閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

LSI宣布構(gòu)建最新渠道體系，滿足大數(shù)據(jù)增長需求

LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布，將在中國構(gòu)建強(qiáng)大且面向存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)加速解決方案的渠道體系的戰(zhàn)略。為此LSI提出了五大渠道戰(zhàn)略：
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

　　根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。　　其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元)，達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個(gè)季度增長。　　瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達(dá)到1739億日元。然而，在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營虧
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非易失性存儲(chǔ)器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增 ...
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MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配

MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織 ...
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NAND閃存深入解析

對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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德州儀器聯(lián)手Continental推出65 納米安全ARM? Cortex? 微控制器

日前，德州儀器 (TI) 與國際汽車供應(yīng)商 Continental 愉悅宣布，雙方合作推出首款支持閃存技術(shù)的 65 納米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量產(chǎn)。支持電子制動(dòng)系統(tǒng) (PACE) 高級(jí)控制的 Continental 處理器是 Continental MK 100 系列電子穩(wěn)定控制 (ESC) 系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
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生產(chǎn)商過多 NOR閃存前景黯淡

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡報(bào)，NOR閃存市場(chǎng)2013年一定會(huì)再度面臨挑戰(zhàn)。該市場(chǎng)中廠商眾多，都在爭(zhēng)食一張日益萎縮的大餅。　　今年NOR營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元下降到34.1億美元左右，這將只是2004年93億美元峰值的40%。雖然該產(chǎn)業(yè)一直積極建立多存儲(chǔ)(multimemory)策略以提高業(yè)務(wù)多元化和改善NOR前景，但未來的營業(yè)收入前景仍然令人泄氣。　　尤其是，在一個(gè)已經(jīng)比較分散和不斷萎縮的市場(chǎng)中竟然有16家以上的NOR廠商，全部廠商都繼續(xù)成長和共存似乎不太可
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NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，NOR閃存前景不妙。在智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域，NOR已經(jīng)輸給NAND閃存。　　今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。與10年前的輝煌時(shí)期相比，近幾年NOR營業(yè)收入水平相形見絀。2004年光景最好的時(shí)候，NOR營業(yè)收入創(chuàng)出了90億美元的最高記錄。　　2013年NOR營業(yè)收入將進(jìn)一步降至34.1億美元，2014年降到32.5億美元，2015和2016年略有回升，然后2017年降到32.7億美元，
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NAND閃存去年第四季度意外增長

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
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閃存與磁盤的區(qū)別

在過去的幾年里，閃存與磁盤之間的爭(zhēng)議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了，而是更多地關(guān)注其性價(jià)比，以及它在現(xiàn)代化軟件定義數(shù)據(jù)中心作為一個(gè)關(guān)鍵的構(gòu)建模塊的接受力度。
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閃存出錯(cuò):軟件錯(cuò)誤還是電源電壓故障(下)?

當(dāng)任意一個(gè)電源電壓低于其閾值時(shí)，激活CPU復(fù)位可以最大限度地降低閃存出錯(cuò)的可能性。這可以防止在電源故障條件下，繼續(xù)執(zhí)行代碼。復(fù)位發(fā)生器激活CPU復(fù)位信號(hào)及閃存的寫保護(hù)信號(hào)。在某些情況下，復(fù)位發(fā)生器的輸出并不是直接用于CPU復(fù)位。相反，它被連接到一個(gè)CPLD來執(zhí)行一個(gè)復(fù)位分配算法。
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級(jí)本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
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鴻利會(huì)稱2013智能機(jī)成閃存最大消費(fèi)者

據(jù)媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli預(yù)期，2013年手機(jī)將成為全球最大的閃存消費(fèi)產(chǎn)品，這主要得益于智能手機(jī)在全球技術(shù)市場(chǎng)中地位的日益凸顯。　　目前，市場(chǎng)上有大量產(chǎn)品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機(jī)閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
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世界最快閃存有顆“武漢芯”

　　不到兩個(gè)指甲蓋大小的芯片，內(nèi)存達(dá)8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。　　“我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，往前推進(jìn)。”剛剛履新武漢新芯CEO的楊士寧說，“我們?yōu)槊绹旧a(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存?！? 　　此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬片的12
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2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]