免價格走到崩盤的
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賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案,助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應用

  • 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導體公司(納斯達克代碼:CY)日前宣布,正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域,為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng),是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標準,在汽車和工業(yè)的極端溫度應用環(huán)境中,仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
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閃存陣營戰(zhàn)火起,2018誰爭鋒!

  •   分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。   華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當中可謂橫空出世,較上年同期飆升十倍。與此同時,NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長超過四倍。   當然,這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實實在在的,如今華為公司銷售額已經(jīng)達到8410萬美元,這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機會。   相關(guān)數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動,并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
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三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘:6000片晶圓報廢

  •   閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上,智能手機、自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊,極大推進了發(fā)展。不過,Digitimes 3月14日發(fā)回報道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故,TechNews預計損失相當于3月份的全球供應的3.5%。   雖然停電僅持續(xù)了半小時,但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產(chǎn)量的11%。   三星方面則表示,備用電源(設(shè)計為20分鐘)的有效啟動應對了突發(fā)狀況,所以不會對閃存運營造成顯著影響。   據(jù)DRAMeXchange(集
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閃存介紹

【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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