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閃存革命:打開新世界的大門

  • 三星16 TB硬盤打開了新世界的大門
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思:這個東西屬不屬于PCM?

  •   美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。        3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。   本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進行了咨詢,并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點,該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。   本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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麻省理工證實:大數(shù)據(jù)時代,閃存和RAM一樣快!

  • 用在對的地方,才是好東西。
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不只手機平板 閃存無處不在

  • 看新聞的時候您正在使用閃存,玩游戲的時候您正在使用閃存,打電話的時候您正在用閃存,拍照的時候你也正在用閃存。我們生活中完全離不開閃存,但是你注意過生活中這些小而重要的東西嗎?
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東芝攜強大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

  •     日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,東芝攜其強勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發(fā)布會,推出促進人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案:Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會 人為本”的企業(yè)理念,致力于打造放心、安全、舒適的社會。
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高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

  •   全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。   東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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東芝:泄密了的閃存技術(shù)走勢

  •   全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%?! |芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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無NAND之地:閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心?

  •   NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示,磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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閃存存儲技術(shù)迅速走向成熟

  •   閃存技術(shù)在中國這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進的發(fā)展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價格門檻,正在逐步降低,未來閃存的可靠性會和價格一齊下降,但我們能夠通過系統(tǒng)軟件來更好地實現(xiàn)閃存的利用價值?! artner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾  2013年的中國閃存市場  Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價格成本下降41%,這是一個非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代 閃存能否成棟梁

  •   隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展,全球數(shù)據(jù)量每兩年翻倍的速度增長,人們選用的存儲介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化,到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達到44ZB。如此高速增長的數(shù)據(jù),采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁?      俗話說:以史為鑒,可以知興替?;仡欉^往,存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式,磁帶存儲沒有消亡,但磁盤占了主流。當(dāng)前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式,未來磁盤存儲不會消亡,但閃存勢必會占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM:抓住閃存細分市場需求

  • 當(dāng)前,基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點,市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認閃存對于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯,無論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗證,尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降,閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢必然加快。同時,隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動化四大趨勢的來臨,超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進一步,傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求,超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

  •   近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場?! RAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點?! DK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤同比降5%

  •   10月17日,美國閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財年第三季度財報。財報顯示,由于重組和收購導(dǎo)致成本增長9%,SanDisk第三季度凈利潤同比下滑5%。由于業(yè)績未達分析師預(yù)期,SanDisk股價在盤后交易中下跌3%。   在截至9月28日的今年第三季度,SanDisk凈利潤為2.627億美元,合每股收益1.09美元,上年同期凈利潤為2.769億美元,合每股收益 1.18美?元;不計入一次性支出,SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時,第三季度SanDisk營收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示:快7倍

  •   近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。   MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。   TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示:快7倍

  •   MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲技術(shù)的原型。
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閃存介紹

【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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