閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

市場(chǎng)報(bào)告：蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%閃存

　　根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trendforce的最新報(bào)告，蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。蘋(píng)果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋(píng)果通常會(huì)配備1GB運(yùn)行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快，不過(guò)增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤(pán)替代。在移
關(guān)鍵字：蘋(píng)果閃存

中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際閃存

SanDisk宣布11億美元收購(gòu)Fusion-io

　　北京時(shí)間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購(gòu)閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。　　根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤(pán)價(jià)溢價(jià)21%。　　SanDisk預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于其第三財(cái)季完成，并將幫助提高其下半財(cái)年調(diào)整后每股盈利。　　Fusion-io位于美國(guó)鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
關(guān)鍵字： SanDisk 閃存

東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速M(fèi)IPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實(shí)現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫(xiě)入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
關(guān)鍵字：東芝嵌入式閃存

TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)將于2014年8月開(kāi)始銷(xiāo)售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí)，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。　　因此，考
關(guān)鍵字： TDK 閃存 SNG4A

Spansion 對(duì)旺宏電子發(fā)起另外兩項(xiàng)專(zhuān)利訴訟

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對(duì)旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項(xiàng)專(zhuān)利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲(chǔ)產(chǎn)品中，在過(guò)往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專(zhuān)利。Spansion 分別向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書(shū)。　　涉案的四項(xiàng)專(zhuān)利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
關(guān)鍵字： Spansion 旺宏 ITC 閃存

美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門(mén)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國(guó)的前景，因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì)，比如開(kāi)發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開(kāi)發(fā)各種解決方案。此外美光
關(guān)鍵字： NOR 智慧城市節(jié)能環(huán)保閃存

LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級(jí)PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長(zhǎng)?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對(duì)磁盤(pán)數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲(chǔ)環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對(duì)于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！　SI?&nb
關(guān)鍵字： Nytro LSI 閃存

英特爾固態(tài)盤(pán)：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

　　在今天開(kāi)幕的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(pán)(SSD)的市場(chǎng)狀況、發(fā)展趨勢(shì)以及英特爾固態(tài)盤(pán)業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析。　　日益增長(zhǎng)的固態(tài)盤(pán)市場(chǎng)需求　　從1987年至今，非易失性存儲(chǔ)器也早已從NOR時(shí)代切換到了NAND時(shí)代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時(shí)代進(jìn)入了TB時(shí)代?！笆紫龋覀兒芨吲d地看到，固態(tài)盤(pán)在市場(chǎng)需求方面，將保持高速成長(zhǎng)的勢(shì)頭，”?
關(guān)鍵字：英特爾 SSD TB 閃存

Spansion 與 ISSI 簽署授權(quán)協(xié)議

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進(jìn)存儲(chǔ)與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專(zhuān)利組合，以開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品?！　SSI?閃存業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對(duì)于能夠與Spansion&n
關(guān)鍵字： Spansion ISSI 閃存

一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測(cè)試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲(chǔ)器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測(cè)試時(shí)間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測(cè)方案。
關(guān)鍵字：可編程閃存 SRAM SST SCE

RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法

　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。對(duì)于無(wú)內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
關(guān)鍵字：閃存編程 RL78

瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)?！　‖F(xiàn)代發(fā)動(dòng)機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來(lái)的進(jìn)一步系統(tǒng)升級(jí)。高速實(shí)時(shí)處理，例如根據(jù)對(duì)多個(gè)傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換將成為必備功能，車(chē)用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車(chē)臨時(shí)停車(chē)時(shí)關(guān)掉發(fā)
關(guān)鍵字：瑞薩 MCU 28nm 閃存

Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
關(guān)鍵字： Spansion 嵌入式閃存

LSI加盟OCP并貢獻(xiàn)多款設(shè)計(jì)

LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻(xiàn)兩款存儲(chǔ)基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： LSI OCP 閃存

共577條 15/39 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]